合成喷流的CFD分析

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半导体技术的进步迫使工程师们寻找更创新和有效的方法，以增加功率密度来冷却半导体器件。

射流冲击是冷却热电子设备最有效的解决方案之一，因为它可以在冲击表面上产生非常高的传热速率。

使用空气喷射冲击来去除散热器或电子元件上的热量已被应用于许多应用。

在过去的二十年里，对单个或多个连续射流下的流动和传热特性的实验和数值研究一直是一个非常动态的研究领域。

近年来，合成射流得到了广泛的研究，并将其特性与连续射流进行了比较。

合成射流的主要优点是它没有净质量通量，这消除了管道的需要，并在冲击表面产生独特的传热效应，稳定或脉冲吸力或吹气是不可能的。

然而，合成射流的形成和流动模型以及撞击表面上的传热模型是快速准确预测合成射流性能的最大挑战。

合成射流通常是通过一个小开口来回流动而形成的。它通常是由隔膜/活塞运动引起的孔口周期性喷射和吸入液体而产生的。

一个合成射流致动器如图1所示。

致动器由一个振荡活塞组成，该活塞位于空腔内，并诱导周期性的流体流经一个角度孔。在其向上运动时，活塞迫使空气以非常大的动量通过孔口喷射出来。

高动量移动的空气形成一个射流，它携带周围的空气向上移动，并诱导二次流动。

在其向下运动的过程中，活塞将低动量的流体从周围环境吸回腔内。由于其独特的特点，在运行周期内空腔内的气质量没有净变化。

因此，一种合成的喷流也被称为零网络质量通量（ZNMF）喷流。图2显示了一个单一的合成空气喷流的形成。

由于隔膜/活塞的时间周期性运动，一个合成的射流形成并消散到周围的流体中。强、小尺度、湍流射流及其诱导的二次流的形成和演化呈现出难以建模的周期性特征。

本文讨论了一些研究人员对合成射流的CFD建模和分析，并介绍了他们在建模和模拟中所使用的特殊处理方法。

用于电子冷却的合成射流基混合散热器的流动和热特性。他们提出的混合散热器如图3所示。在散热器中，产生一个合成射流，并与通过散热器的传统交叉流相互作用。

合成射流是由具有振荡振动膜的腔引起的。膜片的振荡运动将通过一个小孔的脉动空气射流注入到通过散热器的主气流中。高速空气喷射在周围的空气中产生一对反向旋转的涡，并与加热的壁碰撞。

使用商业计算流体动力学软件（流畅的™）进行了二维数值模拟。使用网格生成工具gambit™来生成计算域内的网格（见图4）。

为了捕捉射流形成和流动分离的复杂细节，孔口附近的网格密度被细化为轴向有14个网格单元，横向有20个网格单元。

在空腔壁和隔膜上应用绝热条件，而加热器表面保持在360 K的等温温度。散热器流通道的（左）入口被视为已知的恒速边界，而（右）流出口被视为压力边界。假设空气是不可压缩的，入口温度为300 K。

使用剪切-应力-输运（SST）k-ω湍流模型来处理由合成射流引起的广泛流量变化。

隔膜的初始位置是在空腔的底部。提出了一种结合动态分层技术的特殊用户定义函数（UDF），并结合流畅的™求解器来描述周期性的膜片运动。

数值算法采用流畅™中隐式求解公式的分离解方法，对密度、动量、压力、动能、比耗散率和能量采用二阶离散格式。压力-速度耦合采用了压力隐含的操作符分裂（PISO）方案。

首先通过模拟结果验证了他们的建模方法。他们的结果相当接近，并对模型进行了验证。

然后，他们模拟了他们在不同的配置下提出的混合散热器。模型设置为：孔板宽度do = 50 μm，孔板长度ho = 50 μm，通道高度H = 500 μm，通道长度D = 2250 μm，加热器长度L = 750 μm，腔宽直流= 750 μm，腔高高度hc = 500 μm。

图5显示了有和没有交叉流动的混合散热器的模拟结果。在模拟中，A为膜片最大位移振幅值，f为膜片频率，Vi为散热器入口的交叉流速。

图5(a)显示了合成射流涡旋的形成及其在没有交叉流的加热顶壁上的撞击。

图5(b)显示了主流交叉流与合成射流的相互作用。随着交叉流的存在，合成射流仍然表现出其所有的基本特性。

合成射流周期性地中断交叉流，并破坏撞击表面正在发育的热边界层和水动力边界层。当射流撞击发生时，这种相互作用在加热表面产生陡峭的速度和温度梯度。这种脉动流动机制改善了混合散热器的热特性。

研究发现，散热器通道中射流与交叉流的相互作用在加热壁上产生了优异的热特性，提高了散热器的热性能。

通过数值和实验研究了合成射流离开孔口后的发展和发散。图6显示了他们使用的合成射流模型。

在此研究中，孔长度(L)与孔直径(D)比（L/D）为5.0，孔出口内径增加了0.44mm45度倒角。

使用商用计算流体力学软件FloEFD™进行了数值模拟。采用k-ω湍流模型模拟气流内的湍流。

近壁模型是基于所谓的修正壁函数方法。该模型被用于描述管壁附近的层流和湍流流动，并描述从层流到湍流的过渡，反之亦然。

图7显示了用于分析射流流的基本网格。计算网格处处为矩形，基本网格包含约747,000个单元格。

图8显示了一个2.2 mm孔板和膜片频率为50 Hz的脉冲周期的8个均匀间隔时间点下在跨流平面上的流动轨迹的模拟结果。

图8A显示了喷射行程开始时的流动轨迹，在孔口下游约130 mm处仍可见之前的漩涡。图8B显示了左侧涡旋形成的开始情况。孔口速度约为56.6 m/s。由前一个脉冲产生的涡旋已不再清晰可见。

图8C显示了喷射脉冲峰值幅度处的流动轨迹，其中孔流速度为80 m/s。漩涡在离孔口出口17毫米处很明显。图8D显示了孔流速度降低到56.6 m/s。

参考涡流速度为6.8 m/s。图8E位于喷射脉冲和吸入脉冲之间的中点。孔流速度为0 m/s。随着涡旋能量随环境空气的摩擦作用而减少，涡旋对的两半表现出差异。

在图8F中，吸入速度在非常接近喷射孔时变得非常明显。孔面附近的空气以相对负x轴方向被吸入，而远离孔面更远处的空气以正x轴方向移动。

在这两种作用之间，实际上在孔出口下游约5 mm处有一个停滞。在图8G中，正y涡的一半明显大于负y涡的一半。负x轴空气速度在峰值80 m/s。停滞点已从喷射孔面移动至8 mm。

图6H显示了负y涡旋的坍缩和耗散。孔流速度为-56.6m/s，停滞为8.0 mm。在下一个时间步长中，速度再次下降到0 m/s，下一个弹射阶段开始。

为了验证他们的模拟，Remsburg等人建立了一个使用热线风速计测量射流轴上风速的测试。

然后，他们将其测量结果与模拟结果进行了比较。仿真结果与实验结果的比较如图9所示，结果吻合良好。

研究工作表明，使用商业软件可以很好地模拟合成射流。使用了流畅的™软件和剪切-应力-传输（SST）k-ω湍流模型。Remsburg等人使用了FloEFD™和标准。

k-ω湍流模型。两者都对近壁区域的壁功能进行了特殊处理。

建议认真的读者直接检查这些研究论文，以了解其建模方法的更多细节。

两个研究团队的模拟都能够捕捉到合成喷流的初始形成、演化和耗散，这也得到了其他研究和实验结果的验证。