长短期记忆网络（LSTM）算法详解

长短期记忆网络（LSTM）算法详解

简介

长短期记忆网络（Long Short-Term Memory, LSTM）是一种特殊的循环神经网络（RNN），旨在解决传统RNN的梯度消失和梯度爆炸问题。LSTM通过引入门控机制，有效地捕捉和利用长时间跨度的依赖关系。LSTM广泛应用于自然语言处理、时间序列预测、语音识别等领域。

LSTM的基本结构

LSTM的基本单元由一个记忆细胞（Cell）、三个门（输入门、遗忘门和输出门）和一个隐藏状态（Hidden State）组成。通过这些门控机制，LSTM能够选择性地记住或忘记信息，从而在长时间跨度上保持信息的流动。

数学公式

对于一个序列输入 ( x = (x_1, x_2, \ldots, x_T) )，LSTM在每个时间步 ( t ) 的计算公式如下：

1. 遗忘门（Forget Gate）：

[ f_t = \sigma(W_f \cdot [h_{t-1}, x_t] + b_f) ]

2. 输入门（Input Gate）：

[ i_t = \sigma(W_i \cdot [h_{t-1}, x_t] + b_i) ]

3. 候选记忆细胞（Candidate Cell State）：

[ \tilde{C}t = \tanh(W_C \cdot [h{t-1}, x_t] + b_C) ]

4. 更新记忆细胞（Update Cell State）：

[ C_t = f_t * C_{t-1} + i_t * \tilde{C}_t ]

5. 输出门（Output Gate）：

[ o_t = \sigma(W_o \cdot [h_{t-1}, x_t] + b_o) ]

6. 隐藏状态（Hidden State）：

[ h_t = o_t * \tanh(C_t) ]

其中：

• ( f_t ) 是遗忘门的输出，控制遗忘多少过去的信息。
• ( i_t ) 是输入门的输出，控制有多少新的信息被写入记忆细胞。
• ( \tilde{C}_t ) 是候选记忆细胞状态，生成新的候选记忆。
• ( C_t ) 是当前时间步的记忆细胞状态。
• ( o_t ) 是输出门的输出，控制记忆细胞状态如何影响当前时间步的隐藏状态。
• ( h_t ) 是当前时间步的隐藏状态。
• ( W_f, W_i, W_C, W_o ) 是权重矩阵，( b_f, b_i, b_C, b_o ) 是偏置项。
• ( \sigma ) 是Sigmoid激活函数&