AI专题：AI浪潮势不可挡，国产半导体设备迎先进工艺产线资本开支潮

今天分享的是AI系列深度研究报告：《AI专题：AI浪潮势不可挡，国产半导体设备迎先进工艺产线资本开支潮》。

（报告出品方：开源证券）

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核心内容一图

先进存储、逻辑产线资本开支加大，国产半导体前道设备新签订单有望边际提速

供需改善与高端突破并进，国内存储产线扩产确定性强规模大

受益于存储原厂持续减产、AI升级带动DDR5、HBM 需求等因素影响，2024年DRAM和NAND芯片价格有望延续上升态势，存储行业景气度有望改善。202204开始存储原厂相继启动减产，SK海力士2023年资本开支同比减少50%至约 10万亿韩元，并预计 2024年资本开支同比小幅增长。美光预计2024年晶圆开工率仍将显著低于 2022年的水平，同时预计 2024年存储行业将供小于求。根据TrendForce预测，2024年Q1DRAM合约价季涨幅13~18%，NANDFlash合约价平均季涨幅 15~20%。

存储器行业作为半导体产业的核心支柱之一，具备空间大、标化程度高、重资本开支的特点，是后发玩家追赶甚至超越先行者的关键赛道。中国大陆两大存储龙头在 3DNAND、先进 DRAM 芯片核心技术上已实现重要突破，但市占率与海外巨头相比仍存在较大差距，需要持续扩产以带来规模效应和在全球市场上的议价权。

3D NAND：技术端，2022年长江存储首发232层产品，基本追平与海外3DNAND 产品的代际差。产能端，长江存储于2016年投资240亿美元建设 3DNAND Flash 工厂，一期总产能 30万片/月。3D NAND 容量增加主要通过堆栈加层相较于先进 DRAM 和逻辑对电路线宽的要求更简单，主要使用ArFi 和干法光刻设备。根据ASML测算，随着堆叠层数增加，NAND对光刻设备投资增速约为10%，低于先进逻辑/DRAM的30%/20%。

先进 DRAM：长鑫存储于2023年11月正式推出LPDDR5 系列产品，面向中高端移动设备市场。12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。2023年10月长鑫新桥存储获合肥国资委、大基金二期增资共390亿元，有望用于先进DRAM芯片扩产。

手机龙头回归、AI 芯片海外代工受限，中国大陆 FinFET 产能紧缺

2023 年搭载自研麒麟芯片的华为Mate60系列产品回归，销量预期持续上调。预期销量的实现需要产业链上下游通力合作，而其中最核心的手机芯片则亟需国内先进制程代工产能的鼎力支撑。

英伟达高性能 AI GPU 出口管制升级，国内互联网厂商等终端客户的订单有望大幅向国产 AI芯片转移。2022年10月美国BIS 新规出台，英伟达高性能GPUA100、A800、H100、H800、L40、L40S和RTX4090被限制销往中国。应用于AI训练的昇腾 910b 芯片单卡算力与英伟达 A100相近，已经为包括科大讯飞星火在内的 30 多个国产大模型提供算力支撑。截至2023年8月，阿里、腾讯等中国企业共订购了50亿美元的英伟达A800芯片，并腾有望承接。

国产 AI 芯片海外代工受限，代工产能有望加速回流中国大陆。美国BIS新规对国内 AI企业出海代工也做出进一步限制:当晶圆厂收到最终实体为中国大陆/中国澳门等区域企业的订单时，需要检视是否涉及使用品体管数量超过50billion、包含HBM。壁仞科技、摩尔线程及相关13家企业被美国商务部列入实体清单。

先进工艺对刻蚀、薄膜、量检测等设备需求量增加，ALD、外延为刚需

存储器件芯片结构从二维向三维结构转变使得等离子体刻蚀和薄膜沉积成为最关键及需要最多的工艺步骤。根据Yolc测算，3DNAND三大核心工艺设备中，刻蚀设备市场规模占比将从2019年的69%提升到2025年的73%。

极高深宽比刻蚀设备是3DNAND 向200层甚至 300层以上升级过程中最关键的设备，具备超低频、超大功率、多级脉冲特性的射频等离子系统及对应的静电吸盘为高深宽比核心零部件。3D NAND 制造首先将氧化物和氮化物薄膜的交替层沉积到基础硅片上。每层厚度在20至30nm之间。然后添加厚硬掩模，进行最关键的高深宽比 (HAR)沟道孔蚀刻。存储单元形成的其他关键步骤包括阶梯蚀刻、水平金属字线填充以及触点和位线的金属填充。

在90nm CMOS 芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序，而在FinFET工艺产线，大约需要超过 100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近 20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。

在DRAM中，高纵比的特征是电容器。每一位数据都以负电荷或正电荷的形式存储在电容器中。每个电容器都连接到一个晶体管，该晶体管控制对电容器中数据的访问。电容器本身是一个具有高纵横比的长圆柱形结构。它充满了金属-绝缘体-金属堆叠。由于需要在高深宽比结构中形成良好控制的保形薄膜，因此这种MIM 堆栈需要 ALD 设备。

接力先进制程，先进封装成为算力时代大赛道

AIGPU 需求激增，国内有望新增 661.1亿元先进封装设备市场

算力成为大国博弈焦点，高性能 AI GPU 为支撑一国智能算力发展的基石。根据《中国算力发展白皮书(2023年)》数据，以GPT大模型为例，GPT3模型参数约为 1746亿个，训练一次需要的总算力约为3640PF-days，即以每秒一千万亿次计算，需要运行 3640天。2023年推出的GPT-4参数数量可能扩大到18万亿个，是GPT-3的10倍，训练算力需求上升到GPT-3的68倍。

通常情况下，高性能 AIGPU 首先要在先进制程产线上去制造HBM和GPU，再采用 2.5D和3D先进封装工艺进行封装。英伟达A100采用台积电第4代CoWoS技术，将1颗英伟达A100GPU芯片和6颗三星HBM2集成在一个1700mm2的无源转接板上。AMDMI300则使用台积电SoIC(3D)和CoWoS(2.5D)两种技术共同对13颗chiplets芯片和8颗HBM3 进行封装。

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