1.电容
主要有旁路,去耦电容,滤波和储能。
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旁路电容:使输入电压均匀化,减少对后级的影响,储能对电压进行补偿。一般根据谐振频率0.1uF,0.01uF.
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去耦电容:滤除干扰信号,针对输出信号。一般比较大10uF或更大。
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滤波:大电容滤低频,小电容滤高频。储能:收集电荷
电容应用:耐压值,防止反接。
2 三极管
三极管分为:PNP型和NPN型。
NPN型处于放大状态:发射结正偏,集电结反偏。截止状态:发射结反偏或两端电压为零。饱和状态:发射结和集电结均正偏。三级管的放大系数一般取30~80。
特性曲线:
3 场效应管
参考网址:http://www.elecfans.com/yuanqijian/mosfet/20170327500967.html
N沟道增强型特点。
G:栅极,S:漏极,D:源极。当》VGS(th)(开启电压)时才会出现漏极电流。
- 可变电阻区 :当比较小时,随的变化而变化。
- 恒流区:不随变化,只随增大而增大。
- 截至区:小于1.5V,=0,场效应管不导通。
- 击穿区:当增大到一定值时,被击穿。
各种场效应管曲线
三极管:电流型控制器件,输入阻抗不高,噪声高,反应速度比较快。
场效应管:电压型器件,输入阻抗高,噪声小,缺点速度慢。