晶体管和mos管区别，MOS管是什么？

晶体管和mos管区别

什么是MOS管

MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。

什么是晶体管

在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等。晶体管有时指晶体的晶体管。

晶体管分为两大类：双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

晶体管有三个极；双极晶体管有三个极，分别是发射极、基极和集电极。场效应晶体管有三个极：源极、栅极和漏极。

因为晶体管有三个极性，所以也有三种使用方式。它们是发射极接地（也称为发射极放大，ce构型），基基接地（也称基基放大，cb构型）和集电极接地（也称集放大，cc构型，发射器耦合）。

晶体管和mos管区别

晶体管分类

材料

根据晶体管所使用的半导体材料，它们可以分为硅晶体管和锗晶体管。根据晶体管的极性可分为锗NPN晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。

工艺

晶体管可以根据其结构和制造工艺分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。

电流容量

根据电流容量，晶体管可分为小功率晶体管，中功率晶体管和高功率晶体管。

工作频率

晶体管按其工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管。

封装结构

晶体管可分为金属封装（简称金封口）晶体管、塑料封装（简称塑料封口）晶体管、玻璃外壳封装（简称玻璃封口）晶体管、表面封装（片）晶体管、以及陶瓷封装晶体管。它有各种各样的包装形状。

按功能和用途

晶体管可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反向电压晶体管、阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等类型。

晶体管种类分析

半导体三极管

它是一种内部有两个PN结，外部通常有三个引出电极的半导体器件。它具有放大和切换电信号的功能，得到了广泛的应用。输入级和输出级都使用晶体管逻辑电路，称为晶体管-晶体管逻辑电路。在书籍和应用中，它们被称为TTL电路。它们属于半导体集成电路的一种，其中最常用的是TTL和非门。TTL和非栅极是一个由多个晶体管和电阻元件组成的电路系统，集中制造在一个非常小的硅片上，封装在一个单独的元件中。半导体晶体管是电路中应用最广泛的器件之一，它以“V”或“VT”表示(旧的文字符号有“Q”、“GB”等)。

电力晶体管

功率晶体管由英国巨型晶体管逐字翻译成巨型晶体管。它是一种双极结型晶体管（BJT），耐高压和高电流，因此有时称为Power BJT。其特点是：耐压高。电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大; GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是相同的。

光晶体管

光电晶体管是由双极晶体管或场效应晶体管等三个终端器件组成的光电器件。光在这些器件的有源区被吸收，产生光生载流子。光电流增益是通过内部电放大机制产生的。光晶体管工作在三个终端，因此很容易实现电子控制或同步。光学晶体管所用的材料通常是砷化镓，它主要分为双极性光学晶体管、场效应光学晶体管和相关器件。双极晶体管通常有很高的增益，但它们的速度不是很快。对于砷化镓，放大系数可以大于1000，响应时间大于纳秒。双极晶体管常用于光电探测器和光放大。场效应光晶体管（FEPTS）响应速度快（约50皮秒），但其缺点是感光面积小、增益小（放大系数可大于10）。它们常被用作非常高速的光电探测器。平面光电子器件有许多，它们具有响应时间快（数十皮秒）的特点，适合集成。这些器件有望用于光电集成。

双极晶体管

双极性晶体管是指一种常用于音频电路的晶体管。两极是由流经两种半导体材料的电流系统之间的关系而来。双极性晶体管可根据工作电压的极性分为npn或pnp类型。

双极结型

“双极”的含义是电子和空穴同时参与电子和空穴的运动。双极型结型晶体管(Bi极性Junction Transistor-BJT)又称半导体晶体管，是一种通过一定工艺将两个PN结合在一起的器件。有两种组合结构：PNP和NPN。有三个外部电极：集电极、发射极和基极、集电极、发射极和基极(基极位于中间)；

BJT具有放大功能，它是通过BJT的发射极电流通过基区传输到集电极区来实现的，为了保证传输过程，一方面满足了内部条件，即发射区的杂质浓度比基区杂质浓度大得多，基区厚度较小，另一方面满足外部条件，即发射结为正偏(加正向电压)，集电极结为去偏置，BJT类型多，频率划分，设置高频管和低频管，以一种放大电路的形式，该放大电路包括一个公共发射器、一个公共基座和一个公共集电极放大电路。

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场效应晶体管

“场效应”的含义是该晶体管的工作原理是基于半导体的电场效应。

场效应晶体管（FET）是一种基于场效应原理的晶体管。场效应晶体管主要有两种类型：结场效应晶体管（简称JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（简称MOS-FET）。与BJT不同，FET只传导一个载流子（大多数载流子），所以它也被称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、集成方便、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点。

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静电感应

静电感应晶体管诞生于1970年，实际上是一种结场效应晶体管。通过改变用于信息处理的低功耗坐具的水平导电结构，使之成为垂直导电结构，可以制成大功率坐具。sit是一种多亚导电苔藓，可与功率苔藓相当甚至超过，而且功率容量也比功率苔藓大，因此适合高频、高功率的情况。目前，它在雷达通信设备、超声功率放大器、脉冲功率放大器和高频感应加热等方面得到了越来越多的应用。

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单电子晶体管

一种能用一个或少量电子记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术的发展，大规模集成电路(LSI)的集成度越来越高。以动态随机存取存储器(DRAM)为例，其集成度每两年增加近四倍，单电子晶体管有望成为其最终目标。目前，每个存储单元包含200000个电子，而单个电子晶体管的每个存储单元只包含一个或少量电子，这将极大地降低功耗，提高集成电路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等人在实验上发现了库仑阻塞现象。

IGBT

绝缘栅双极晶体管(绝缘栅双极晶体管-IGBT)结合了功率晶体管(巨晶体管-GTR)和静电场效应晶体管(功率MOSFET)的优点。IGBT也是三端器件：栅极、集电极和发射极。

晶体管的主要参数指标

放大系数

直流电流放大系数，也称为静态电流放大系数或直流放大系数，是指输入静态非变化信号时晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，通常用hFE表示或β。

耗散功率

耗散功率，又称最大允许耗散功率pcm，是指晶体管参数不超过允许值时集电极的最大耗散功率。

当特征频率ft晶体管超过截止频率fβ或fα的工作频率时，当前放大系数β的值会随着频率的增加而降低。特性频率是指β值下降到1晶体管的频率。

最高频率fM

最大振荡频率是晶体管的功率增益降到1的频率。

最大电流

最大电流(ICM)是集电极允许的最大电流。当晶体管的集电极电流(IC)超过ICM时，晶体管的β值等参数会发生明显的变化，从而影响晶体管的正常工作甚至损坏。

最大反向电压

最大反向电压是晶体管工作所允许的最大工作电压。它包括集电极 - 发射极反向击穿电压，集电极 - 基极反向击穿电压和发射极 - 基极反向击穿电压。

MOS管的主要特性

导通电阻的降低

英飞凌的MOSFET内置横向电场，可承受600V和800V电压，与传统的MOSFET器件相比，在相同的核心区，导通电阻分别降低到传统MOSFET的1/5和1/10，在相同的额定电流下，导通电阻分别降低到1/2和1/3。在额定结温和电流条件下，在线电压从12.6V、19.1V下降到6.07V、7.5V，在线损耗分别下降到传统MOSFET的1/2和1/3。Coolmos被称为Coolmos，因为它减少了传导损耗、发热和相对凉爽的装置。

减少包装和减少耐热性

与传统的MOSFET相比，在额定电流相同的情况下，COOLMOS的芯部减小到1≤3和1≤4，使封装减少了两个外壳规格。由于COOLMOS芯层厚度仅为普通MOSFET的1≤3，TO-2 2 0封装的RTHJC值由1℃/W降至0.6℃/W，额定功率由12 5W提高到2 0 8W，提高了堆芯的散热能力。

开关特性的改善

COOLMOS的栅电荷和开关参数明显优于常规MOSFET。由于QG，特别是QGD的降低，COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2，开关损耗降低了50%左右。关断时间的缩短也与低栅电阻(<1Ω=)有关。

抗雪崩击穿能力和SCSOA

目前，新型场效应管具有抗雪崩破坏的能力。Coolmos还具有雪崩阻力。在相同的额定电流下，COOLMOS的IAS与ID25 C相同，但由于芯面积的减小，IAS比传统的MOSFET小，而在相同的芯面积下，IAS和EAS比传统的MOSFET大。

冷却瓶最大的特点之一是它有一个短路安全工作区（scoa），这是传统的冷却瓶所不具备的。

COOLMOS的SCSOA主要是由于COOLMOS传输特性的改变和堆芯热阻的降低所致。COOLMOS的传输特性如图所示。从图中可以看出，当VGS>8V时，COOLMOS的漏电流不再增大，处于恒流状态。特别是当结温升高时，恒流值减小。在最高结温下，其电流约为ID2 5℃的2倍，也就是正常工作电流的3≤3.5倍。在短路情况下，由于栅极驱动电压为15V，漏极电流不会超过ID25℃的10倍，从而将COOLMOS耗散的功率限制在350V×2ID25℃，并尽可能减少短路时芯部的发热。

岩心产生的热量可以通过降低堆芯的热阻迅速分布到壳体上，而堆芯的热阻降低可以抑制堆芯温度的上升速度。因此，在0.6VDSS电源电压下，COOLMOS可以由正常栅极电压驱动，并承受10μ的短路冲击。时间间隔大于1s，不损坏1000次，在IGBT等短路情况下可以有效地保护COOLMOS。

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