实验图解二极管伏安特性曲线和主要参数
晶体二极管主要是由一个PN结构成,因此它应该与PN结具有相同的特性,即具有单向导电性。下面介绍加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系。即二极管的伏安特性及二极管主要参数。
二极管伏安特性曲线
如下图所示为测试二极管伏安特性的原理电路,改变可变电阻的大小,就可以测出不同数值的端电压下流过二极管的电流,从而得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。其中曲线右上方是正向特性,是由下图a所示电路测得,左下方是方向特性,是由下图b所示电路测得。
如下图所示的两条曲线,是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线,曲线可分三部分来说明。
正向特性:当外加正向电压较小时,正向电流很小,二极管呈现出较大的电阻(图中OA段和OA’段);正向电压超过某一数值(UD称为其实电压或死区电压,硅管为0.6到0.8伏,锗管委0.2伏),电流随着电压增加得很快(图中的AB段和A’B’段)。但增加的电流不能超过二极管允许电流,否则二极管会被烧坏。
反向特性:加上方向电压时,只有很小的反向电流,并且它基本上不随电压变化,