LDO扩流电路

先说图中设计有误的地方。C1取100UF，会导致输出过冲，R1取10Ω，C1充电电流主要经过三级管eb，则Ie成β倍流过。如果负载不能迅速消耗掉这些电流，则电压过冲。
C1的位置可以调到R1的前面，或者去掉。C1换成0.33uF的电容。
原理：Io = Ioxx + Ic，
　　　Ioxx = IREG – IQ ( IQ 为7805的静态工作电流,通常为4-8mA)，
　　　IREG = IR + Ib = IR + Ic/β (β 为TIP32C的电流放大倍数)，
　　　IR = VBE/R1 ( VBE 为 TIP32的基极导通电压)
　　　所以 Ioxx = IREG – IQ = IR + Ib – IQ = VBE/R1 + IC/β- IQ
　　　由于IQ很小,可略去,则: Ioxx = VBE/R1 + IC/β,查TIP32C手册,VBE = 1.2V, 其β 可取10.
　　　Ioxx = 1.2/R + Ic/β = 1.2/22 + Ic/10 = 0.0545 + Ic/10 (此处取主贴图中的22 OHM )
　　　Ic = 10 * (Ioxx – 0.0545 )
　　　假设Ioxx = 100mA, Ic = 10 * ( 100 - 0.0545 * 1000 ) = 455(mA)
　　　则Io = Ioxx + Ic = 100 + 455 = 555 mA.
　　　再假设Ioxx = 200A, Ic = 10 * ( 200 – 0.0545 * 1000 ) = 1955mA
　　　Io = Ioxx + Ic = 200 + 1955 = 2155mA
　　　R的计算：此三极管的Io=Veb/R+Ib+β* Ib
　　　比如设计2A电流，1.5A归三极管，0.5a归7805。则1.5/β，可得Ib，然后0.5-Ib得到Veb/R,从而得到R。