SSD写入放大 / 主机写入量、对NAND写入量的意义与差别

使用CrystalDiskInfo查看我自己的ssd：

结果发现写入量有两个统计数数据：主机写入量总计、对NAND写入量总计
两个数据不一样
所以就想查查它们有什么区别

查了一下，结果如下：
主机写入量，指的是主机要求SSD保存的数据
对NAND写入量，指的是SSD实际操作过程之中对其NAND的实际写入量
二者不同，其原因是：
SSD写数据的机制与传统的机械硬盘不同

SSD的组成层次

（从小到大）
page（4KB）
block（通常64个page组成一个block，有的是128个）
plane（多个blcok组成）
die（plane就是一个die）
闪存片（多个die组成）
SSD（多颗闪存片组成）

写入放大

一个page有三种状态：空；无效数据；有效数据。
向SSD写入数据时，以page为单位，但只能向空的page里写。如果要向存有无效数据的page里写，则需要先进行擦除，将无效数据的page变为空page，再写入。但是擦除数据时，是以block为单位的。
举例：向一个block写入一个page的新数据时，一个block里已经没有空的page了，只有有效数据以及无效数据的page，所以主控就把新数据以及有效数据读到缓存形成一个新的block，再擦除原先的block，再把新block写回去。这个操作带来的写入放大就是: 实际写一个page的4KB的数据，造成了整个block共512KB的写入操作，这就是128倍的西融入放大（WA，Write Amplification）。写入放大造成了SSD实际对NAND的写入量大于主机要求的写入量。
同时，原本仅须一步写入page的操作变成：缓存读取新数据以及有效数据→闪存擦除→缓存写入，造成延迟大大添加，速度变慢。
所以说，写入放大是影响SSD随机写入性能和寿命的关键因素。以100%随机4KB来写入，眼下的大多数SSD主控，在最坏的情况下WA能够达到100以上。假设是100%持续的从低LBA写入到高LBA的话，WA能够做到1，实际使用中写入放大会介于这两者之间。SSD的详细操作过程例如以下：

当一个block里的page只有空、有效数据两种状态时，在写入数据的时候不需要进行擦除，trim就是通知SSD在空闲状态时，将无效数据擦除，以减少SSD在写入数据时需要进行的数据擦除工作。

主机写入量、对NAND写入量

那么问题来了：我的对NAND写入量为啥小于主机写入量？
根据该贴

http://bbs.pceva.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=119967

原来，以SLC模式写入的数据不会计入对NAND写入量，所以对NAND写入量也不能代表真实的写入状况。所以，你永远不知道你的SSD真实的磨损状况。但是，如果厂家有良心，将自己主控的算法水平也计算在内，那么保修的TBW应该指的是主机写入量，对NAND写入量不准也没有关系。当然，对于我这种对NAND写入量小于主机写入量的状况，即使是黑心厂家也只能说按照主机写入量算TBW了。