无源晶振匹配电路设计、负载电容选择,厂家推荐

本文详细解释了无源晶振匹配电路的设计原理,包括负载电容的作用和选择原则,以及基频晶振与泛音晶振的区别。还提到了国产晶振厂家的选择,尤其在国产化趋势下的推荐和注意事项。

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无源晶振匹配电路设计、负载电容选择

在单片机、PHY等器件的使用过程中,都需要使用到晶振,晶振又有有源晶振和无源晶振,无源晶振有时在使用中出现不起振,或者高低温试验是出现不起振等现象。无源晶振不起振,多为匹配电路参数不合适导致,本文针对无源晶振的匹配电路设计、及参数选择进行说明。

先理解一下负载电容的概念:

负载电容(CL):石英晶体谐振器在振荡器中使用时与线路中的电容连接,在此电路中与石英晶体谐振器联合决定工作的有效外加电容称为负载电容(CL),负载电容与谐振器一起决定振荡器的工作频率,通过调整负载电容,一般可以将振荡器的工作频率调到标称值。负载电容常用标准值有: 9、12.5、15、22pF,这个值可以根据具体情况作适当调整,负载电容太大,杂散电容影响减小,微调率下降;负载电容太小,微调率增加,杂散电容影响变大,等效电阻增加,甚至起振困难。

我们常用的基频晶振起振电路一般如下图。

在晶振电路的设计中,外围需要加2个电容,有些芯片需要并一个MΩ级电阻,或者串一个小电阻。下图为某款单片机晶振电路设计框图。

下图为某一款晶振的参数。

对于C1 C2参数的选择,有些人有疑惑,或者直接看晶振负载电容是多少,就选多少。这样设计是有隐患的。C1 C2的计算,应基于以下公式。

比如假设选用上图12.5pF负载电容的晶振,假设IC内和电路板电容值总共为5pF,则反算出,C1、C2应为15pF。

以上为基频晶振的匹配电路,特别注意还有另外一种泛音晶振,匹配电路是不一样的,在这个上面栽了一回。

基频晶振是指石英晶片的基本频率,通常在40MHz以下。基频晶振的产生是通过在石英晶片上施加电场,使其产生机械振动,这种机械振动会产生相应的电信号,从而形成基频晶振。

泛音晶振是指通过特定技术处理如三次泛音、五次泛音、七次泛音等,,使石英晶片产生泛音振动,从而获得更高频率的晶振。泛音晶振的产生与基频晶振类似,但需要通过特殊的电路设计和加工工艺来实现。泛音晶振匹配电路如下图所示,多了一个LC选频回路。

如下图为一个晶振的说明,当时我们选了一个40M的晶振,没有选频回路,当时测试有时是40M,有时是13点几M,有时示波器点一下,就变为40M了。当时研究了好久,才发现选成3次泛音晶振了。

现在提倡国产化,最后跟大家推荐一些国产晶振厂家,民用基本就扬兴了。

军用一般成都天奥、武汉海创、北京晶宇兴、北京晨晶,这些家有工业级、普军、七专这些等级的,且能提供自主可控证明,就是贵。

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