TEC控制器芯片 ADN8835 中文数据手册

最新推荐文章于 2025-02-08 16:46:22 发布

虚空之月&&轮舞者

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分类专栏：中文数据手册——其他类型芯片文章标签：单片机嵌入式硬件 arm开发

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背景知识：

TEC是一个利用塞贝克效应来加热和制冷的半导体P-N结器件。当在TEC两端加直流偏置电流时，TEC的一端就会加热，而另一端就要制冷。发热的一端通常被称为“热端”，制冷的一端被称为“冷端”。如果把TEC两端的偏置电流反向，则热端变为冷端，冷端变为热端。TEC转移的热量与通过TEC的电流有关。电流越大，转移的热量越多，但并非简单的线性关系。因此，目标物体的温度可以通过调节流过TEC两端电流的大小和方向来控制。

注意：TEC和TEC控制器不是一个东西

特征

高效单电感架构
集成低等效电阻（RDSON）用于TEC控制器
TEC电压和电流运行监测
不需要外部感应电阻器
独立的TEC加热和冷却电流限制设置
可编程最大TEC电压
2.0 MHz（典型）PWM驱动器开关频率
外部同步
集成两个零偏移、轨对轨斩波放大器
兼容NTC或RTD热传感器（NTC温度传感器是一种热敏电阻、探头，其原理为：电阻值随着温度上升而迅速下降。其通常由2或3种金属氧化物组成, 混合在类似流体的粘土中，并在高温炉内锻烧成致密的烧结陶瓷。实际尺寸十分灵活，它们可小至0.010英寸或很小的直径。最大尺寸几乎没有限制，但通常适用半英寸以下。RTD（电阻温度探测器）是一种传感器，其电阻随温度的变化而变化。其电阻随传感器温度升高而增大。电阻与温度的关系是众所周知的，并且可随着时间的推移而重复。RTD 是一种无源设备。它不会单独产生输出。可使用外部电子设备来测量传感器电阻，方法是使小电流通过传感器，以产生电压。通常是 1 mA 或更低的测量电流，最大 5 mA，没有自热风险。）
2.50 V参考输出，精度为1%
温度锁定指示器
36引脚，6毫米×6毫米LFCSP封装

应用场景

TEC温度控制、光学模块、光纤放大器、光网络系统、需要TEC温度控制的仪器

概述

ADN8835是一款高集成度的单芯片TEC控制器。它包括线性电压调节模块（power stage）、脉冲宽度调制(PWM) 电压调节模块和两个零漂移、轨到轨斩波放大器。线性控制器和PWM驱动器用于控制H桥配置中的内部功率MOSFET。通过测量热传感器反馈电压，并使用集成的运算放大器作为比例-积分-微分(PID)补偿器来调理信号，ADN8835通过TEC驱动电流，将连接至TEC模块的激光二极管或无源组件的温度稳定到编程的目标温度。

ADN8835支持负温度系数(NTC)热敏电阻以及正温度系数(PTC)电阻温度检测器(RTD)。目标温度采用模拟电压的形式设置，其可来源于数模转换器(DAC)或外部电阻分压器。

ADN8835温度控制环路利用内置零漂移斩波放大器通过PID补偿方式实现稳定。内部2.50 V基准电压具备1%的精确输出能力，提供热敏电阻温度检测电桥和分压器网络偏置，从而在加热和冷却模式下对最大TEC电流和电压限值进行编程。它利用零漂移斩波放大器，通过自主模拟温度控制环路可维持出色的长期温度稳定性。

原理

ADN8835是一款单芯片TEC控制器，用于设置和稳定TEC温度。施加到ADN8835输入端的电压对应于TEC所连接目标物体的温度设定点。ADN8835控制内部FET H桥，从而通过TEC馈送电流的方向，可以是正的（用于冷却模式），将热量从TEC所连接物体中泵出，或者是负的（用于加热模式）将热量泵入TEC所连接物体。

温度通过附着在目标物体上的温度传感器测量，感测到的温度（电压）反馈给ADN8835，以完成TEC的闭合热控制回路。为了获得最佳的整体稳定性，请将热传感器连接到TEC附近。在大多数激光二极管模块中，TEC和NTC热敏电阻已经集成在同一封装中，以调节激光二极管的温度。

TEC以H桥配置的方式差分驱动。为了提供良好的功率效率和过零质量，H桥只有一侧使用PWM驱动器。只需要一个电感和一个电容就可以滤除开关频率。H桥的另一侧使用线性输出，而不需要任何附加电路。这种专业配置允许ADN8835提供>90%的效率。对于大多数应用，1μH电感器、10μF电容器和2.0 MHz的开关频率保证了TEC即便在最坏情况下的输出电压纹波仍低于1%以下。

通过使用VLIM/SD和ILIM引脚来设置TEC两端的最大电压和流过TEC的最大电流。最大冷却和加热电流可以独立设置，即允许不对称的加热和冷却限制。有关更多详细信息，请参阅“最大TEC电压限制”部分和“最大TEC电流限制”部分。

模拟PID控制

ADN8835集成了两个自校正、自动调零放大器（斩波器1和斩波器2）。斩波器1放大器接收温度传感器输入，并转换或调节为线性电压输出。OUT1电压与物体温度成比例。OUT1电压送至补偿放大器（斩波器2），并与温度设定点电压进行比较，从而产生与差值成比例的误差电压。对于自主模拟温度控制（模拟PID），斩波器2可以实现如图26所示的PID网络，以配置热回路的整体稳定性和响应。调整PID网络可优化TEC控制回路的阶跃响应。调整过程即为在稳定时间和最大电流振铃之间折中的过程。要调整补偿网络，请参阅PID补偿放大器（斩波器2）一节。

数字PID控制

ADN8835也可以配置为在软件控制的PID回路（数字PID）中使用。在这种情况下，斩波器1可以不使用，也可以配置为放大器，用于放大输入的热敏电阻测量温度（电压信号）。斩波器1的输出引脚可端接ADC，用于采集放大后的温度值（电压信号）。有关更多信息，请参阅热敏电阻放大器（斩波器1）一节。如果斩波器1未使用，将IN1N和IN1P连接到AGND。

斩波器2放大器用作外部DAC的缓冲器，用于控制温度设定点。将DAC连接到IN2P，并将IN2N和OUT2引脚短接在一起。有关如何为数字PID控制配置ADN8835外部电路的概述，请参见图27。

控制器供电

在PVINS引脚和PVINL引脚上施加2.7V至5.5V的电压即可使ADN8835正常工作。VDD引脚是驱动器和内部参考的输入电源。PVINS和PVINL输入电源引脚分别用于PWM驱动器电压调节模块和线性驱动器电压调节模块。向所有电源输入引脚施加相同的输入电压。在某些情况下，可以在PVINS/PVINL和VDD引脚之间添加RC低通滤波器，以防止高频噪声进入VDD，如图27所示。电容器和电阻器的值通常分别为10Ω和0.1μF。

当配置ADN8835的电源时，请记住，在高电流负载下，输入电压可能会由于前端电源与PVINS和PVINL引脚之间的导线上的电压降而显著下降。在设计前端电源时留有适当的电压裕度，以保持性能。缩短电源到PVINS和PVINL引脚的走线长度，以减轻电压降。

启用和关闭

要启用ADN8835，向EN/SY引脚施加逻辑高电压并且在VLIM/SD引脚上的电压高于最大关闭阈值（0.07V）。如果EN/SY引脚电压设置为逻辑低或VLIM/SD电压低于0.07V，则控制器进入超低电流状态。停机模式下的电流通常为350μA。大部分电流由VREF电路块消耗，即使设备被禁用或关闭，该电路块也始终接通。当外部同步时钟信号施加到EN/SY引脚，并且VLIM/SD输入处的电压高于0.07V时，也可以启用该设备。表6显示了启用ADN8835所需的两个输入信号的组合。

1 No effect意味着该信号在关闭或启用设备时没有影响。

振荡器时钟频率

ADN8835具有一个内部振荡器，可为PWM输出电压调节模块生成2.0 MHz的开关频率。当EN/SY引脚处的启用电压被设置为高于2.1 V的逻辑电平并且VLIM/SD引脚电压大于关断阈值（0.07V）时，该振荡器激活。

外部时钟

ADN8835的PWM开关频率可以与外部时钟同步，从1.85 MHz到3.25 MHz，应用于EN/SY输入引脚，如图28所示。

连接多个ADN8835芯片

通过将外部时钟源连接到每个从设备的EN/SY引脚，可以从单个主时钟信号驱动多个ADN8835设备。如图29所示，通过使ADN8835设备彼此异相180°，在其中一个EN/SY引脚上放置一个反相器，可以大大降低输入纹波。

温度锁定指示器

当温度误差放大器输出电压VOUT1达到IN2P温度设定点（TEMPSET）电压时，TMPGD引脚输出逻辑高。TMPGD引脚的检测范围在1.46 V和1.54 V之间的VOUT1和迟滞。TMPGD功能允许直接连接到微控制器或监控电路。

上电软启动

ADN8835有一个内部软启动电路，该电路产生一个典型的150毫秒斜坡，以最大限度地减少通电期间的涌入电流。TEC上的稳定时间和最终电压取决于电压回路的控制电压所需的TEC电压。TEC电压越高，需要增加的时间就越长。

当ADN8835首次通电时，线性侧会对任何预偏置电压的输出进行放电。一旦消除了预检，软启动循环就开始了。在软启动周期期间，PWM和线性输出都跟踪内部软启动斜坡，直到它们达到中标度，其中控制电压VC等于偏置电压VB。从中标度电压开始，PWM和线性输出由VC控制并且彼此分散，直到在TEC上产生所需的差分电压或者差分电压达到电压极限。TEC两端产生的电压取决于当时的控制点。图30显示了冷却模式下的软启动配置文件示例。注意，LDR（Output of the Linear TEC Controller，线性TEC控制器输出）和SFB（Feedback of the PWM TEC Controller Output，PWM TEC控制器输出的反馈）电压都随着软启动斜坡而增加并接近VB，斜坡变慢是为了避免在TEC电压开始增加的点处出现可能的电流过冲。

TEC 电压/电流监测

TEC实时电压和电流监测分别在VTEC和ITEC引脚。

电压检测

VTEC是一个模拟电压输出引脚，其电压与TEC两端的实际电压成比例。VTEC电压为1.25V时对应于TEC两端电压为0V。使用以下等式转换VTEC处的电压和TEC两端的电压：

VVTEC=1.25 V+0.25×（VLDR−VSFB）

电流检测

ITEC是一个模拟电压输出引脚，其电压与通过TEC的实际电流成比例。ITEC电压为1.25V时，对应于通过TEC的电流为0A。使用以下公式转换ITEC的电压和通过TEC的电流：

VITEC冷却=1.25 V+ILDR×RCS

其中电流感测增益（RCS）为0.285V/A。

VITEC加热=1.25 V−ILDR×RCS

最大TEC电压限制

通过在VLIM/SD引脚处施加分压器来设置最大TEC电压限制，以保护TEC。电压限制器双向运行，允许冷却极限与加热极限不同。

使用电阻分压器设置TEC电压限制

使用电阻分压器设置单独的电压限制。当ADN8835在加热方向上驱动TEC时，连接到VLIM/SD的内部电流吸收电路汲取电流，从而降低VLIM/SD处的电压。当TEC在冷却方向上被驱动时，电流吸收器不使能；因此TEC加热电压限制总是低于冷却电压限制。

使用以下方程式计算冷却和加热极限：

最大TEC电流限制

为了保护TEC，通过在ILIM引脚上施加电压组合来设置冷却和加热方向上的最大TEC电流限制。

使用电阻分压器设置TEC电流限制

当ADN8835在冷却方向上驱动TEC时，连接到ILIM的内部电流吸收电路会汲取40μA的电流，从而允许高冷却电流。使用以下公式计算最大TEC电流：

VILIMH不得超过1.2 V，VILIMC必须超过1.3 V，以便在加热和冷却模式之间留出适当的裕度。

应用信息

信号流

ADN8835集成了两个自动调零放大器，即斩波器1和斩波器2。这两个放大器都可以用作独立的放大器；因此，温度控制的实施方式可以变化。图33显示了通过ADN8835的信号流，以及使用斩波器1和斩波器2的温度控制回路的典型实现。

在图33中，斩波器1和斩波器2分别配置为热敏电阻输入放大器和PID补偿放大器。热敏电阻输入放大器放大热敏电阻电压，然后输出到PID补偿放大器。PID补偿放大器在频域上补偿环路响应。

OUT2处的补偿回路的输出被馈送到线性MOSFET栅极驱动器。LDR处的电压与OUT2一起被馈送到PWM MOSFET栅极驱动器中。包括内部晶体管在内，差分输出部分的增益固定在5。有关输出驱动器的详细信息，请参阅MOSFET驱动器放大器部分。

热敏电阻设置

热敏电阻与温度具有非线性关系；通过与热敏电阻串联放置的补偿电阻器RX的适当值，可以在指定的温度范围内实现接近最佳的线性。

首先，必须知道热敏电阻的电阻，其中

TLOW和THIGH是温度范围的端点，TMID是平均值。在某些情况下，在只有β常数可用的情况下，使用以下方程计算RTH：

热敏电阻放大器（斩波器1）

斩波器1放大器可用作热敏电阻输入放大器。在图33中，输出电压是热敏电阻温度的函数。OUT1处的电压表示为：

VOUT1在25°C时以VVREF/2为中心。在5°C至45°C的范围内，平均温度电压系数为−25 mV/°C。

PID补偿放大器（斩波器2）

使用斩波器2放大器作为PID补偿放大器。OUT1处的电压输入PID补偿放大器。PID补偿放大器的频率响应由补偿网络决定。在IN2P处施加温度设定电压。在图39中，使用以下等式计算OUT2处的电压：

用户设置精确的补偿网络。该网络从简单的积分器到比例积分（PI）、PID或任何其他类型的网络。用户还确定补偿类型和元件值，因为它们取决于物体和TEC的热响应。根据经验确定这些值的一种方法是向IN2P输入阶跃函数（从而改变目标温度），并调整补偿网络以最小化TEC温度的稳定时间。

用于激光模块温度控制的典型补偿网络是PID回路，该PID回路由非常低频的极点和较高频率下的两个独立零点组成。图35显示了一个用于实现PID补偿的简单网络。为了降低控制环路对噪声的敏感度，在比零点频率更高的频率上增加了一个额外的极点。对数幅频特性图如图36所示。使用以下公式计算前馈放大器的单位增益的频率：

其中TECGAIN是TEC模块的符号增益。

TECGAIN对PID回路的数学设计至关重要。然而，TEC模块的热时间常数通常是未指定的，这使得很难表征TECGAIN以及反馈传递函数。在这种情况下，PID回路可以凭经验通过逐步调整组件来确定。有关环路稳定的文献很多，本数据手册未描述优化补偿网络相关的方法。

VOUT1 是一个便于衡量系统热不稳定性的指标，也称为 TEMPOUT。如果热环路处于稳定状态，则 TEMPOUT 电压等于 TEMPSET 电压，这意味着受控对象的温度等于目标温度。

MOSFET 驱动放大器

ADN8835有两个独立的MOSFET驱动器：一个开关输出或PWM放大器，以及一个高增益线性放大器。每个放大器都有一对输出，用于驱动内部MOSFET的栅极，进而驱动TEC，如图33所示。通过SFB和LDR引脚监测TEC两端的电压。尽管两个MOSFET驱动器都实现了相同的结果，但为了提供恒定的电压和高电流，它们的操作是不同的。两个输出的准确表达式为：

输入放大器接收的热敏电阻电压和补偿网络接收的温度设定电压，确定OUT2的电压。VLDR 和 VSFB 的下限为 0 V，上限为 VVDD。图 37、图 38 和图 39 显示了这些方程式的图形。

PWM 输出滤波器要求

III 型补偿器对 PWM 放大器进行内部补偿。由于补偿器的极点和零点是通过假设输出 LC的谐振频率为 50 kHz 来设计和确定的，因此电感和电容的选择必须遵循这一准则，以确保系统的稳定性。

电感选择

电感器的选择决定了电感器的电流纹波和环路动态响应。电感值越大，电流纹波越小，瞬态响应越慢。为了优化性能，必须在瞬态响应速度、效率和元件尺寸之间进行权衡。用下式计算电感值：

通常建议使用 1 μH 的电感器，以便合理选择输出电容器，同时保持较低的电感器电流纹波。如果需要更低的电感值，建议电感值最小为 0.68 μH，以确保电流纹波设置在最大负载电流的 30% 至 40% 之间。

除电感器值外，金属导体固有的等效直流电阻（DCR）也是选择电感器的关键因素。DCR 占电感器功率损耗的大部分，即 DCR × IOUT2。使用高 DCR 的电感器会显著降低整体效率。此外，由于 DCR 的存在，电感器上还会产生导通压降。当 PWM 放大器在冷却模式下吸收电流时，该电压会使放大器的最低电压高于 0.06 × VPVIN，至少高出十分之一毫伏。同样，PWM 放大器的最大输出电压也低于 0.93 × VPVIN。

这一电压降与 DCR 值成正比，并减小了 TEC 的输出电压范围。

选择电感器时，应确保饱和电流额定值高于最大电流峰值，以防止饱和。一般来说，陶瓷多层电感器因体积小、DCR 低而适用于低电流应用。当噪声水平要求较高时，可使用屏蔽铁氧体电感器来降低电磁干扰（EMI）。

电容选择

输出电容器的选择决定 PWM 放大器输出的输出电压纹波、瞬态响应以及环路动态响应。使用下式选择电容器：

请注意，电流纹波、ΔIL 和电容器等效串联电阻 (ESR) 的乘积所产生的电压加起来也是总输出电压纹波。选择等效串联电阻（ESR）较低的电容可以提高整体调节性能和效率。

输入电容选取

在 PVIN 引脚上，放大器需要一个输入电容器来去耦噪声，并提供瞬态电流以保持稳定的输入和输出电压。额定电压为 10 V 的 10 μF 陶瓷电容器是推荐的最小值。增大电容值可减少耦合到电源中的开关纹波，但会增大电容尺寸。由于 PWM 放大器输入端的电流是不连续的，因此最好使用有效串联电感 (ESL) 较低的电容器，以减少电压尖峰。

在大多数应用中，去耦电容与输入电容并联使用。去耦电容通常是 ESR 和 ESL 很低的 100 nF 陶瓷电容，在高频段具有更好的噪声抑制能力。

功耗

本节提供了计算 ADN8835 功率耗散的指南。通过以下方法估算器件的总功率耗散

PWM稳压器功耗

PWM 功率电压调节模块配置为降压稳压器，其主要功耗 (PPWM) 包括功率开关传导损耗 (PCOND)、开关损耗 (PSW) 和转换损耗 (PTRAN)。在应用热极限的高输出电流下，其他功率耗散源通常不太重要，可以近似忽略。

使用下式估算降压稳压器的功率损耗：

传导损耗（PCOND）

电感器传导损耗 (PCOND_L) 、功率开关传导损耗 (PCOND_S)

开关损耗（PSW）

开关损耗与控制器以开关频率开启和关闭功率器件所消耗的电流有关。每次打开或关闭功率器件栅极时，控制器都会将电荷从输入电源转移到栅极，然后再从栅极转移到地。使用下式估算开关损耗：

对于 ADN8835，CGATE_HS + CGATE_LS的总和约为1nF。

传输损耗（PTRAN）

由于高压侧 MOSFET 无法瞬间开启或关闭，因此会产生转换损耗。在开关节点转换期间，MOSFET 提供所有电感电流。MOSFET 的源极至漏极电压是输入电压的一半，从而导致功率损耗。过渡损耗随负载和输入电压的增加而增加，每个开关周期发生两次。使用下式估算过渡损耗：

线性稳压器功耗

在 ADN8835 中，线性稳压器的输出电压通常与地或 VIN 连接。这种情况下的主要功率耗散来自 FET 的传导损耗，因此功率耗散很低。当负载较轻且线性稳压器必须工作在线性区域时，功耗可通过下式计算：

接地电流造成的功耗通常很小，在计算中可以忽略不计。

热设计

为确保 ADN8835 即使在高负载条件下也能在低于最高结温的温度下工作，必须注意降低器件的 θJA 值。增强散热的典型技术包括在印刷电路板 (PCB) 上使用更大的铜层和通孔，以及添加散热器。

ADN8835 LFCSP 封装底部有一个大型裸露焊盘 (EPAD)，必须焊接到电路板上的模拟接地平面。器件的大部分热量都通过 EPAD 散发。因此，必须优化与 EPAD 连接的铜层及其上的通孔，以有效传导热量。建议至少使用 6 × 6 通孔阵列，并将其均匀分布在 EPAD 上。一般来说，在有限的区域内，增加通孔数量比增加通孔直径更有效。

PCB布局指南

原理图和信号流图

ADN8835 在单个 IC 中集成了模拟信号调节块、负载保护块和 TEC 控制器功率模块。为了尽可能实现最佳的电路性能，必须注意防止功率模块的噪声污染易受敏感的模拟调节和保护电路。此外，功率模块的布局必须尽量减少红外损耗，以获得最佳电气效率。

ADN8835 的系统框图如图 40 所示。

降低噪音和减少功率损耗的指导原则

由于特定设计的机械方面的物理限制，每个 PCB 布局都是独一无二的。此外，还有其他一些电路与 TEC 控制器协同工作；这些电路都有自己的布局要求。因此，在特定的系统中必须做出一些妥协。不过，在 PCB 布局过程中，为了最大限度地减少噪声和功耗，请遵守以下指导原则。

一般 PCB 布局指南

开关噪声会干扰系统中的其他信号；因此，开关信号线必须远离功率模块，以尽量减小影响。如果可能，应在小信号层和功率模块层之间放置接地板作为屏蔽。

布线上的电源压降也是一个重要的考虑因素，因为它决定了TEC控制器在大电流时的电压裕度。例如，如果前端系统的电源电压为 3.3 V，而走线上的压降为 0.5 V，则 PVIN 的电压只有2.8V，这就限制了线性稳压器的最大电压以及TEC上的最大电压。为了减少布线上的电压浪费和阻抗互连，应将ADN8835和输入去耦元件放置在靠近电源电压端子的位置。这样放置不仅能提高系统效率，还能在输出端提供更好的稳压性能。

为防止噪声信号通过接地板循环，应将所有敏感模拟信号参考至AGND，并仅使用单点连接将AGND连接至PGNDS。这种连接可确保功率模块的开关电流不会流入敏感的 AGND 节点。

PWM 功率模块布局指南

PWM 功率级由一对 MOSFET 组成，形成开关模式输出，通过 LC 滤波器将电流从 PVINS 切换到负载。PVINS 引脚上的纹波电压是由 PWM 侧 MOSFET 开关的不连续电流造成的。这种快速开关会在 PVINS 输入端形成电压纹波，必须使用旁路电容器对其进行滤波。尽可能在 PVINS 引脚附近放置一个 10 μF 的电容器，将 PVINS 连接到 PGNDS。

由于 10 μF 电容器有时比较笨重，而且具有较高的 ESR 和 ESL，因此通常使用 100 nF 去耦电容器与之并联，放置在 PVINS 和 PGNDS 之间。

由于去耦电容是脉冲电流环路的一部分，而脉冲电流环路会传输高 di/dt 信号，因此电容走线必须短而宽，以尽量减少寄生电感。因此，该电容通常与 ADN8835 放在电路板的同一侧，以确保短连接。如果布局要求 10 μF 电容器位于 PCB 的另一侧，则应使用多个过孔以减小过孔阻抗。

SW 节点周围的布局也很重要，因为它在 PVINS 和地之间快速切换，这使得该节点成为一个强大的 EMI 源。连接 SW 节点和电感器的铜面积要小，以尽量减少 SW 节点和其他信号线之间的寄生电容。较小的铜面积有助于最大限度地减少因电荷注入过多而在 SW 节点上产生的噪声。不过，在大电流应用中，可以合理增加铜面积，以提供散热和维持大电流。

将 LC 滤波器中电容器的接地端尽可能靠近 PGNDS，以尽量减少返回路径中的 ESL。