Nand Flash基础

存储结构：

NAND Flash由block块构成,block的基本单元是page页。

每一个block由多个page组成，每一个page内包含Data area(数据存储区)和扩展的Spare area(备用区)。所以每一个page的大小为Data area+Spare area。

块：Nandflash 擦除操作的最小单位

页：Nandflash 写入操作的最小单位

存储单元：

写入：即控制栅极去充电，对栅极加压，使得浮置栅极存储的电荷越多，超过阈值，就表示0

擦除：即对浮置栅极进行放电，低于阈值，就表示1

SLC、MLC、TLC：

SLC（single-level cell）：单介质存储单元

每一个存储单元存储1bit的数据，存储的数据是：0，1

MLC（Multi-level cell)：多阶存储单元

每一个存储单元存储2bit的数据，存储的数据是：00，01，10，11

TLC （Triple-Level Cell ）：每一个存储单元存储3bit的数据

存储的数据分成八种： 000、001、010、011、100、101、110、111

Nand Flash布线：

DAT0~DAT7：

CE：Chip enable

WE：Write enable

RE：Read enable

CLE：Command latch enable

ALE：Address latch enable

WP：Write protect

BY / RY：Ready/Busy

Vcc：Power supply

Vss：Ground

Nand Flash内部框图：

当ALE是高电平时，传输的是地址

当CLE是高电平时，传输的是命令

当ALE和CLE都为低电平的时候传输的是数据

BY / RY是高电平表示完成编程，是低电平表示正忙，编程尚未结束

 

操作时序：

发出命令，发出地址，读写数据