长江存储推出全新3D NAND架构，半导体市场再起波澜

长江存储自成为NAND闪存职业的新晋者以来，也自称为我国存储器产业开展的要点厂商之一以来，长江存储的研发进程一向备受厂商重视。而近日，长江存储终于不负众望，迎来了该领域的重大突破。8月6日，长江存储发布一项突破性技能——Xtacking™。
该技能能够为3D NAND闪存带来史无前例的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

详细而言，选用长江存储Xtacking™技能，NAND的输入输出速度有望与DRAM DDR4的I/O速度一较高下；此外，与传统的3D NAND架构比较，该技能还能够经过将外围电路置于存储单元之上，然后完成更高的存储密度；与此一起，Xtacking™技能还充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，大幅缩短3D NAND产品的上市时刻。

长江存储表明，现在已成功将Xtacking™技能使用于其第二代3D NAND产品的开发，该产品估计于2019年进入量产阶段。

而就在该技能发布的前两天（即8月4日），紫光集团联席总裁刁石京泄漏，我国首批具有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于本年第四季度完成量产。而64层3D NAND闪存芯片也计划于2019年量产。

由此看来，此次长江存储发布的Xtacking™或许将在2019年的64层3D NAND闪存芯片中得到使用。这一使用，标志着我国的闪存技术又迈向了新的高峰。