MT60B1G16HC-48B:A美光内存颗粒FBGA代码D8BNK

美光科技推出全球首款176层NAND UFS 3.1移动解决方案,应用于高端旗舰手机,提供75%的顺序写入和随机读取性能提升,打造流畅的5G体验。176层技术带来15%的混合工作负载性能提升,加快手机启动和应用切换速度,同时增强设备寿命,提高数据存储量。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MT60B1G16HC-48B:A美光内存颗粒FBGA代码D8BNK

美光科技宣布已开始批量出货全球首款基于 176 层 NAND 技术的通用闪存 UFS 3.1 移动解决方案。该产品为高端旗舰手机量身打造,与前代产品相比可实现高达75%的顺序写入和随机读取性能提升 ,从而解锁 5G 潜力 — 只需 9.6 秒即可下载一部2小时的4K 电影。

美光176层 NAND 的紧凑尺寸,完美契合移动设备的大容量和小体积需求。此前,美光于 6 月宣布已出货搭载 176 层 NAND 的 PCIe 4.0 SSD,为专业工作站和超薄笔记本提供高性能、低功耗的灵活设计选择。如今,美光将176 层NAND技术和性能成功应用于智能手机,带来更快的手机响应体验,实现应用程序之间真正的多任务处理。

美光 176 层 UFS 3.1 解决方案的混合工作负载性能相比上一代产品提升了 15%,使手机启动和切换应用的速度更快,从而打造更为流畅的移动体验。美光将 176 层 NAND 技术应用于 UFS 3.1,克服了存储瓶颈,使手机用户尽享 5G 高速通信。

荣耀终端有限公司产品线总裁方飞表示:“荣耀全能旗舰 Magic3 系列将率先搭载美光推出的业界首款 176 层 NAND 技术 UFS 3.1。该款高性能 3D NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用,以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。”

美光 176 层移动解决方案具有以下优势:

• 更强的性能:美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%,随机读取速度提升 70%,大

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