《炬丰科技-半导体工艺》兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模
编号：JFKJ-21-785
作者：炬丰科技

摘要
由TOK、JSR、陶氏化学等公司生产的新一代负色调和化学放大的正色调光阻剂在先进的包装应用中获得了发展势头。随着铜柱和微凸起的采用，树脂的厚度要求正在增加到40-100µm的范围。为了形成柱子，抵抗面罩必须更厚以包含整个凸结构。Akrion系统的工程师开发了一种新型的、单晶片的、厚的PR条工艺，目的是降低先进包装工艺流程中这一步骤的拥有成本（氧化亚钴）。使用有机溶剂加上独特的超气体能力，与传统工艺相比，该工艺减少了40%或更多的工艺时间和相关的化学消耗。

背景
负音阻的一个已知缺点是，高度交联电阻掩模的溶剂带时间比典型的正音阻要长得多。注意到，在他们的实验中使用的两种正抗蚀剂带时间为5分钟，而AZ-100nXT负色调抗蚀剂使用AZ400T的抗蚀剂带时间为50分钟。其他主要负阻剥离供应商的数据表上也记录了长剥离时间或特殊的剥离要求。类似的问题也出现在化学放大的正音调抵抗中，与非化学放大的正抵抗相比。基于这些厚抗蚀剂去除的挑战，已经开发了各种方法，以降低执行这一过程所需的成本、时间和化学消耗。阿克里星系统的工程师开发了一种完全的单晶圆工艺，在这种工艺中，溶剂和光刻胶的反应速率通过热量和专有形式的巨气搅拌来增加反应速率。

实验
两步法已经成为去除高达60µm厚的抗蚀性的最有效的方法。在第一步中，使用在60-80℃和低晶圆旋转速度下的溶剂暴露时间来开始膨胀和溶解厚厚的光刻胶层。接下来是第二个溶剂暴露步骤，使用侵略性的正面巨气能量来促进聚合物链在整个光致抗蚀剂层的断裂。在这一步骤之后，去离子水冲洗和旋转干燥步骤足以完全去除溶剂、溶解的光致抗蚀剂和任何聚合物残留物。该工艺可以根据所使用的抗蚀剂厚度和溶剂剥离化学方法对时间和