光耦

最为大家所熟知的隔离器件,有变压器、光耦、电容、继电器等。其中,光耦是最为常见的。

一、光耦的内部原理。

如上图所示,光耦是由一个LED和一个光敏三极管组成。当LED发亮时,光敏三极管也导通(基极不引出)。

二、光耦的工作条件。

以TLP521例。参考手册,可以得知其推荐的工作条件。如下图所示。

其中IF是指LED的工作电流,IC是光敏三极管的集电极电流,VCC是光敏三极管的电源电压。

24V / 1500R = 16mA , 5V / 5000R = 1mA,IF和IC满足推荐的工作条件。

三、光耦的传输速率。

由上图所示,在VCC=5V,RL=1.9K,IF=16mA时,TLP521的传输速率=2us+15us+25us=42us=23.8KHz。

也就是说,光耦的传输速率取决到工作条件和负载。需要参考图表。

虽然可以由图表得知光耦的传输速率,但是推荐用信号发生器和示波器测出来,这样能观察到波形是否正常。

四、光耦的隔离参数。

由上图所示,LED和光敏三极管之间存在寄生电容,在Vs=0,f=1MHz测得为0.8pF,Vs为LED和光敏三极管之间的电压,f为LED的通断频率。

在湿度低于60%时,Vs=500V,LED和光敏三极管之间的隔离电阻为10的11次方欧姆。

隔离电压:交流有效值为2500V能隔离1分钟。

五、光耦的封装。

由上图所示,TLP521宽度为6.4mm,此宽度能决定电气间隙和爬电距离,一般来说,越宽越好。

六、光耦的PCB走线。

如上图所示,光耦底部不走线,不铺铜,这样可以达到最佳的隔离效果。

七、光耦的保护。

如上图所示,LED的反向击穿电压VR=5V。

如上图所示,在LED两端并联一个TVS管,既可以防止负压过来,导致LED反向击穿,又可以防止高压进来,导致正向电流过大。但是在高速传输时,需要考虑TVS管的结电容。

八、电流传输比。

电流传输比也叫CTR,在一定的工作条件下,CTR是常数,那么光耦工作在线性区,否则是非线性区。

线性光耦较贵,可用于带隔离的反馈回路,比如:开关电源等。

九、其它问题。

1、假如光耦两侧共用一个电源,是否起到隔离作用?

只起到IO口隔离,但是电源没有隔离。也就是说隔离的作用变得非常小,此用法适用于电平转换。

2、推荐个高速光耦。

6N136、6N137能达到1MBit/s。

3、推荐个宽体封装的电耦。

TLP385,宽8mm,隔离电压达到5000V的交流有限值。

 

<think>嗯,用户现在问的是如何测量光耦中三极管侧的电流。首先,我需要回忆一下光耦的基本结构。光耦一般由输入侧的发光二极管和输出侧的光敏三极管组成,它们之间过光信号进行电气隔离。用户之前的问题里提到了光耦输入侧的电阻计算,现在他们想知道输出侧三极管的电流测量方法。 首先,我得确定用户的需求是什么。他们可能是在设计电路时需要确保光耦正常工作,或者是在调试过程中遇到了问题,需要测量输出电流是否符合预期。根据之前的引用内容,用户已经计算了输入侧的电阻,现在可能是在实际搭建电路时需要验证输出侧的参数。 接下来,我需要考虑光耦输出侧的工作原理。光耦的输出侧常是光敏三极管,其电流由输入侧的发光二极管控制。当输入电流IF流过发光二极管时,产生的光使得输出侧的三极管,产生集电极电流IC。这个IC的大小与IF有关,常用电流传输比(CTR)来表示,即CTR = IC / IF。所以,测量三极管侧的电流其实就是测量IC。 测量IC的方法常有两种:直接串联电流表和使用电压降法。直接测量需要在电路中串联电流表,这会中断电路,可能不太方便,尤其是在高频或紧凑的PCB布局中。而电压降法则是过测量已知电阻上的电压来计算电流,这种方法不需要断开电路,更实用。 不过用户提到的是光耦三极管侧的电流,可能需要注意输出侧的工作模式。光敏三极管常有两种接法:集电极输出和发射极输出。集电极输出时,负载电阻接在集电极和电源之间;发射极输出时,负载电阻接在发射极和地之间。不同的接法会影响测量的位置和方式。 另外,用户之前的问题中引用了输入侧的计算,涉及到了最大电流和推荐电阻值,可能需要提醒用户注意输出侧的负载电阻选择,以确保光耦工作在合适的区域,避免损坏器件。同时,CTR的衰减也是一个问题,尤其是长时间使用或高温环境下,CTR可能会下降,影响测量结果。 还要考虑到测量时的电路状态,比如光耦是否处于开关状态还是线性区域。在开关应用中,IC可能只有和截止两种状态,而在线性应用中,IC会随IF变化。测量时需要根据应用场景选择合适的测量方法,比如示波器捕捉瞬态电流或万用表测量稳态电流。 用户可能还需要知道如何选择合适的测量设备,比如数字万用表的电流档是否足够,或者是否需要使用更精密的仪器。此外,安全措施也很重要,比如避免过高的电压或电流光耦损坏,尤其是在测试过程中。 最后,可能需要给出具体的步骤,例如如何连接电路、如何设置测试设备、如何计算电流值,以及常见的注意事项,比如接触电阻的影响、测量误差的来源等。同时,结合之前的引用内容,用户已经计算了输入侧的电阻,可能需要将输出侧的测量与输入侧的参数联系起来,比如过CTR来估算预期的IC范围,从而验证电路设计的正确性。</think>### 如何测量光耦中三极管侧的电流? --- #### **一、测量原理** 光耦的输出侧(三极管侧)电流(常指集电极电流$I_C$或发射极电流$I_E$)由以下因素决定: 1. **电流传输比(CTR)**: $$ CTR = \frac{I_C}{I_F} \quad (I_F为输入侧二极管电流) $$ 例如,若CTR=50%,当$I_F=10\text{mA}$时,$I_C=5\text{mA}$[^1]。 2. **负载电阻**: 输出侧电流受负载电阻$R_L$限制,计算公式为: - 集电极输出模式: $$ I_C = \frac{V_{CC} - V_{CE(sat)}}{R_L} \quad (V_{CE(sat)}为三极管饱和压降,常0.1-0.5V) $$ - 发射极输出模式: $$ I_E = \frac{V_{OUT}}{R_L} \quad (V_{OUT}为发射极对地电压) $$ --- #### **二、测量方法** ##### **方法1:直接串联电流表** 1. **步骤**: - 断开光耦输出侧电路,将电流表(万用表电流档)串联在集电极或发射极回路中。 - 确保输入侧施加额定电流(如$I_F=10\text{mA}$),测量输出侧电流$I_C$。 2. **注意事项**: - 电流表内阻需远小于负载电阻$R_L$,否则会显著影响测量结果。 - 若测量动态电流(如开关状态),需使用示波器搭配电流探头[^2]。 ##### **方法2:电压降法(推荐)** 1. **步骤**: - 在输出侧串联已知阻值的采样电阻$R_S$(例如$10\Omega$)。 - 测量$R_S$两端电压$V_S$,计算电流: $$ I_C = \frac{V_S}{R_S} $$ - **示例**:若$R_S=100\Omega$,测得$V_S=0.5V$,则$I_C=5\text{mA}$。 2. **优势**: - 无需断开电路,适合在线测量。 - 高频场景下可过示波器观测瞬态电流波形。 --- #### **三、典型电路与测量配置** ##### **1. 集电极输出模式** ```text Vcc │ R_L(负载电阻) │ C(集电极)─┐ │ 光耦输出侧 │ │ E(发射极)─┴─GND ``` - **测量点**:在$R_L$与集电极之间串联采样电阻$R_S$(如图1)。 ##### **2. 发射极输出模式** ```text Vcc │ C(集电极)─┐ │ 光耦输出侧 │ │ E(发射极)─┬─R_L(负载电阻) │ ┴─GND ``` - **测量点**:直接测量$R_L$两端电压$V_{RL}$,计算$I_E = V_{RL}/R_L$。 --- #### **四、关键注意事项** 1. **CTR的衰减**: - 光耦长期使用后CTR可能下降(尤其高温环境),需定期校准测量电路[^1]。 2. **负载电阻选择**: - 确保$R_L$满足: $$ R_L \leq \frac{V_{CC} - V_{CE(sat)}}{I_C} $$ 例如,若$V_{CC}=5V$,$V_{CE(sat)}=0.2V$,要求$I_C=10mA$,则$R_L \leq 480\Omega$。 3. **避免饱和失真**: - 若光耦输出侧三极管未进入饱和区($V_{CE} > V_{CE(sat)}$),电流可能受$I_F$和CTR限制而非$R_L$。 --- #### **五、实验验证示例** 1. **输入侧设置**: - $V_{IN}=5V$,$R_{IN}=380\Omega$(根据[^1]计算),则$I_F=(5-1.2)/380 \approx 10\text{mA}$。 2. **输出侧测量**: - 若CTR=50%,理论$I_C=5\text{mA}$。 - 实际测量$R_S=100\Omega$两端电压$V_S=0.5V$,验证$I_C=5\text{mA}$。 --- ### 相关问题 1. 如何过CTR参数优化光耦的传输效率? 2. 光耦输出侧饱和压降$V_{CE(sat)}$对开关电路有何影响? 3. 在高频应用中,如何减少光耦输出侧电流测量的误差? : 光耦输入输出侧电阻计算示例。 [^2]: 动态电流测量需考虑示波器带宽与探头精度。
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