arm裸机块设备

RAM 内存
ROM 外存

NorFlash(可总线式访问)
NandFlash(块设备) SLC 可靠性高,缺点是容量做不大
MLC 容量可以做很大很便宜

SD卡与SRAM/DDR/SROM之类的东西的不同:SRAM/DDR/SROM之类的存储芯片是总线式的,只要连接上初始化好之后就可以由SoC直接以地址方式来访问;但是SD卡不能直接通过接口给地址来访问,它的访问需要按照一定的接口协议(时序)来访问。
SD卡支持两种读写协议:SD协议和SPI协议。
SPI协议特点(低速、接口操作时序简单、适合单片机)
SD协议特点(高速、接口时序复杂,适合有SDIO接口的SoC)

S5PV210的SD/MMC控制器
(1)数据手册Section8.7,为SD/MMC控制器介绍。
(2)SD卡内部除了存储单元Flash外,还有SD卡管理模块,我们SoC和SD卡通信时,通过9针引脚以SD协议/SPI协议向SD卡管理模块发送命令、时钟、数据等信息,然后从SD卡返回信息给SoC来交互。工作时每一个任务(譬如初始化SD卡、譬如读一个块、譬如写、譬如擦除····)都需要一定的时序来完成(所谓时序就是先向SD卡发送xx命令,SD卡回xx消息,然后再向SD卡发送xx命令····)

命令码

在这里插入图片描述

坏块检查

(1)Flash使用之前要先统一擦除(擦除的单位是块)。Flash类设备擦除后里面全是1,所以擦干净之后读出来的值是0xff。
(2)检查坏块的思路就是:先块擦除,然后将整块读出来,依次检测各自节是否为0xff,如果是则表明不是坏块,如果不是则表明是坏块。
在这里插入图片描述

页写

(1)写之前确保这个页是被擦除干净的。如果不是擦除干净的(而是脏的、用过的)页,写进去的值就是错的,不是你想要的结果。
(2)写操作(write)在flash的操作中就叫编程(program)
(3)SoC写Flash时通过命令线、IO线依次发送写命令、写页地址、写数据等进入NandFlash。
(4)写的过程:SOC通过Nand控制器和Nand芯片完成顺序对接,然后按照时序要求将一页数据发给Nand芯片内部的接口电路。接口电路先接收收据到自己的缓冲区,然后再集中写入Nand芯片的存储区域中。Nand接口电路将一页数据从缓冲区中写入Nand存储系统中需要一定的时间,这段时间Nand芯片不能再响应SOC发过来的其他命令,所以SoC要等待Nnad接口电路忙完。等待方法是SoC不断读取状态寄存器(这个状态寄存器有2种情况:一种是SoC的Nand控制器自带的,另一种是SoC通过发命令得到命令响应得到的),然后通过检查这个状态寄存器的状态位就能知道Nand接口电路刚才写的那一页数据写完了没、写好了没。直到SoC收到正确的状态寄存器响应才能认为刚才要写的那一页数据已经ok。(如果SoC收到的状态一直不对,可以考虑重写或者认为这一页所在的块已经是坏块,或者整个Nand芯片已经挂掉了)。
(5)正常情况下到了第四步就已经完了。但是因为Nand的读写有不靠谱情况,因此我们为了安全会去做ECC校验。ECC校验有硬件式校验和软件式校验2种。软件式校验可以采用的策略有很多,其中之一(Nand芯片手册上推荐的方式是):将刚才写入的1页数据读出来,和写入的内容进行逐一对比。如果读出的和写入的完全一样,说明刚才的写入过程正确完成了;如果读出来的和写入的不完全一样那就说明刚才的写入有问题。
(6)硬件式ECC:SoC的Nand控制器可以提供硬件式ECC(这个也是比较普遍的情况)。硬件式ECC就是在Nand的控制器中有个硬件模块专门做ECC操作。当我们操作Nand芯片时,只要按照SoC的要求按时打开ECC生成开关,则当我们写入Nand芯片时SoC的Nand控制器的ECC模块会自动生成ECC数据放在相应的寄存器中,然后我们只需要将这生成的ECC数据写入Nand芯片的带外数据区即可;在将来读取这块Nand芯片时,同样要打开硬件ECC开关,然后开始读,在读的过程当中硬件ECC会自动计算读进来的一页数据的ECC值并将之放到相应的寄存器中。然后我们再读取带外数据区中原来写入时存入的ECC值,和我们刚才读的时候得到的ECC值进行校验。校验通过则说明读写正确,校验不通过则说明不正确(放弃数据或者尝试修复)。
在这里插入图片描述

擦除(erase)操作

(1)擦除时必须给块对齐的地址。如果给了不对齐的地址,结果是不可知的(有些Nand芯片没关系,它内部会自动将其对齐,而有些Nand会返回地址错误)。
(2)读写时给的地址也是一样,要求是页对齐地址。如果给了不对齐的,也是有可能对有可能错。

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