在多数 TMG 模型中,至少有部分单元是双面辐射的。为了定义反面的辐射,需要在材料属性中定义反面的吸收率。 ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/20190705115117113.png?x-oss-process=image/watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L2h0YmJ6emc=,size_16,color_FFFFFF,t_70)
下面学习关于单元反面的内容:
1. 可以从单元的反面进行辐射;
2. 反面总是优先使用反面的材料属性 (Reverse Sides always overrides the reverse side material properties );
3. 用反面可以对两侧温度独立的情况建模。
如果单元的正反面具有不同的温度,需要用热耦合来定义穿过单元的热交换。
将 Task 转换为 Meshing,对 Mid Plane 划分网格,单元颜色为 ORANGE,其余用默认值:
注意:如果出现 Frozen Node Mismatch 信息,说明有些新节点与老节点重合但各自独立,需要进行一致节点合并操作。
将 Task 转换为 TMG Thermal Analysis。查看新单元的方向:
注意 Mid Plane 左边体积上的单元法线指向 Mid Plane 上面单元的背面。从辐射的角度,在 Mid Plane 左侧的单元并不向 Mid Plane 辐射能量
对 Mid Plane 上面的单元创建反面
单元用 Group - Mid Plane;
设置 Element label increment 为 0,由程序自动编号;
激活 Create as Separate elements;
对发射率 emissivity 指定新值 0.5。
在 Mid Plane 的正反面单元之间创建一个热耦合以表示穿过 Mid Plane 的热传导。
Primary Element 用 Group - Mid Plane
Secondary Elements 用 Reverse
耦合类型 Type 为 Constant coefficient
Coefficient 值: 3333.33 W/(m^2-C)
该系数值由导热率 conductivity :10W/(m-C) 除以厚度 0.003 得到。
注意壳体单元厚度 3 mm,反面单元表示面的另一侧。这里耦合类型不能用 Conductive,因为 Conductive 耦合自动计算单元之间的距离,而正反面的单元共用同一个面,其距离为零。
在 Mid Plane 的正反面单元之间创建热耦合
点击 TMG Study Setup 图标,在随后的表单中设置执行目录,名为 run_rev。然后存盘。
注意:不必修改辐射要求,反面单元自动包含在 All Radiation 中。
求解 - 对于删除未使用的 Group 的警告,点击 Dismiss。
在求解监视窗口中可以检查最大、最小视角因子的和;TMG创建一个组以包含单元反面的辐射;最大、最小温度的值和位置以及有关热平衡的信息。
计算结束,可以读入温度等结果数据,进行后处理。
将 Task 转换为 Post Processing,设置结果为 2-ELEM TEMP。由于正反两面温度相差很小,所以需要修改文本显示格式为 x.xx 才能看出其差异:
显示 Mid Plane 的温度 (正面的温度范围是 63.36~65.21,应该略高于反面面的温度):
显示反面的温度,执行步骤如下:
首先将 Calculation Domain 设置为壳体 Bottom:
然后与前面相同,显示与组 Mid Plane 关联的单元 (可以直接选择 Processed Group):
反面的温度范围是: 63.34~65.18。