NMOS管与PMOS管的区别与总结

对MOS管的理解

一、MOS管的核心原理

1. 结构组成

• 三个电极：

栅极（Gate, G）：通过施加电压控制导电沟道的形成。

漏极（Drain, D）：电流输出端。

源极（Source, S）：电流输入端。

• 绝缘层：栅极与半导体之间通过极薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层隔离，形成电容结构。

2. 工作原理

• 电压控制型器件：通过栅极电压（）控制漏极-源极之间的导电沟道。

增强型MOS管：默认无导电沟道，当（阈值电压）时，沟道形成，电流导通。

耗尽型MOS管：默认存在导电沟道，可调节沟道宽度甚至关闭。

OS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管。

PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。

积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。

很显然，电流从源极（输入端）到漏极（输出端），那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS管；而电流要是从漏极（输入端）到源极（输出端），那就是逆流而上，是NMOS管。

3.N沟道还是P沟道与寄生二极管方向如何判定

4. N沟道MOS还是P沟道MOS？

箭头指向G极的是N沟道

箭头背向G极的是P沟道

寄生二极管方向:

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：

要么都由S指向D，要么都有D指向S

MOS管的连接方式：

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。

同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。

记忆技巧：

1.交叉的线最多的是源极；

2.栅极也就是门（gate），既然是门，就具有控制的职能。

3.无论是PMOS管还是NMOS管，二极管的方向正好与输入输出的方向是相反的

4.无论是PMOS管还是NMOS管，栅源极箭头的方向正好与二极管的方向相同

5.无论是PMOS管还是NMOS管，我们只需要比较G极电压与S极电压大小关系就可以判断MOS管能不能导通

6.对于PMOS管来说，电流是从源极（输入端）到漏极（输出端），从上到下，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须小于源极电压；换句话说，当UGS<0时，PMOS管才导通。

7.对于NMOS管来说，电流是从漏极（输入端）到源极（输出端），从下到上，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须大于源极电压；换句话说，当UGS>0时，NMOS管才导通。

原文链接：NMOS管与PMOS管的区别与总结_pmos和nmos的区别-CSDN博客