STM32笔记——GPIO

本文介绍了电子设备中二极管的保护作用,上拉和下拉电阻的配置,施密特触发器的应用,以及模拟输入ADC与数字复用功能。重点讲解了输出数据寄存器、位设置/清除寄存器在控制IO口中的操作,以及推挽和开漏模式在不同应用中的优势,如I2C通信中的低干扰特性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

输入部分

两个保护二极管,作用是对输入电压进行限制上边接VDD,3.3V,下边接VSS,0V;

如果输入电压比3.3还高,上边的二极管就会导通输入电压的额电流就会直接流入VDD不会进入内部;

如果输入电压比0V还要低,下方的二极管就会导通,电流从VSS流出,不会从内部电路汲取电流;

上拉电阻,下拉电阻;

上拉电阻接VDD,下拉电阻接VSS;//可以通过程序进行配置;

上边导通下边断开就是上拉模式,下面导通上边断开就是下拉模式;

两个都断开就是浮空模式;

作用:给输入提供一个默认的输入电平;//避免引脚浮空,导致输入数据不稳定;

施密特触发器;

输入电压大于某个值,输出为高电平,小于某一值就会降为低电平;//在阈值内消除信号抖动,信号整形;

输入输出寄存器

模拟输入:ADC,接在施密特触发器前,接收模拟量

复用功能:接在施密特触发器后,接收数字量

输出部分

输出数据寄存器;

写这个‘输出数据寄存器’数据的某一位就可以控制端口了;

//同时控制16个,而且只能整体改写;

//先读这个寄存器没后用按位与和按位或的方式更改某一位,最后在将更改后的数据写回去,类似于与等于和或等于;

位设置/清除寄存器;

单独操作‘输出数据寄存器’的某一位,不影响其他位;

//如果要改变某一位进行置一,直接在‘位设置’对应位置写一即可,剩下不需要改的写零;

//如果要进行置零操作,在‘位清除’对应位置写一即可;

推挽,开漏;

推挽输出模式下P-MOS和N-MOS均有效;

数据寄存器为一时,上管导通,下管断开,输出到VDD就是高电平;

数据寄存器为零时,上管断开,下管导通,输出到VSS就是低电平;

这种模式下高低电平都有较强的驱动能力;

在推挽模式下32对IO口有绝对控制权;

在开漏模式下P-MOS是无效的,只有N-MOS有效,

输出寄存器为一时,输出相当于断开,也就是高阻模式;

数据寄存器位零时,下管导通,输出接到VSS,输出低电平;

这个模式下只有低电平有驱动能力,高电平是没有驱动能力的,开漏模式可以作为通信协议的启动方式I2C使用的就是开漏模式,在多机通信的情况下,这个模式可以避免干扰,开漏模式还可以输出5V的电平;        

评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值