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DC综合
文章平均质量分 62
hzmscut
这个作者很懒,什么都没留下…
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DC save_upf时,为什么set_voltage的命令不会保存
命令设置的电压信息是设计约束的一部分,不属于 UPF 文件描述的内容。因此,使用save_upf命令时不会将其保存。要保存电压设置,建议将这些信息记录在 SDC 文件中,或使用其他脚本来管理电压设置。原创 2024-08-09 09:59:58 · 429 阅读 · 0 评论 -
DC综合 trip points问题
问题举例。转载 2024-08-01 10:58:38 · 44 阅读 · 0 评论 -
DC综合时set_ideal_network -no_propagate
在Design Compiler (DC) 综合过程中,命令用于指定理想网络(ideal network),这些网络通常不会被综合工具修改。这些网络的延迟和负载被忽略,从而简化了综合过程。原创 2024-07-30 15:23:19 · 486 阅读 · 0 评论 -
DC综合时的High Fanout Nets问题
本文介绍 DC 综合阶段 High-Fanout Nets 可能遇到的相关问题。转载 2024-07-26 14:34:09 · 105 阅读 · 0 评论 -
TSMC常见工艺库中7t/9t track的选择
在TSMC的工艺库中,"7T" 和 "9T" 是指标准单元库的轨道(track)数。轨道数(track count)通常是指每个单元的高度,这个高度决定了布线资源的密度和灵活性。不过,需要注意的是,9T库通常会占用更多的芯片面积,设计成本也会相应增加。因此,选择合适的单元库需要在性能、面积和功耗之间找到平衡。原创 2024-07-25 15:05:03 · 622 阅读 · 0 评论 -
@符号在DC等过滤器表达式中的用途
在TCL脚本中,特别是在使用电子设计自动化(EDA)工具(如Synopsys Design Compiler、Cadence Innovus等)时,符号在过滤器表达式中有特定的用途。原创 2024-06-17 15:56:14 · 673 阅读 · 0 评论 -
PMOS、NMOS、CMOS晶体管
PMOS:低噪声、高阈值电压、低功耗,但速度较慢、导通电阻高。NMOS:速度快、导通电阻低、高驱动能力,但高噪声、可能有较高的静态功耗。PMOS 和 NMOS 各有优缺点,但在 CMOS 技术中,两者互补工作,可以实现高性能、低功耗和高噪声容限的电路设计。这种互补特性使得 CMOS 成为现代集成电路设计的主流技术。原创 2024-06-06 15:17:05 · 858 阅读 · 0 评论 -
mos管构成的逻辑门电路
mos管是构成逻辑门电路的最基本单元。转载 2024-06-05 16:53:07 · 59 阅读 · 0 评论 -
反相器(inverter)和缓冲器(buffer)---附加与非门原理图
下面是对反相器(Inverter)和缓冲器(Buffer)从面积、驱动能力、时序等多个角度的详细对比,列出的是一般情况下的比较,具体情况可能会受到工艺节点、设计库和特定设计要求的影响。缓冲器(Buffer)是数字电路中常见的逻辑门之一,用于增强信号的驱动能力,而不改变信号的逻辑状态。如下图所示的CMOS反相器,由一个NMOS和PMOS组成,栅端gate相连作为输入端Vin,漏端相连作为输出端Vout,NMOS的源端接地,PMOS的源端接电源VDD.与反相器不同,缓冲器的输出与输入保持相同的逻辑状态。原创 2024-05-30 15:53:39 · 2475 阅读 · 0 评论 -
DC综合时set_wire_load_mode
在 DC 综合(Design Compiler synthesis)中,命令用于指定如何考虑互连线的负载。不同的选项影响综合工具在评估信号传播延迟和路径时的处理方式。理解这些选项的作用有助于选择合适的模式,从而在性能和设计复杂性之间取得平衡。原创 2024-05-29 16:08:02 · 682 阅读 · 0 评论