《炬丰科技-半导体工艺》半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构
编号：JFKJ-21-894
作者：炬丰科技

引言

近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中，用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转，一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中，逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年来，由于高压喷气和极低温的关于向粒子喷射氮气溶胶等“清洗能力相关技术”进行了大量研究；另一方面，关于通过清洗暂时远离晶片的粒子，重新附着到晶片上，进行叶片式清洗，在干燥时晶片和保持晶片的转盘高速旋转。

实验

单张式清洗装置模型：
图1a表示装置整体的系统图，图1b表示测定部的详细情况。测定部由模拟清洗机处理室的直径D＝520mm、高470mm的圆筒构成，其中放置有半径R=165mm的圆板。另外，本研究还包括吹向圆板的气流通过送风机在装置内循环。送风机送来的气流通过节流流量计，通过设置在处理室上方的流路，流入长1830mm的助跑区间。助跑区间入口设有格子间隔26mm的整流用蜂窝，在本研究中，硅片和保持硅片的卡盘工作台简化为一个，将厚度10mm的铝制圆板用作旋转圆板，在该圆板下部设置有排气罩，在其内侧设置有3个排气口另外，处理室的间隙分别为28mm、45mm。流入测量部的气流与旋转圆板碰撞，通过排气罩和处理室的间隙(以下将其称为排气狭缝)进入排气罩内，从排气口返回送风机。