碳纳米管技术因其原子级管径和高载流子迁移率，成为构建亚10纳米晶体管的理想材料，有望解决芯片制造的短沟道效应。北京大学的研究团队已实现5纳米碳纳米管CMOS器件，性能逼近理论极限。这种低温技术不仅可能推动芯片性能提升上千倍，还可能解决硅芯片的散热难题，为中国半导体产业提供新的发展方向。
今天抽时间回答了一下知乎提问“3nm之后，芯片制造何去何从”的问题。
后摩尔技术有很多选择，如三星正在推动的GAA和FinFET发明者胡正明教授正在推动的负电容晶体管都是当中的代表，碳纳米管则是另一拨人坚持的流派。
碳纳米管技术的原子量级的管径保证了器件具有优异的栅极静电控制能力，更容易克服短沟道效应。
其超高的载流子迁移率则保证器件具有更高的性能和更低的功耗。
所以这种材料被认为是构建亚10纳米晶体管的理想材料。而多个理论研究也表明，碳纳米管器件相对于硅基器件来说在速度和功耗上具有5-10倍的优势，有望满足“后摩尔时代”集成电路的发展需求。
碳纳米管的应用不仅仅是可能将现有的技术继续向前推进几个技术节点，而是可能提供一个全新的可能性。
已经证明，碳纳米管技术可以用一个简单的平面工艺一直走到物理极限，而不需如硅技术那样发展更复杂的三维晶体管技术，例如FinFET，来降低短沟道效应。
另外，就是碳纳米管技术是一个低温技术，可以制备三维的芯片。要知道，硅芯片堆叠的最大障碍就是散热。如果是低温技术，理论上可以无限堆叠。
这为未来的芯片制造打开了一个广阔的空间，有望将现有的芯片性能提高上千倍。
2017年，北
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