模拟电子技术-场效应三极管及其放大电路

一、金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管

场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小,重量轻,耗电省,寿命长等特点,而且还有输人阻抗高、噪声低﹑抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。

• FET：只有一种载流子
• MOSFET：结为肖特基势垒栅结
• JFET：结为PN结

1-1 N沟道增强型MOSFET

（1）结构及电路符号
它以一块掺杂浓度较低、电阻率较高的Р型硅半导体薄片作为衬底,利用扩散的方法在Р型硅中形成两个高掺杂的$N^{+}$区。然后在Р型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层,并在二氧化硅的表面及$N^{+}$区的表面上分别安置三个铝电极–—栅极g、源极s和漏极d,就成了N沟道增强型MOS管。

（2）工作原理

• $v_{GS}=0$,没有导电沟道
• $v_{GS}\ge V_{TN}$,出现导电沟道
  $▶$这种在$v_{GS}=0$时没有导电沟道,而必须依靠栅源电压的作用,才形成感生沟道的FET称为增强型FET。短画线反映此特点。
  $▶$一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压$v_{GS}$称为开启电压$V_{TN}$
  $▶$出现了感生沟道,原来被Р型衬底隔开的两个$N^{+}$区就被感生沟道连通,此时若有漏源电压$v_{DS}$，将有漏极电流$i_D$产生。
• 预夹断的临界条件为$v_{GD}=v_{GS}-v_{DS}=V_{TN}$或$v_{DS}=v_{GS}-V_{TN}$。它也是可变电阻区与饱和区的分界点,常称为临界点。
  （3）I-V特性曲线及特性方程
• 输出特性及特性方程
  $▶$MOSFET 的输出特性是指在栅源电压$v_{GS}$一定的情况下,漏极电流$i_D$与漏源电压$v_{DS}$之间的关系,即$$i_D=f(v_{DS}){|}_{v_{GS}=常数}$$
  
  $▶$截止区：$v_{GS}<V_{TN}$，导电沟道尚未形成，$i_D=0$，为截止状态。
  $▶$可变电阻区：$v_{GS}>V_{TN}$且$v_{DS}\le v_{GS}-V_{TN}$
  $$i_D=K_n[2(v_{GS}-V_{TN})v_{DS}-v_{DS}^2]$$
  在特性原点附近，可以忽略$v_{DS}^2$,$$i_D=2K_n(v_{GS}-V_{TN})v_{DS}$$
  $▶$饱和区：$v_{GS}\ge V_{TN}$且$v_{DS}\ge v_{GS}-V_{TN}$
  $$i_D=K_n(v_{GS}-V_{TN}{)}^2$$
• 转移特性
  
  $注意跨导g_m的计算$

1-2 N沟道耗尽型MOSFET(非考点)

（1）结构和工作原理

• 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，,能在源区($N^{+}$层)和漏区($N^{+}$层)的中间Р型衬底上感应出较多的负电荷（电子），形成N沟道,将源区和漏区连通起来,在栅源电压为零时,在正的$v_{DS}$作用下,也有较大的漏极电流$i_D$由漏极流向源极。
• 当$v_{GS}>0$时,由于绝缘层的存在,并不会产生栅极电流i, ,而是在沟道中感应出更多的负电荷,使沟道变宽。在同样的$v_{DS}$作用下,$i_D$将具有更大的数值。
• 当vcs为负电压到达某值时,以致感应的负电荷(电子)消失,耗尽区扩展到整个沟道,沟道完全被夹断。这时即使有漏源电压$v_{DS}$,也不会有漏极电流$i_D$。此时的栅源电压称为夹断电压(截止电压)$V_{PN}$。
  （2）I-V特性曲线及特性方程
  
  $$i_D\approx I_{DSS}(1-\frac{v_{GS}}{V_{PN}})$$

1-3 P沟道MOSFET(非考点)

• $v_{GS}、V_{TP}、i_D$等都是负值。
• Р沟道增强型MOS管沟道产生的条件为$$v_{GS}\le V_{TP}$$
• 可变电阻区与饱和区的界线为$$v_{DS}=v_{GS}-V_{TP}$$
• 可变电阻区：$$i_D=-K_p[2(v_{GS}-V_{TP})v_{DS}-v_{DS}^2]$$
• 饱和区：$$i_D=-K_p(v_{GS}-V_{TP}{)}^2$$

1-4 沟道长度调制效应

$$i_D=K_n(v_{GS}-V_{TN}{)}^2（1+\lambda v_{DS}）$$
$当不考虑沟道长度调制效应时，\lambda =0，r_{ds}\to \infty$（计算输出电阻时会用到）

1-5 MOSFET的主要参数

（1）直流参数

• 开启电压$V_{TN}$:增强型MOS管的参数
• 夹断电压$V_{PN}$:耗尽型FET参数
• 饱和漏极电流$I_{DSS}$:耗尽型FET参数
• 直流输入电阻$R_{GS}$：在漏源之间短路的条件下,栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻$R_{GS}$。
  （2）$交流参数$
• 输出电阻$r_{ds}$
• 低频互导$g_m$
  （3）极限参数
• 最大漏极电流$I_{DM}$
• 最大耗散功率$P_{DM}$
• 最大漏源电压$V_{DS}$
• 最大栅源电压$V_{GS}$
  

二、MOSFET基本共源极放大电路

（1）静态

• 画出放大电路的直流通路,标出各电流、电压
  
• 计算静态工作点参数
  $▶$漏极电流$$i_D=K_n(v_{GS}-V_{TN}{)}^2$$
  $▶$漏源电压$$V_{DSQ}=V_{DD}-I_{DQ}{R}_d$$
  $▶$ 如计算出来的$v_{DSQ}>v_{GSQ}-V_{TN}$,则说明NMOS管的确工作在饱和区。 如计算出来的$v_{DSQ}<v_{GSQ}-V_{TN}$,则说明NMOS管的确工作在可变电阻区。

(2)画交流通路的原则是:

• 对交流信号,电路中内阻很小的直流电压源(如$V_{DD}$、$V_{GG}$)可视为短路,内阻很大的电流源或恒流源可视为开路;
• 对一定频率范围内的交流信号,容量较大的电容可视为短路。

三、图解分析法(定性分析)

放大电路的图解分析法和小信号模型分析法可按下列情况进行处理:
(1）用图解法(或计算法)确定静态工作点Q;
(2）当输人信号电压幅度较小,或基本上在特性曲线线性范围内工作,特别是放大电路比较复杂时,可用小信号等效电路来分析;
(3）当输入信号电压幅度较大,MOSFET的工作点可能延伸到器件特性曲线的非线性部分时,就需要用图解法。如要求分析放大电路输出电压的最大不失真幅值,用图解法就比较直观方便。

例4.3.1很详细。如下：
已知电路和场效应管的输出特性分别如图4.3.7a和图4.3.8所示。电路参数为$R_{g1}=160k\Omega 、R_{g1}=40k\Omega 、R_d=10k\Omega 、R_L=40k\Omega 、V_{DD}=10V$①试用图解法作出直流负载线,确定静态工作点Q;②作出交流负载线;③当$v_i=0.4sin\omega tV$时,求出相应的$v_o$和电压增益。

解:
（1）直流通路与交流通路：如上图a、b所示。
（2）图解法确定静态工作点Q。$v_{DS}=V_{GSQ}-i_D{R}_d=10-10i_D$
（3）作交流负载线
（4）当$v_i=0.4sin\omega tV$时,求出相应的$v_o$和电压增益。

$四、小信号模型分析法$

小信号模型中的电流源$g_m{v}_{gs}$是受$v_{gs}$控制的,当$v_{gs}=0$时,电流源$g_m{v}_{gs}$就不存在了,因此称其为受控电流源,它代表FET的栅源电压$v_{gs}$对漏极电流的控制作用。电流源的流向由$v_{gs}$的正向决定,如图所示。另外,小信号模型中所研究的电压,电流都是变化量,因此,不能用小信号模型来求静态工作点Q,但其参数大小与Q点位置有关。

例：电路如图4.4.3所示,设$V_{DD}=5V,R_d=3.9k\Omega ,R_{g1}=60k\Omega ,R_{g2}=40k\Omega$。场效应管的参数为$V_{TN}=1V,K_n=0.8mA/V^2,\lambda =0.02V^{-1}$。当MOS管工作于饱和区,试确定电路的静态值、小信号电压增益$A_v$和$R_i、R_o$。
解：
（1）求静态值
$$V_{GS}=V_{GSQ}=\frac{R_{g2}{V}_{DD}}{R_{g1}+R_{g2}}=\frac{40}{40+60}\times 5V=2V$$
$$I_{DQ}\approx K_n(v_{GS}-V_{TN}{)}^2=0.8\times (2-1{)}^{2}mA=0.8mA$$
$$V_{DSQ}=V_{DD}-I_{DQ}{R}_d=(5-0.8\times 3.9)V=1.88V$$
（2）求FET的互导和输出电阻
$$g_m=2K_n(v_{GS}-V_{TN})=2\times 0.8\times (2-1)mS=1.6mS(注意单位)$$
$$r_{ds}=[\lambda K_n(v_{GS}-V_{TN}){]}^{-1}$$
（3）画出电路的小信号等效电路

（4）求电压增益
$$v_o=-g_m{v}_{gs}(r_{ds}//R_d)$$
$$A_v=\frac{v_o}{v_i}=-g_m(r_{ds}//R_d)=-5.87$$
（5）求放大电路的输入电阻$R_i$
$$R_i=\frac{v_i}{i_i}=R_{g1}//R_{g2}=\frac{60\times 40}{60+40}=24k\Omega$$
（6）求放大电路的输出电阻$R_o$
$$R_o=r_{ds}//R_d=\frac{62.5\times 3.9}{62.5+3.9}=3.67k\Omega$$

五、非考点(暂未总结，之后有时间更新)

5-1 共漏极和共栅极放大电路

5-2 集成电路单极MOSFET放大电路

5-3 多级放大电路

5-4 结型场效应管（JFET）及其放大电路

个人觉得较经典的题目