COMS模拟集成工艺下:
电阻R<几M欧姆
1.Nwell(或N+)做电阻,在衬底上作,高频导线有电感,瞬时低于p衬底电压会软击穿。
2.poly上加氮化物减小方块电阻。
3.在高频下用提高反馈电阻Rf来增大增益是没什么效果的,因为此时load端有寄生电容分流。
电容C<10pF (uf有时也可考虑吧?)
电容有很多做法,ex.金属+poly
Cgs和Cgd在 0.13um工艺下为fF(e-15);
电感L<10nF
Q=WL/R=10~15 ;一般尽量避免电感,因为面积大,成本高,坐在最上面一层,因为厚。
ro >> 1/gm >> 1/gmb
100k(nk~1M) 1K