钢丝

原创 CMOS传输门原理及应用

传输门的应用

原创 CMOS开关（二）_参数提取

CMOS开关电路

原创 dBm和Vpp以及Vpeak的关系

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原创 CMOS开关学习（一）

CMOS开关初学

原创 集成电路版图设计（一）

学习版图知识

原创 关于输入电阻和输出电阻大小的讨论

一、放大器输入电阻越大越好  1、输入阻抗越大，信号源的信号基本上都能全部落在放大器上，不至于被信号源的内部消耗掉。  2、所谓的输入电阻是从放大器的输入端看进去的等效电阻，而不包括信号源的内部。当放大电路与信号源相连接就成为了信号源的负载了，他必须从信号源索取电流，负载上电流的大小表明放大电路对信号源的影响程度；因此输入电阻越大，就表明放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路得到的输入电压就越接近信号源电压，信号电压损失越小。二、放大器输出电阻越小越好  1、所谓负载能力，就是做功能力，做功的强

原创 fβ,fα,fT,fmax之间的关系

引用网站：fβ,fα,fT,fmax之间的关系  晶体管参数表上，频率参数有fβ，fα，fT，fmax，好多初学者对这几种参数概念很模糊，怎么搞这么多参数，让人搞不明白。在晶体管发明初期，由于实验室，生产工厂对各种放大电路的频率参数各自为政，规定了不少有关频率参数，已适应不同的电路。  fβ叫做共发射极截止频率，是指在共发射极电路情况下，随着频率升高，交流低频放大倍数β下降，当β下降到低频时 1/√2时的频率。  fα叫做共基极极截止频率，是指在共基极电路情况下，随着频率升高，共基极交流低频放大倍数

原创 BJT晶体管的参数

   λ—光谱半宽度　　VF—正向压降差　　Vz—稳压范围电压增量　　av—电压温度系数　　a—温度系数　　BV cer—基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压　　BVcbo—发射极开路，集电极与基极间击穿电压　　BVceo—基极开路，CE结击穿电压　　BVces—基极与发射极短路CE结击穿电压　　BVebo— 集电极开路EB结击穿电压　　Cib—共基极输入电容　　Cic—集电结势垒电容　　Cieo—共发射极开路输入电容　　Cies—共发射极短路输入电容　　Cie—共发射极输入

原创 射频前端方案的发展

阐述射频前端方案的发展（都是截图）文档下载链接—

原创 典型MOSFET制造工艺流程示意图

  复旦大学姜玉龙的课程-半导体器件（截图，图中有的红点是鼠标）下面将阐述这个工艺过程。  硅片基底，假设厚度800um，实际上只有上表层有用大概10um厚度左右然后填充氧化物，用来隔离  然后进行阱注入，可以选择两边分别注入N阱或者P阱。从而隔开NMOS和PMOS。  做晶体管，大面积氧化，MIS，用重掺杂的多晶硅，然后进行刻蚀，得到下面的图。  常规的晶体管只有一个源和漏，为了减轻现在晶体管横向变小后造成的电场过强的问题，热电子现象很明显，为了使得电场强度降下来，就得使得源和漏的掺杂

原创 达林顿结构（增益模块）

在电子电路设计中，通常用达林顿晶体管来取代单独的晶体管来改善增益模块的性能【22l。达林顿管又称复合管，就是将多只晶体管按一定的方式级联起来，可以达到增大电流放大倍数，减小前级驱动电流，改变管子类型的目的。一、达林顿晶体管的组成及其电流放大倍数达林顿晶体管的极性由组成它的第一只晶体管决定的。图1的(a)和(b)给出了常用的达林顿晶体管，由两只同类型(NPN或PNP)晶体管组成的，可等效成与它们的晶体管同类型的管子；图1的©和(d)所示为不同类型晶体管组成的达林顿晶体管，可等效成与第一只晶体管Q1管同

原创 HBT偏置：有源电流镜偏置

文献：2013 GaAs_HBT-MMIC功率放大器的设计_杨务诚  射频电路中不可缺少的电路单元就是偏置网络。偏置的作用是在某些特定条件下给有源器件提供一个合适的静态工作点以保证工作特性稳定，同时抑制晶体管参数随温度变化而产生的影响。  由于功率放大器在实际应用中不会长时间地工作在最大功率状态，因此在设计过程中，要实现在较大的功率范围内都要具备较高的效率，这就需要选择一个合适的偏置网络。  本文设计了一个自适应线性化的偏置电路，这样功率放大器的工作电流可以随输入信号功率的增大而变大，提高了功率放大器

原创 HBT设计中存在问题

参考论文:2013 GaAs_HBT-MMIC功率放大器的设计_杨务诚引言  我们在设计 GaAs HBT 功率放大器的时候会遇到一些类似增益突然下降或者坍塌，电路不稳定等现象，本文下面将详细分析这些现象发生的原因以及提出解决的措施。一、HBT 增益下降的原因  HBT 的直流电流增益 β 并不是恒定的，随着集电极电流的变化而产生变化。当集电极电流从 0 开始增大时，β 也随之增大，直到上升至一定的峰值。当集电极电流达到一个很大的值时，增益不再随着集电极电流的增大而增大，反而会减小。这就是电流增益下

原创 关于PA匹配和LNA匹配的理解

文章目录前言一、LNA匹配1、控件部署2、仿真结果和仿真结果3、结果分析S11匹配Sopt匹配S22匹配二、PA匹配1、取值2、匹配输入匹配输出匹配总结前言  在做PA设计和LNA设计时，其在设计中主要会考虑到匹配网络的设计，PA通常采用共轭匹配，而LNA的匹配则相对较复杂，这里完全取决于你采用什么阻抗去进行匹配。下面我们将主要针对这两种情况进行说明。  下图是有源电路的基本匹配网络方向。 图1 匹配方向图  Zs和ZL分别是PA在负载牵引和源牵引得到的值，方向指向端口方向；  Zin和Zou

原创 关于ADS调参比较好的方式

   以一个低通滤波器设计为例，如何更好的找到符合自己设计需要，通常要用到参数扫描、自动调谐、自动优化的功能。自动优化目标的方式我们不去讨论，我们来看进行参数化扫描时的方法。第一栏和第二栏分别显示仿真中所有的参数变量扫参个数，值得注意的是这些参数如果表示，都是从0开始，比如C1共有九个值，点数表示为0-8，也就是0表示第一个值，8表示第9个值。为了更好的展现扫描参数和我们各个参数之间的联系，如下改变颜色和灰度，然后再添加一组S21参数。通过修改第一个和第二个的值，就可以得

原创 关于减小沟道长度调制为什么要提高L长度减弱的原因

在CMOS晶体管设计中，为了减小沟道调制作用，通常会通过增加栅长来进行设计，而伴随而来的是晶体管体积的增大，所以选择合适的栅长和栅宽也有一定的讲究，下面就针对提高栅长对沟道长度调制作用的影响进行分析：（此部分内容为拉扎维CMOS模拟集成电路新版22页）...

原创 拉扎维对于简单CMOS电路的增益计算方法

通过拉扎维的视频课中学习到的方法。

转载 office2019安装Mathtype7.4运行时错误‘53’，文件未找到：MathPage.WLL

MathType v7.4.4.516 简体中文版是一款功能很强大的数学公式编辑器,但是因为不明原因,有时会出现找不到MathType.dll或者MathPage.wll文件找不到的错误窗口提示，而导致软件无法正常使用，本文将教您解决MathPage.wll或MathType.dll文件找不到的问题。解决方法：步骤一要确保路径被office信任。依次打开word->文件->选项->信任中心->信任中心设置->受信任位置->添加新位置->确定。添加：C:\

原创 电流镜，运放，比较器等管子的尺寸选取，静态分析，Vdsat和mismatch的关系

摘自：电流镜，运放，比较器等管子的尺寸选取，静态分析，Vdsat和mismatch的关系电流镜，运放，比较器等基本的模拟电流模块，一般没有速度的要求，管子尺寸可以取很大（面积允许的前提下）。故本文讨论是长沟道的管子，不涉及短沟道效应。管子的Chanel length取很大的目的。一般的讲法，电流镜要满足精确复制电流，管子的channel length一般取的比较大，vdsat就大，复制精度高。但真正的原因是什么？在电流源和电流镜中，涉及的参数都应尽可能保持一致，这样就可以得到高精度的电流复制。参数包括

原创 关于VOD的见解

随着工艺制程的最小栅长尺寸不断缩小，沟道长度越来越小，当过驱动电压Vgs-Vth稍微大点，晶体管的沟道电场强度就很大，从而让晶体管进入速度饱和区。以下是晶体管工作在速度饱和区的简单推导过程。Cox是单位面积的栅氧化层电容。μ是迁移率。在半导体材料中，载流子处于无规则的热运动状态，在外加电压时，载流子受到电场力的作用而定向移动，形成漂移电流。定向移动的速度也称漂移速度，电流方向由载流子类型决定。载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比，比率就是迁移率μ，其关系式为电流的其中一种定义是单位时间内通过导

原创 温漂系数公式

转载 噪声容限的基本概念

摘自：https://blog.csdn.net/hxt691083776/article/details/116943037  逻辑电平1和0是对某一个电平值的抽象。当电平值为Vdd（例如，Vdd = 5V）时，它被认为是逻辑1。类似地，当电压为0V，则认为是逻辑0。然而，在现实应用中，我们会针对不同的逻辑电平给出一定的电压范围，例如，3.5 ~ 5V之间的电平值都可以被认为代表的是逻辑1，而在0 ~ 1.5V之间的电平值都可以被认为代表的是逻辑0。逻辑1和逻辑0对应的电压范围对于不同类型的电路（如CM

原创 CMOS集成电路中电压摆幅和电压余度

  在学习CMOS集成电路时，总会遇到电压余度和电压摆幅这两个概念下面进行一个简单的介绍。文字来源  电压余度（Voltage headroom）是电路内部消耗掉的电压降，不能被转化为output voltage swing 的部分，通常这部分电压降是用来维持working transistors，让他们处于saturation region。In saturation region, Vgs-Vth(overdrive voltage) < Vds，每个working transistor 的Vd

原创 关于CMOS截止频率的公式和概念

文章摘抄自：什么是MOSFET的截止频率MOSFET的截止频率FT定义：在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(FT)一、长沟器件的FT计算MOS的小信号模型如下其中截止频率的定义是指没有放大能力的时刻，即增益为1的时候表示没有放大能力。二、MOSFET截止频率FT有哪些因素？以上公式是在长沟器件level1模型下推导的，可以分析一下影响1)增大过驱电压(Vgs-VT)可以增大FT2)减小沟道长度L会增大FT3)增大

原创 NMOS和PMOS的DCIV仿真

从零开始学cadence仿真，也算是一个学习记录。仿真软件版本比较低，但是依旧可以表明仿真过程。NMOS仿真原理图搭建搭建NMOS原理图，这里工艺是smic13mmrf_1223。这是栅极电压和漏极电压为变量VGS和VDS。设置仿真分析首先对变量进行初步定义，VGS=1.5V VDS先设为0.因为我们要以VDS作为横坐标，所以是一个扫描范围。然后添加一个DC仿真。VDS变量范围为0-3V我们要看的数据是漏极电流，因为我们要添加一个输出变量。选择节点代表看电流，如果选择导线则意味着看

原创 Gm/Id仿真（二）仿真

为了验证我们上面的理论，我们利用cadence软件进行仿真，这里采用版本比较低，但是依旧可以说明问题。一、搭建原理图以NMOS为例，将漏压Vdc设置为VDD/2=0.6V，NMOS管的栅极电压设置为变量VGS，MOS管的长度设置为变量L。然后进行环境设置：对我们的变量进行赋值，并且添加直流扫描。设置好直流仿真以后，运行网表和仿真。然后看一下我们管子的直流工作点简单看一下我们现在仿真所得到的的参数...

原创 Gm/Id仿真（一）原理

  学习了Chris讲解的gm/id仿真，这里进行一个简单的理论以及仿真过程复述。  斯坦福大学的gmid讲义波形举例：当VDS给定时，看一下栅长不同时，截止频率随着Gmid变化的曲线。可以看出栅长越长，截止频率越低栅长越长，本征增益越大。同样的，电流密度随着栅长的增大而减小。而对于VDS而言，她对我们电流密度的影响不是很大，所以一般我们取VDD/2。下面两个图可能一般算零极点的时候才需要看。完整的设计步骤一个简单的例题...

原创 CMOS反相器

一、COMS反相器的工作原理  我们利用Cadence软件对反相器进行仿真，其基本结构如下：上面是一个PMOS，下面是一个NMOS。  为了保证电路能够正常工作，电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD》VTH_n+|VTH_p|。  下图为一个CMOS反相器的基本分析，对于一个输入U1为高电平时，NMOS导通，PMOS截止，因此 此时的 输出U0由于NMOS导通的关系，呈现GND电位，也就是低电平；当输入U1为低电平时，NMOS截止，PMOS导通，U0的电位与VDD一致。因为整体

原创 电容电感自谐振

电感电容自谐振（MuRata—0603）——仿真范围为0-30GHz一、 电感自谐振二、电容自谐振  以上是利用ADS对muRata的实际电感电容自谐振的实验结果，该结果是根据阻抗幅度值得到的，其与S21显示的结果稍微有频偏，但能对应上。  扼流电感：对直流通路，对交流扼流，且实际电感的等效电路是一个并联谐振，故自谐振时阻抗无穷大（此处还列举了阻抗幅度为500欧的频点），但要注意，不要刚好到自谐振点，因为该点处感抗为零，稍微频偏一点就有可能变成容抗了，而实际电感元件的制作工艺是有误差的，虽

原创 微带线等效电感电容效果

  这里的素材来源于大连海事大学 傅世强老师的B站视频下面对该结论进行展开（阻抗越并越小、导纳越串越小）导纳并联是相加上面的分析是借用奇偶模分析来设计的，借用奇模短路，耦模开路来推导T、π等效电路的值。传输线是低通，所以用低通电路等效，即串电感并电容，如若确定是电感还是电容，就用电抗去等效，然后用正负来判断是电感还是电容。上述图讲述了在高低阻抗情况下微带线的近似等效。...

原创 Doherty经典论文（一）

论文：The Doherty Power Ampifier 2006背景：由于基站功率放大器由于后退操作而产生低效率，效率增强技术变得非常重要。在宽瞬时带宽范围内实现高效率、线性化的基站功率放大器的设计技术已成为研究的热点，在这篇文章中，我们证明Doherty放大器能够满足基站功率放大器的严格要求。我们解释了工作原理，包括线性和效率的改善，以及放大器的基本电路配置。本文还介绍了跨宽带宽操作和提高线性度的先进设计方法。结果表明，Doherty放大器是一种宽带宽、效率高、线性度好的基站功率放大器Dohert

原创 IMD sweet Spot（二）

上面IMD sweet Spot（一）对于论文一进行了阐述，下面对他的论文二进行阐述。

原创 IMD sweet Spot（一）

引言  近期看了很多关于功率放大器线性度的讨论，发现有一个名词是我没涉猎过得，就是IMD Sweet Spot，中文翻译就是线性甜点的意思。  IMD Sweet Spot可以解决高效功率放大器的线性问题，使功率放大器在保证一定线性指标时还保持了高效率。 IMD Sweet Spot是由受偏置电压影响的小信号失真(弱非线性)和由器件的开启及饱和特性所决定的大信号失真(强非线性)相互作用的结果。通过改变偏置电压可以控制其弱非线性，从而控制IMD Sweet Spot的产生。寻求合适的偏置电压使得IMD S

原创 常见的一些电路稳定性措施

一、可以采用通过在栅极串联电阻的方法, 如图 所示。串联电阻可以消耗一定的射频输入功率，进而减小晶体管的增益，有效的防止在一定频率下射频功率晶体管输入阻抗为负而造成的自激振荡。低频产生的自激振荡，通常通过在输入电路中增加电阻并联电容来解决。二、可以采用在栅极并联电阻的方法。栅极并联电阻是场效应晶体管最常用的稳定性方法。栅极并联电阻可以增加栅极串联阻抗的损耗，有效的防止在一定频率下晶体管输入阻抗为负而造成的自激振荡。对于低频自激振荡，一般通过电阻串联电感来改善。然而，为了避免直流接地短路，通常采用电阻串

原创 双频耦合器的设计

提供一种双频耦合器的设计，可以充当双频DPA的输入功分：参考论文：2004 A Novel Approach to the Design and Implementation of Dual-Band Compact Planar 90Branch-Line Coupler传统的耦合器如下：论文提出的新型双频耦合器：本质还是由微带线变换成双频结构当开路枝节时当短路枝节时下面利用ADS进行验证：验证成功。...

原创 双频移相线

这里的双频移相线主要用于Doherty功率放大器的相位补偿。参考论文：2012 Design Methodology for Dual-Band Doherty Power Amplifier With Performance Enhancement Using Dual-Band Offset Lines我们主要介绍双频移相线。一、基本结构结构本质上是一个PI型结构，两条分支采用一种新的结构，第一部分是为了先对频率f1进行一个设计，然后再对f2进行处理，这样就可以保证在处理f2的时候，不会受到f

原创 宽带LNA设计

一、基础概念介绍宽带低噪声放大器可以多种方式设计，不同类型的结构在应用中有优点也有缺点，在应用中亦有不同的解决方案。其中，负反馈结构的放大器由于简单的结构、平坦的增益响应，易于在宽带范围内降低输入、输出电压驻波系数等优点可到了广泛应用。本文就是采用负反馈技术来拓宽频带宽度，下面首先对负反馈技术作简单介绍。（一）负反馈技术负反馈的含义就是晶体管的输出端口信号流经某一特定回路，回到晶体管的输入端口，并与输入端口信号相互反相叠加运算，减小晶体管输入端口的信号幅度。反之，若反馈回去的信号与输入端口信号正相叠加

原创 5V变3.3V好用的电源芯片

低噪声转换作用不建议用开关电源，要用LDO这种线性低压差稳压电源，外面可以用直流电，0.1uf滤高频，2.2滤低频。0.1的可以不接，但是2.2的必须接，尽量靠近芯片摆放，别放太远。为了提高噪声性能，最好数字和模拟分开供电，一个给ADF4350供电一个给单片机供电，可以共地。...

原创 AWR射频仿真基本操作（一）

这里只讲述一个基本的操作：软件是AWR 14版本

原创 双频匹配（二）

前言对于写过第一篇双频匹配的帖子，在实操的过程中，发现这个方法很多弊端，比如对于补偿线S2，他的长度是可以灵活去定义的，但是他的这个灵活性给我们带来的却不是很好，因为我们不是很好的去选择补偿线的长度，他很容易造成两个Zs1和Zs2阻抗为负，并且这种增加一个传输零点的方式，实际PA设计也并不怎么用，所以我们接着看看有没有简单的方法。参考论文一、2014 A Dual-Band Matching Network for Frequency-Dependent Complex Loads Suitable