TEC在三维集成电路热管理中的应用

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近年来，垂直芯片集成技术的出现，使得3D芯片克服了传统集成电路中出现的互连过程中的延迟、带宽限制和功耗等问题。

通过叠加芯片，集成电路的空间大大减少；此外，使用垂直通孔也大大缩短了互连接线的长度。

从热的角度来看，3D堆叠芯片带来了与2D包装不同的挑战。例如，由于芯片固有的体系结构和可用的空间，三维集成电路的散热是高度不均匀和多向的。

当在亚环境温度下冷却是必要的，就像未来应用的情况一样，3D芯片的小足迹成为部署冷却解决方案的障碍。

此外，精确的温度控制变得困难，因为要控制的表面可能被深埋在3D堆栈中。

针对对三维集成电路的冷却关注，本文综述了使用TECs将三维集成电路冷却到亚环境温度的方法。

多维传热系统（MHTS）

潘和阿戈纳弗提出了一种解决三维集成电路中热问题的新方法

其想法是利用芯片周围的垂直空间和PCB上的可用空间来冷却3D芯片。

在其最简单的形式中（图1），它是由一个立方体的中心核心组成，作为一个扩展的鳍，由5个热电模块冷却。中心铁芯由导热材料（铜、碳石墨、铝）制成。每个TEC模块都有一个散热器。

为了测试这种冷却方法的有效性，我们将其与两种传统方法进行了比较：不含TEC的散热器和不含一个TEC模块的散热器（图2）。

对于第一种情况，空气流量在0.0086和0.0127 m3/s之间变化。在第二种情况下，气流速率在0.009到0.017 m3/s之间变化，到TEC的功率输入在5到95 W的范围内。

这两种情况被用作用MHTS获得的结果的基准（第三种情况）。对于所有测试的案例，使用相同的加热器和散热器尺寸，以强调房地产的限制。

所有三个案例都在图3所示的气流室中进行了测试。热电偶被插入散热器底座以及模拟处理器（芯片）的加热器中。记录了每个气流速率的芯片温度。环境温度和相对湿度分别为20 oC和50%。

测试结果

对于第一个测试案例（仅限散热器），芯片温度范围从34.5℃到32.5℃，如图4所示。可以进一步降低芯片温度，但代价是超过允许的噪声极限。在这种情况下，不可能进行亚环境冷却。

第二种情况下，在芯片和散热器之间夹有一个TEC模块，产生的结果如图5所示。芯片的温度比之前的情况下要高，最低温度为52.5℃，气流为0.0168 m3/s，输入功率为35 W。

这是由于散热器无法冷却处理器和TEC，因为主板上的散热器的空间受到限制。这种情况说明，使用TECs并不是很有益的；如果一个散热器能够容纳由TEC产生的额外功率，TEC就会产生不良影响。

第三种情况（MHTS）产生了所需的结果（图6）。在一定的TEC输入功率范围内测试的所有气流速率下，芯片温度都低于环境温度。在气流为0.0104 m3/s和90 W的输入功率下，芯片温度为13℃。

带有嵌入式TECs的3D IC

最近，IBM研究人员提出了TEC层[2]的3D堆栈。这种解决方案采用硅热通道（TSVs），为TEC（102c）供电，并将内部热量从TEC的热侧传导到散热器（图7）。

tsv中充满了高导热性金属。耦合层(132 a和b）将TEC与上下芯片连接起来。这些层是由具有良好导热性的介电材料制成的，如CVD金刚石或碳化硅（碳化硅）。

这种芯片结构允许在特定的感兴趣的区域（热点）中达到非常低的内部温度。然而，在实际实现中，这样的解决方案必须与外部芯片表面的足够的冷却相结合，因为产生的热量将超过常规3D IC产生的热量。

结论

提出了两种基于TEC的三维集成电路冷却方法。研究表明，亚环境芯片温度可以达到不超过分配给PCB的热量。

然而，有一些观察结果值得注意。对于MHTS方法，测试并没有使用实际的风扇或鼓风机进行；相反，假设所需的任何气流速率都是可用的。

事实上，情况可能并非如此。此外，该解决方案涉及多个TECs和散热器，这可能会在实际实现中带来可靠性问题。

对于内部构建TEC层的3D IC，芯片结构变得复杂，难以制造。此外，外部芯片表面必须有足够的冷却，因为产生的热量将超过常规3D IC产生的热量。