【FDG6303N-VB】&【ZXM61N02FTA-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析

**ZXM61N02FTA-VB**
- 丝印：VB1240
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 沟道类型：N
  - 最大电压：20V
  - 最大电流：6A
  - RDS(ON)：24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
  - 阈值电压：0.45~1Vth(V)
  - 封装：SOT23

    

**FDG6303N-VB**
- 丝印：VBK3215N
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 沟道类型：2个N
  - 最大电压：20V
  - 最大电流：2A
  - RDS(ON)：150mΩ@4.5V, 170mΩ@2.5V
  - 阈值电压：0.8Vth(V)
  - 封装：SC70-6

**产品比较：**
- **ZXM61N02FTA-VB**
  - 单通道N沟道，最大电流6A，RDS(ON)较低。
  - 阈值电压范围0.45~1V，可适应不同场景需求。

- **FDG6303N-VB**
  - 双通道N沟道，最大电流2A，适用于小功率应用。
  - RDS(ON)较高，适用于对电流要求不高的场景。

**差异性与优劣性：**
- **ZXM61N02FTA-VB**适用于高电流要求场景，阈值电压范围广。
- **FDG6303N-VB**适用于小功率应用，适合对电流要求不高的场合。

**应用简介：**
- **ZXM61N02FTA-VB**可用于电源开关、电机驱动等高电流场景。
- **FDG6303N-VB**适合小功率开关应用，例如传感器控制、小型电路开关。