解决Proteus中的[SPICE] * stepping time与[SPICE] TRAN Timestep too small错误

先上图
在这里插入图片描述
[SPICE] transient GMIN stepping at time
[SPICE] TRAN: Timestep too small; timestep = 6.60796e-008: trouble with node #00039.
关于这两个错误警告,我想但凡使用protues来仿真的人没有少遇到这样的困恼。可说得上是既害怕有无奈。
这是如何造成的呢?有的时候还有点摸不到头脑,为什么呢?同一个文件,在这台电脑上运行可能没有丝毫问题,跑到另外的电脑上运行却曝出这样的警告,导致仿真程序无法运行。
可以很负责人的说,这个还真与具体的电脑有关,有操作系统的情况有关,因为我做过测试,同一个程序在同一台电脑上可能重新安装操作系统之后就可以运行了,郁闷吧?

说可能有用的解决方法,有两种:
1、在数字电路中仿真,检查所有的模拟电路元件(如电阻,LED灯等),看看是否已经配合将模拟模式(analog)修改成了数据模式(digital),如果没有,那么对于数据信号的高频运行它肯定是应对不了的。这一点几乎百分之九十的新手会入坑。
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2、
可以进入system下的 set simulator option(但老实说,这里的修改只有少数时候有效)
在这里插入图片描述
如果修改上面的参数没有效果,那就只有最后的一招了,将下面的设置从default setting更改为setting for better convergence 或者setttings for better accuracy,别忘记点击加载(load)。
在这里插入图片描述
重新启动系统再来仿真,也许你的问题解决了。

<think>好的,我现在要解决用户关于Proteus仿真中出现Timestep too small错误的问题。首先,我需要回忆一下这个错误的常见原因和解决方法。根据用户提供的引用内容,这个问题可能仿真步长、电路中的节点问题、元件模型等有关。用户提到在不同电脑或操作系统上结果不同,这可能涉及到仿真设置的兼容性或计算精度的问题。 首先,我应该分步骤来考虑可能的原因。可能的原因包括仿真时间步长设置不当、电路存在瞬间高阻抗或短路、元件参数不合理(比如电容或电感值过小)、节点电压剧烈变化导致收敛失败,或者元件模型不准确。 接下来,我需要整理这些可能的原因,并给出对应的解决方法。例如,调整仿真步长,检查电路中的连接是否正确,尤其是接地情况,修改元件参数,使用GMIN stepping选项,简化电路等。同时,用户提到的引用中,同一程序在不同电脑上表现不同,可能涉及到仿真器的设置或操作系统的数值计算差异,所以建议用户检查全局仿真设置,或者尝试更新软件版本。 另外,还需要注意用户可能对某些术语不太熟悉,比如GMIN stepping是什么,可能需要简要解释,但用户的问题中已经提到这个术语,所以可以适当说明调整GMIN参数的作用。 然后,我需要确保回答结构清晰,分点列出解决方案,并给出操作步骤,比如在Proteus中如何修改仿真设置,如何调整元件参数等。同时,要提醒用户逐步排查,从简单调整开始,逐步深入,避免一开始就进行复杂操作。 最后,生成相关问题,帮助用户进一步排查问题,比如询问是否有高频率元件、电路拓扑是否复杂、是否使用理想模型等。这些问题可以帮助用户更全面地检查和解决问题。</think>针对PROTEUS仿真中出现的$[SPICE]$ TRAN: Timestep too small错误,以下是系统性解决方案: ### 一、错误原因分析 该错误本质上是SPICE算法在瞬态分析时无法收敛导致的数值计算中断,常见原因包括: 1. 电路存在**瞬间高阻抗路径****短路路径** 2. 元件参数设置不合理(如$C < 1nF$或$L < 1μH$) 3. 节点电压在短时间内剧烈变化($dV/dt > 10^9 V/s$量级) 4. 仿真步长电路时间常数不匹配[^1] ### 二、分步解决方案 #### 1. 基础设置调整 ```python # Proteus仿真设置修改示例路径: Simulation → Edit Simulation Profile → Advanced ``` -**Max. Timestep**调整为$1μs$至$10μs$范围 - 勾选**Use GMIN Stepping**选项(默认GMIN=1e-12可增大至1e-9) - 设置**ITL4=500**(最大瞬态迭代次数) #### 2. 电路修正措施 - 在所有开关器件(MOSFET/继电器)并联$10kΩ$电阻$1nF$电容 - 为电感元件添加串联电阻(至少$1Ω$) - 验证所有节点接地完整性(特别注意悬空引脚) - 将小数值电容($C<10nF$)替换为$10nF$进行测试 #### 3. 模型级调整 ```python # 修改MOSFET模型参数的推荐值: .model IRF540 VDMOS(Rg=3 Rd=80m Rs=40m Cgdmax=2n Cgdmin=1n) ``` - 为非线性元件添加收敛辅助参数(如$TT=1n$) - 禁用复杂半导体模型的二级效应 ### 三、验证流程图 电路简化 → 检查接地 → 增大无源元件值 → 调整仿真参数 → 修改元件模型
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