国人佳作 | COMSOL模拟与实验验证

文献·解读

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01派言·派语

金刚石薄膜具有优异的光学、电学、力学和热学性能，在传统和新兴工业领域有着广泛的应用。

在金刚石薄膜的合成方法中，微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法由于等离子体密度高、可控性好等特点，成为研究和制备高质量金刚石薄膜的理想方法。

然而，在MPCVD过程中金刚石的生长过程中，一些问题需要解决。鉴于此，2024年8月30日，北方工业大学机电与材料工程学院安康副教授课题组在International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials上发表研究成果。

他们主要研究微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的边缘效应。基片凸起高度是影响边缘效应的一个因素，利用其模拟等离子体，指导金刚石膜沉积实验。

利用有限元软件COMSOL Multiphysics建立基于电子碰撞反应的多物理场（电磁场、等离子体场和流体传热场）耦合模型。采用拉曼光谱和扫描电子显微镜对实验生长进行表征，验证模型的有效性。

模拟结果反映了实验观察到的趋势。随着Δh的增加（Δh=0~3mm），基片边缘的等离子体放电加速，基片边缘的电子密度（ne）、H的摩尔浓度（CH）、活性化学基团的摩尔浓度降低。

在Δh=0~3mm时，基片边缘的金刚石生长速率高，金刚石晶粒尺寸大，且随Δh的增加而增大。膜厚的均匀性随Δh的增加而降低。

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02内容·梳理

1、模型的物理基础和边界条件

等离子体模型考虑了电子与氢气和甲烷分子的碰撞。使用从LXCat数据库获得的截面反应数据定义了几种与能量相关的电子碰撞反应。

图1：电子与（a）氢气和（b）甲烷碰撞的截面数据

电场加速电子与气体分子之间的碰撞可导致许多反应，包括弹性碰撞、激发、解离和电离，本研究简化了这些反应。

等离子体模型考虑了八种碰撞反应和九种粒子。图1显示了电子与氢气和甲烷碰撞截面的数据分布。

2、实验细节

使用实验室制造的MPCVD设备进行耦合多物理场模拟和金刚石薄膜生长实验。使用有限元软件COMSOL Multiphysics中的相关模块进行多物理场建模。模型的输入参数，如微波功率和气压，都是根据实际沉积条件设定的。

图2：微波等离子体反应器示意图

3、微波电磁场的模型分析

图3（a1-a4）显示了在存在未激发等离子体的情况下，Δh变化对MPCVD反应器电场强度分布的影响。在反应器中，仅在基板上方可以找到最大电场区域。

图3（b1-b4）显示了等离子体激发后的电场强度分布。等离子体吸收导致基板处电场强度降低。此外，基板处的电场强度从约105降低到103V/m，并在等离子体区域周围呈现球壳分布。

图3：Δh对等离子体激发前(a1–a4)和等离子体激发后(b1–b4)MPCVD反应器内微波电场强度分布的影响

4、等离子体模型分析

图4显示了等离子体模型结果，包括反应器中的电子密度、电子温度和的分布。

图4：反应器中(a1–a4)ne、(b1–b4)Te和(c1–c4)V随Δh变化的分布

为了深入了解基材表面活性基团的分布，研究者提取了=0.1时的数据进行详细研究。图5(a1)–(a2)显示了数值分布的变化。

图5：基材轴向和径向随变化的数值分布

5、流体传热模型分析

图6显示了从流体传热模型计算出的Tg分布。在不同值下，最大Tg分别为3098、3141、3180和3112K。由于沉积工艺参数相似，四种沉积条件下获得的气体温度和分布非常相似。

图6：反应器中Tg分布随Δh的变化

6、膜厚均匀性

图7揭示了四种沉积的金刚石薄膜的厚度分布。对于Δh=-1mm的薄膜样品，薄膜厚度分布表现出中心厚、边缘薄的特点，而其他三个薄膜样品表现出相反的特征。

金刚石薄膜的沉积速率分别为1.15-1.51、1.28-2.20、1.19-3.18和1.22-3.67μm/h。

图7：Δh=−1、0、1和3mm时金刚石薄膜的厚度分布

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