LDO扩流电路
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先说图中设计有误的地方。C1取100UF,会导致输出过冲,R1取10Ω,C1充电电流主要经过三级管eb,则Ie成β倍流过。如果负载不能迅速消耗掉这些电流,则电压过冲。
C1的位置可以调到R1的前面,或者去掉。C1换成0.33uF的电容。
原理:Io = Ioxx + Ic,
Ioxx = IREG – IQ ( IQ 为7805的静态工作电流,通常为4-8mA),
IREG = IR + Ib = IR + Ic/β (β 为TIP32C的电流放大倍数),
IR = VBE/R1 ( VBE 为 TIP32的基极导通电压)
所以 Ioxx = IREG – IQ = IR + Ib – IQ = VBE/R1 + IC/β- IQ
由于IQ很小,可略去,则: Ioxx = VBE/R1 + IC/β,查TIP32C手册,VBE = 1.2V, 其β 可取10.
Ioxx = 1.2/R + Ic/β = 1.2/22 + Ic/10 = 0.0545 + Ic/10 (此处取主贴图中的22 OHM )
Ic = 10 * (Ioxx – 0.0545 )
假设Ioxx = 100mA, Ic = 10 * ( 100 - 0.0545 * 1000 ) = 455(mA)
则Io = Ioxx + Ic = 100 + 455 = 555 mA.
再假设Ioxx = 200A, Ic = 10 * ( 200 – 0.0545 * 1000 ) = 1955mA
Io = Ioxx + Ic = 200 + 1955 = 2155mA
R的计算:此三极管的Io=Veb/R+Ib+β* Ib
比如设计2A电流,1.5A归三极管,0.5a归7805。则1.5/β,可得Ib,然后0.5-Ib得到Veb/R,从而得到R。