IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全称为绝缘栅双极晶体管,结构上由BJT和MOSFET组合而成,兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点,是未来功率半导体应用的主要发展方向之一。IGBT一般按照电压等级划分为三类,低压(600V以下)IGBT一般用于消费电子等领域,中压(600V-1200V)IGBT一般用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域,高压(1700V-6500V)一般用于轨道交通、新能源发电和智能电网等领域。
据统计2022年全球IGBT市场规模为72.6亿美元,其中IGBT单管规模从2015年的7.7亿美元增长至2022年的21.7亿美元;IGBT功率模块规模从2015年的24.1亿美元增长至2022年的50.9亿美元。
2015-2022年全球IGBT单管及功率模块市场规模走势图
资料来源:世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询(共研网)
据测算:2022年我国IGBT市场规模为187.31亿元。其中IGBT单管规模从2015年的10.77亿元增长至2022年的73.43亿元;IGBT功率模块规模从2015年的45.28亿元增长至2022年的113.88亿元。
2015-2023年中国IGBT单管及功率模块市场规模及预测