《炬丰科技-半导体工艺》多孔硅的冲洗和干燥研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：多孔硅的冲洗和干燥研究

编号：JFKJ-21-1673

作者：华林科纳

引言

p+型多孔硅(PS)的显著单晶性质被用于利用高分辨率X射线衍射研究硅晶体从湿态转移到干态的效应:这些效应被多孔硅的大比表面积所强调。硅从氢氟酸溶液通过水中的冲洗阶段转移到空气中具有重要的基础和技术意义，因为这发生在硅的大多数化学处理中。

首先，在干燥过程中，PS层收缩观察到，与表面化学变化有关，此外还有一些可逆变形。第二，水中的漂洗阶段根据漂洗持续时间导致不同的行为:短的漂洗阶段降低了在未漂洗PS上观察到的强伸长，而长的漂洗阶段导致PS层中的不均匀应变。

关键词:a .薄膜；a .多孔硅；C. X射线散射；c .结构特性；d .表面化学