密度梯度理论

密度梯度限制理论–半导体器件仿真

一、静电和电荷载流子守恒
半导体器件的物理场仿真包括由电场（漂移）和载流子浓度梯度（扩散）驱动的载流子迁移。电场（V/m）由准静态假设下的静电方程式给出：

式中， 是介电常数（F/m）， 是电荷密度（C/m3）， 是电势（V）。电荷密度 由空穴、电子、电离的施主和电离的受主浓度（1/m3）（分别为 , , 和 ）给出。

式中， 是基本电荷（C）。电子和空穴浓度（ 和 ）受以下连续性方程给出的守恒定律约束：


式中， 是时间（秒）； 和 是电子和空穴的电流密度（A/m2）； 是电子和空穴的复合和产生速率（1/m3/s）。电子和空穴的电流密度 和 可以用准费米能级（quasi-Fermi levels） 和 （V）表示：

式中， 和 是电子和空穴迁移率（m2/V/s）， 和 是导带和价带边缘（V）， 和 是电子和空穴对热扩散系数（m2/s）的非平衡贡献， 是温度（K）。导带边缘 和价带边缘 与电势 ，电子亲和势 和带隙 有关：
请注意，在使用半导体模块时，所有能级变量（）均由基本电荷换算成电势（V）。
二、漂移扩散和密度梯度理论的状态方程
传统的漂移扩散理论和密度梯度理论都遵守上面列出的静电和电流守恒定律。它们之间的差异在于电子和空穴气体的状态方程。在漂移扩散理论中，载流子浓度 和 与准费米能级 和 有关，由下列等式表示：


式中， 和 分别是导带和价带有效态密度（1/m3）， 是费米-狄拉克积分， 是玻耳兹曼常数J/K）。而在密度梯度理论中，通过量子势 和 （V）增加了浓度梯度对状态方程的贡献：


式中，量子势 和 是根据密度梯度定义的：


密度梯度系数 和 （V m2）由密度梯度有效质量张量 和 （kg）的倒数给出：


式中， 是普朗克常数。
三、求解策略
对于传统的漂移扩散公式，可以将状态方程
代入基本方程求解三个因变量：
对于密度梯度公式，状态方程


表明了电荷载流子浓度的隐式关系。此时，要引入新的因变量来求解隐式方程。
我们使用 Slotboom 变量 和 （V）作为附加因变量：

然后使用密度梯度公式的基本方程和状态方程求解五个因变量
,
显然，与其他更复杂的量子力学方法相比，该方法不会增加过多的计算量。因此，密度梯度理论为工程师提供了一种有效的替代方法。

四、重组率
由于密度梯度理论的状态方程增加了载流子浓度的梯度，平衡浓度不再仅仅是费米能级的函数，因此重组率涉及更复杂的计算




五、Slotboom变量的边界条件



六、异质结选择
在常规漂移扩散公式中，COMSOL 的 半导体模块 为异质结提供了两种选择：连续准费米能级 和热电子发射。

在第一种选择中，我们可以轻松地扩展到密度梯度公式：只需让准费米能级和 Slotboom 变量在异质结上连续即可，这对于拉格朗日形函数是自动的。这模仿了量子力学波函数的连续性质，尽管充其量只能被视为现象学

第二种选择假定热电子发射过程占主导地位，并允许准费米能级和Slotboom变量在异质结上不连续。热电子电流密度使用与漂移扩散理论相同的公式，并能得出相似的结果。

原文作者： Chien Liu