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MMIC
文章平均质量分 65
对MMIC的一些简单操作进行一个演示
硬件老钢丝
这个作者很懒,什么都没留下…
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典型MOSFET制造工艺流程示意图
复旦大学姜玉龙的课程-半导体器件(截图,图中有的红点是鼠标)下面将阐述这个工艺过程。 硅片基底,假设厚度800um,实际上只有上表层有用大概10um厚度左右然后填充氧化物,用来隔离 然后进行阱注入,可以选择两边分别注入N阱或者P阱。从而隔开NMOS和PMOS。 做晶体管,大面积氧化,MIS,用重掺杂的多晶硅,然后进行刻蚀,得到下面的图。 常规的晶体管只有一个源和漏,为了减轻现在晶体管横向变小后造成的电场过强的问题,热电子现象很明显,为了使得电场强度降下来,就得使得源和漏的掺杂原创 2022-05-13 11:26:16 · 10925 阅读 · 0 评论 -
达林顿结构(增益模块)
在电子电路设计中,通常用达林顿晶体管来取代单独的晶体管来改善增益模块的性能【22l。达林顿管又称复合管,就是将多只晶体管按一定的方式级联起来,可以达到增大电流放大倍数,减小前级驱动电流,改变管子类型的目的。一、达林顿晶体管的组成及其电流放大倍数达林顿晶体管的极性由组成它的第一只晶体管决定的。图1的(a)和(b)给出了常用的达林顿晶体管,由两只同类型(NPN或PNP)晶体管组成的,可等效成与它们的晶体管同类型的管子;图1的©和(d)所示为不同类型晶体管组成的达林顿晶体管,可等效成与第一只晶体管Q1管同原创 2022-05-11 09:47:10 · 4803 阅读 · 0 评论 -
HBT偏置:有源电流镜偏置
文献:2013 GaAs_HBT-MMIC功率放大器的设计_杨务诚 射频电路中不可缺少的电路单元就是偏置网络。偏置的作用是在某些特定条件下给有源器件提供一个合适的静态工作点以保证工作特性稳定,同时抑制晶体管参数随温度变化而产生的影响。 由于功率放大器在实际应用中不会长时间地工作在最大功率状态,因此在设计过程中,要实现在较大的功率范围内都要具备较高的效率,这就需要选择一个合适的偏置网络。 本文设计了一个自适应线性化的偏置电路,这样功率放大器的工作电流可以随输入信号功率的增大而变大,提高了功率放大器原创 2022-05-10 16:08:59 · 2667 阅读 · 0 评论 -
HBT设计中存在问题
参考论文:2013 GaAs_HBT-MMIC功率放大器的设计_杨务诚引言 我们在设计 GaAs HBT 功率放大器的时候会遇到一些类似增益突然下降或者坍塌,电路不稳定等现象,本文下面将详细分析这些现象发生的原因以及提出解决的措施。一、HBT 增益下降的原因 HBT 的直流电流增益 β 并不是恒定的,随着集电极电流的变化而产生变化。当集电极电流从 0 开始增大时,β 也随之增大,直到上升至一定的峰值。当集电极电流达到一个很大的值时,增益不再随着集电极电流的增大而增大,反而会减小。这就是电流增益下原创 2022-05-10 15:50:51 · 4577 阅读 · 0 评论