OPC:optical proximity correction 光学临近矫正,和PSM 配合使用的
就是对tapeout的pattern做一些光学矫正,让更加DFM 话,成品率更高,
在在.18um以下是必须的( layout上的一个矩形segment, 经过mask曝光后刻蚀在wafer上的形状不一定能保持这个矩形, 也许四个角都变得圆滑了, 甚至有缩小的趋势, 这就需要OPC技术来给它修回去。)
SR_DPO 就是smaller type dummy poly, 和DPO(标准dummy poly)配合使用, 要做些opc处理, 都是工艺上的事情, 也不用多管
PSM: Phase Shift Mask,相移光罩,与OPC相似,也是应用在Mask上的技术, 目的为了让曝光后的图形接近layout mask。
参考:40nm design rule中的问题 - 后端讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网) -