超宽输入电压范围降压和降压—升压双模式控制器LM5118及其应用设计

  　摘要：LM5118是一种降压和降压—升压双工作模式开关稳压控制器，其输入电压既可以低于也可以高于输出电压，在两种工作模式之间可以实现平滑转换，它尤其适合于在汽车电子系统中应用。

　　关键词：LM5118；降压；降压—升压；原理；设计

　　1、概述

　　LM5118是美国国家半导体公司（NS）近期推出的一种高压开关控制器IC，它仅需要非常少量的外部元件，就可以构建降压（Buck）或降压—升压（Buck-Boost）开关稳压器拓扑。LM5118输入电压范围达3~75V，开关频率从50KHz到500KHz可编程。LM5118内含高端降压 MOSFET和低端升压MOSFET驱动器，能够提供2A的峰值电流。LM5118利用仿真电流斜坡采用峰值电流模式控制，提供增强的线路前馈和逐周电流限制，并且易于进行环路补偿。振荡器同步脚允许多个ML5118自动同步或同步到外部时钟上，故障保护功能除了电流限制外，还包含热关闭和遥控关闭能力。

　　2、LM55118引脚功能及其工作原理

　　2.1  引脚功能

　　LM5118采用TSSOP-20EP封装，引脚排列如图1所示。附表列示了LM5118各个引脚的功能。

　　2.2  工作原理

　　LM5118的内部结构及其应用电路如图2所示。

　　LM5118含有一个双模式高压线性稳压器，以为PWM控制器和MOSFET栅极驱动器提供Vcc偏置电源。VIN输入脚可以直接连接到高达75V的输入电压上。如果VIN<10V，内部低压差开关将会使Vcc直接与VIN相连接，并且Vcc≈VIN。当VIN >10V时，内部低电压降落开关失能，而Vcc稳压器赋能，使Vcc保持在7V。利用双模式稳压器，输入电压范围在不低于5V的启动电压上可以达 3~75V。

　　当Vcc脚上的电压超过其欠电压门限3.7V，并且UVLO脚上的电压超过1.23V，栅极驱动器输出则使能，软启动时序则开始。一旦Vcc脚上电压低于3.5V，或者UVLO脚上的电压低于1.13V，栅极驱动器输出则被禁止。

为减小IC的功率耗散，可以在IC的VCCX脚施加一个辅助电源电压。当输出电压为4~15V时，VCCX脚可以直接连接到VOUT端。在VCCX脚上的电压高于3.85V时，Vcc稳压器截止，内部开关将VCCX和Vcc连接在一起，以减小内部的功耗。

　　LM5118含有使能功能，只要引脚EN上的电压高于3V，IC将进入正常操作；当EN脚上的电压低于0.5V时，IC则进入关闭状态，仅消耗不到10A的电流。

　　ML5118在Buck或Buck-Boost双模式下工作。

　　当VIN>VOUT时，ML5118工作在Buck模式。在该工作模式，Buck开关Q1导通，Boost开关Q2截止。当Q1导通时，电感（L1）电流沿向上的斜坡线性增加，并与VIN-VOUT成正比。当Q1关断时，二极管D1导通，电感电流斜降。一阶Buck模式传输函数为 VOUT/VIN=D，其中D为Q1的占空比。在Buck模式，开关占空比低于75%。图3所示为Buck模式的基本操作。

　　当VIN接近VOUT时，LM5118将逐渐过渡到Buck-Boost模式。在该工作模式的每个开关周期内，Q1与Q2是同时导通的，如图4所示。当Q1与Q2导通时，电感电流斜升，与VIN成正比。在Q1和Q2关断时，D1导通，电感电流斜降。一阶Buck-Boost传输函数为VOUT/VIN=D/（1- D），其中D为Q1和Q2的占空因数。

　　在VOUT=12V的情况下，当VIN降至约15V时，Q1占空比达到75%，Q2开始操作，并且带一个很小的占空比。随VIN进一步减小，Q1占空比减小，Q2占空比增加，直到VIN降至13.2V时为止。随VIN继续降低，LM5118将从 Buck模式平滑过渡到Buck-Boost模式。图5示出了开关占空因数随VIN降低的变化。

　　3、应用电路主要元件的选取

　　设图2所示的开关稳压器电路的技术要求为：

　　输出电压VOUT=12V；

　　输入电压VIN=5~75V；

　　开关频率f=300KHz；

　　最大输出电流IOUT=3A。

　　据此让我们来确定LM5118外部主要元件的选取。

　　（1）振荡器电阻R3值的确定

　　IC③脚上的接地电阻R3设置振荡器开关频率f，R3值可按下式计算：

        （1）
　　（2）电感器L1的选择

　　L1值在Buck和Buck-Boost模式的计算公式分别为：
      （2）
    　　式中，IRip为电感器峰-峰值纹波电流，选取IRip=1.2A；VIN（max）=75V，VIN（min）=5V，VOUT=12V，因此可得：
 
 
　　选取L1=10μH。根据式（2）和式（3）可得：IRip(Buck)=3.36A，IRip(Buck-Boost)=1.17A。

　　设L1电感值容差为20%，在两种模式下的峰值电感电流分别为：
     （4）
   　　因此，L1应选择10μH，饱和电流至少为15A。

　　（3）电流传感电阻RS的选取

　　IC○12脚与脚○13之间的电阻RS为电流传感电阻，其电阻值分别为：
     （6）
    
　　选取RS=15 mΩ

　　（4）斜坡电容C3的选择

　　IC⑤脚上的电容C3值决定仿真斜坡电路控制信号斜率，其电容值为：
      （8）
　　C3选取330pF的标准电容值。

　　（5）软启动电容C4值的选取

　　C4值决定软启动时间tss，计算公式为：
       （9）
　　在此选取tss=12ms，C4容值可选择0.1μF。

（6）R5与R6的选择

　　R5与R6组成的分压器设置输出电压电平。由于IC反馈输入端（FB脚）上的门限电平是1.23V，于是下列关系成立：
     （10）
　　若选取R6=309Ω，根据式（10）可得：R5=2.7kΩ。

　　（7）R1、R2和C12的选择

　　IC②脚上连接的R1和R2设置最低工作电压VIN（UVLO）。在VIN（min）=5V情况下，VIN（UVLO）=4V。R1与R2存在下面关系：
    （11）
　　式中，R1≥1000VIN（max）≥75(kΩ)。若选取R1=75kΩ，根据式（11）得：R2=22.332kΩ。R2可选取29.4 kΩ的标准值。

　　在“打嗝”电流限制期间的关断时间可表示为：
     （12）
　　式中toff随VIN而变化。若选取VIN=12V，toff=956μs，根据式（12）可以选择C12=0.1μF。

　　（8）二极管D1和D2的选择

　　D1应有尽可能低的正向压降，其反向击穿电压应大于VIN（max）（即75V），额定电流应大于IOUT（即3A）。因此，D1可选择100V、10A的肖特基二极管。

　　升压二极管D1的额定电压应高于VOUT（即12V），额定电流应不低于IOUT（即3A），D1可以选择MBRD1035型肖特基二极管。

　　（9）Q1和Q2的选择

　　根据D1和D2的选取原则，Q1和Q2可以选择Si7148型MOSFET。

　　（10）输出与输入电容器的选择

　　在Buck-Boost模式，最大占空比为：
 
　　总输出电容为：
     （13）
　　式中，VOUT为输出电压纹波，取ΔVOUT=50mV。根据式（13）得：COUT≥141μF。
输出电容ESR（max）=ΔVOUT/IPK=50mV/13.34A=3.8mΩ。

因此，C9可选择两个低ESR的47F陶瓷电容相并联，C10可选用两个180μF的电解电容相并联。

　　输入电容器的有效值（RMS）额定电流取决于工作模式，计算公式分别如下：
       （14）
  　　在VIN=75V下，最大占空比D=50%，于是可得：

　　IRMS(Buck)=1.5A

　　IRMS(Buck-Boost)=4.7A

　　输入电容C1和C2应能处理4.7A的纹波电流，C1和C2分别可选用2个2.2μF、100V的陶瓷电容器相并联。

　　4、结束语

　　NS公司近期推出的超宽输入电压（3~75V）的LM5118，采用TSSOP-20封装。LM5118在Buck或Buck-Boost双模式操作，当输入电压低于或高于其输出电压时，能实现工作模式的平滑转换，保持对输出电压的调节。它尤其适合于在汽车电子系统中应用。