SDRAM页操作模式(ZT)

      

2012-05-29 16:27:33|  分类： SDRAM |  标签：sdram  |字号 订阅

 之前折腾了好久没搞定SDRAM的页模式下进行读写，当时利用在FPGA内部设计一个数据产生模块，用于产生0-255的数据分别写入SDRAM的一个页（正好256字节）内。但是读出来的串口上传数据却相当怪异。当时就放下了，搞不定硬撑着也不是办法。

                          

        启示：在页操作模式下，需进行换页操作。当连续读写数据时，每隔256个单元（单元的长度-即一个单元包含多少个字节？），就要做一次突发停止。---zhengjw

         前天又在看不同厂家的类似型号SDRAM的datasheet，结果不经意看到一句话，说是SDRAM在页操作模式下必须使用突发停止命令停止其操作。否则，根据后来推断，我觉得在页操作模式下，如果不发出突发停止命令，那么地址会不停的从0-255翻转，而我们的本意是在第一次0-255地址递增期间会分别送0-255的数据到数据总线上，但是如果不发突发停止命令，那么在下一次命令到来之前，地址总线会重新不停的在0-255之前变化，而最后写入SDRAM的数据则取决于你最后一个0-255地址变化周期内的数据。可想而知，如果我不发停止命令，而假设其操作完成回到IDEL状态，那么最后写入的数据肯定就是一串FF或者00，再或者是最后一个写入的一个数据（如果在写入后数据总线不释放的话）。实践证明，结果正式如此。

         呵呵，问题找到了，那么解决问题就是小case了。这回要发挥页模式的灵活性和高效性，那么就要做成一个由外部输入数据控制其一次性操作的字节数，也就是说，外部在读写数据前事先控制一个寄存器，往寄存器写入需要操作的字节数，而进入读写操作后，SDRAM控制器根据外部给出的字节数在适当的时候发出突发停止命令，这样做到了SDRAM的读写操作的字节可以在1-256范围内灵活调整，增强了通用性。

         呵呵，问题终归是要解决的！