系列文章目录
一、电容
1.旁路电容
1、输入电压均匀化,减小噪声对后级的影响
2、进行储能,当外界信号变化过快,及时进行电压补偿。
2.去耦电容
1、针对于输出信号,滤除干扰信号
2、去耦电容一般较大,为10uF或更大,旁路电容一般根据谐振频率选取,为0.1uF或0.01uF。
3.滤波和储能
滤波:滤除杂波,大电容率滤低频率,小电容滤高频。
储能作用:收集电荷
4.应用
注意耐压值和防止短接
二、晶体三极管
1.概述
由半导体组成具有三个电极的半导体,是一种利用输入电流控制输出电压的电流控制型器件。
放大状态:发射结正偏,集电结反偏
如下图所示,IC电流大小受IB控制。
饱和状态:发射结和集电结都正偏
饱和状态IC电流不受IB控制,两者都比较大
截至状态:发射结反偏,或者两端电压为0
如下图所示,VC为0,三极管截至状态
三极管的伏安特性曲线如下
2.主要参数
共发射极电流放大系数:
集电极最大允许电流
集电极最大允许耗散功率
集电极—发射极间反向击穿电压
下图为S9013的主要参数
三、场效应管
1.概述
是一种电压控电流器件,具有栅极、源极和漏极三个电极
以IRFP260NPbF为例:
场效应管的伏安特性曲线如下图所示:
IRFP260NPbF的伏安特性曲线如下所示:
截至区:电压小于开启电压,MOS管不导通
可变电阻区:VDS很小,电流随Vgs的增加而增大
恒流区:Vgs不变,Vds增大电流变化很小
击穿区:VDs过大,这种情况下,MOS管容易烧坏
三极管和场效应管区别
三极管 | 场效应管 |
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电流控制器件 | 电压控制器件 |
输入阻抗不高 | 输入阻抗高 |
噪声高 | 噪声小 |
速度快 | 速度慢 |