NAND速度优化探索

本文探讨了在博通7231平台上针对K9GAG08U0E NAND闪存的优化过程。初始读速4M/s,通过提升控制器主频至206M和调整CE信号时序,读速提升至8M/s。然而,由于CPU硬件限制,速度提升遇到瓶颈。分析波形图发现主要受限于IO速度,且无法进一步优化。文中详细阐述了NAND_TIMING寄存器设置和读取过程中的时间消耗,并展示了相关代码片段。
摘要由CSDN通过智能技术生成

使用的硬件平台为博通7231,NAND型号为K9GAG08U0E。

最初的情况是这样的,此款cpu的nand控制器不支持DMA,另外默认的主频是108M的,经过测试flash的读速度为4M/s左右,对于系统性能有一定的限制(软件启动速度,系统开机速度等),后来更改nand控制器主频为206M,CE信号的低、高电平时间适量缩短(这个是最重要的,这个缩短之后,一个读周期就会大大缩短,比提高主频效果还明显,主频提高,但是这两个参数不动的话,一个读周期并缩短不了多少)。这样之后,读速度提高到8M/s左右。最后的情况是。8M/s可以说已经是极限了。由于cpu硬件的限制导致了nand读写速度的瓶颈。通过分析波形图,最后得出结论,主要是由于IO速度太慢(而这个已经无法提高了)造成的。

下面是抓得波形图及一些简单说明:

信号1:RE信号(读使能)。
信号2:GPIO参考波形(用于定位读操作的各个时间点)。


NAND_TIMING_1_CS2设置的值:0x33424236
NAND_TIMING_2_CS2设置的值:0x80001ef6


波形简单说明:
根据NAND_TIMING_1_CS2寄存器的设置,RE信号一个周期为28ns。
1.由波形可知,一个PAGE 8K 数据分8次传输,每次1K,由图tek00012.bmp可知,1K数据传输需要32us,而RE一个周期为28ns,正好是1K的数据。
2.由波形图可知RE信号每个1K数据之间有80

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