非易失大容量数据存储

目前数据存储主要还是用NAND FLASH实现，程序存储用NOR FLASH得更多。主要原因是NOR FLASH虽然写入较NAND慢，但读取更快；而且NOR虽然容量较小，但支持字节操作，比NAND的按页操作更灵活；最后NAND更容易有坏块，NOR相比更可靠一点。

如果是大容量的数据存储，还是NAND FLASH更有优势，容量更大，而且按页操作对大数据量来说操作更有优势。SSD硬盘就是一整片的NAND FLASH加一个存储管理芯片，目前常用的NAND有TCL跟QCL两种颗粒，一般来讲，状态越多可靠性越低，所以有说法是QCL寿命更短一些，前一阵子看有人建议SSD尽量选TCL颗粒的，理由是现在的多层技术已经可以做到整盘用TCL颗粒存储密度跟用QCL差不多，但TCL寿命更长一点。

有些时候直接上SSD硬盘这条路走不通，就只能自己搭建存储电路。

1）

一种方法是照搬SSD硬盘的方案，采用NAND FLASH芯片，例如镁光的SCL颗粒MT29F256G08AUCABH3-10ITZ，256Mbit的容量是该厂家SCL芯片最大容量。可以两片共用一组IO信号以及除CE之外的控制信号以节省管脚。存储管理可采用FPGA实现，如Xilinx的K7或V7系列。可以选择挂接一块MRAM或者小容量NOR FLASH或者EEPROM记录坏块表，也或者选用NAND中的部分block作为坏块管理区域，例如最后4个block。

由于NAND FLASH是按页读写的，所以最好是有SRAM或者MRAM等作为缓存，当数据量足够多时一次性写入NAND FLASH。

或者是直接用文件系统操作，但这样很容易造成存储空间的浪费。

另外，为了数据可靠以及尽量延长使用寿命，除了坏块管理之外，还需要增加ECC校验，以及磨损均衡管理。

坏块管理，ECC，磨损均衡，NAND FLASH芯片大多全不具备，部分NAND内部可能会有ECC电路。

2）

还有一种方法是采用多片e.MMC存储芯片，以及管理芯片例如FPGA实现。

e.MMC芯片内部集成了磨损均衡以及错误管理技术，可完成坏块管理，以及ECC功能。片上坏块管理功能能够检测识别坏块，并自动完成备用块替代坏块操作，该操作过程对主机不可见。芯片内置ECC算法，对主机透明，可由EMMC控制器自动完成，无需主机干预。

e.MMC内部也是NAND FLASH，因此也存在小数据量写入时会浪费存储空间的问题。也可以考虑通过SRAM等先进行缓存，等达到一定数据量后写入芯片。

另外，前一阵子跟EVERSPIN的技术人员交流，听说EVERSPIN正在努力研发大容量的非易失型MRAM，以MRAM存储的灵活性，如果存储容量可以提升，则采用大容量的MRAM会是更好的存储方案。