《炬丰科技-半导体工艺》 单片摆动喷嘴湿法蚀刻技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：单片摆动喷嘴湿法蚀刻技术
编号：JFKJ-21-1182
作者：华林科纳

引言
本研究首次建立了适用于非中心摆动喷嘴的清洗刻蚀旋转计算模型，用于评估旋转晶片上HF水溶液对二氧化硅薄膜的刻蚀速率。通过与不同喷嘴摆动宽度下的测量结果进行比较，验证了该模型。

实验
图1显示了本次研究中使用的单晶片湿法蚀刻机。这种蚀刻机有一个直径200毫米的晶片，在一个圆柱形容器中以100-1400转/分的速度旋转。HF水溶液(3%)从垂直于晶片表面的4毫米直径喷嘴以1升/分钟的流速向下注射1分钟。如图1所示，这个喷嘴从-R位置摆动到+R位置。注射后，HF水溶液沿着旋转的晶片表面从注射位置输送到晶片边缘，然后最终从晶片边缘溅射到外部。

因为本研究中使用的HF浓度非常低，所以在晶片表面引起的反应热非常低。我们忽略了反应热引起的温度变化。这项研究中使用的硅片具有100纳米厚的二氧化硅薄膜，是通过氧化形成的。在蚀刻之前和之后，使用椭圆仪测量二氧化硅膜的厚度，以便从差异获得蚀刻速率。实验获得的蚀刻速率是温度和HF及相关离子(如[H+]和[HF2-])浓度的函数。

结果和讨论
为了验证化学反应模型，在使用中心喷嘴评估蚀刻速率行为之后，详细研究了摆动喷嘴的运动。首先，当用于注射HF水溶液的喷嘴设置在旋转晶片的中心时，评估蚀刻速率行为，通过测量和计算获得的二氧化硅蚀刻速率的平均值分别由图3中的黑圈和实线示出。每个值都被评估为晶片表面上蚀刻速率的平均值。

在100转/分的低转速下测量的平均蚀刻速率为18纳米/分钟；在高于500转/分钟时，接近20纳米/分钟。测量的特征行