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▲ 芯 片 制 造 流 程 图
为了方便理解和观看,我们对流程进行一个简单的划分,
上游:多晶硅提纯→单晶硅大硅片;
中游:IC设计→IC制造(IC就是集成电路的意思);
下游:IC封装→IC测试。
从上图中的集成电路制造厂板块我们可以看到,晶圆制造过程中有几大重要的步骤:氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备,满足不同的需要。
昨天我们我们已经浅谈了上游相关的设备,今天我们将以 晶圆制造 为例,说明一下在中游环节中所需要的设备,并关注一下它们的 进口情况 。![6abf7363d63422e19d9d30fb6c6b2555.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/6abf7363d63422e19d9d30fb6c6b2555.png)
备
简
介
1、扩散环节半导体设备![29b74344934f2f24af4fcb42ad4c8f56.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/29b74344934f2f24af4fcb42ad4c8f56.png)
▎扩散炉
扩散/氧化炉是半导体生产线重要工艺,扩散是在高温条件下,利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,达到改变材料的电学特性,形成半导体器件结构的目的。 2、薄膜淀积环节半导体设备![a56a546118aec19e08383c0335460d0f.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/a56a546118aec19e08383c0335460d0f.png)
▎CVD设备
CVD是英文Chemical Vapor Deposition的缩写,中文意思为“化学气相沉积”, 化学气相沉积法是将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。▎PVD设备
PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写,中文意思是“物理气相沉积”,是指在真空条件下,用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术,分 三类,真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机 。 3、光刻环节半导体设备▎光刻机
光刻机是芯片制造的核心设备之一,按照用途可以分为好几种,在加工芯片的过程中,光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画有线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图。 4、刻蚀环节半导体▎刻蚀机
刻蚀是采用物理或者化学的方法,通过掩膜图形使薄膜材料选择性销蚀的技术,是薄膜制备的“反”过程,刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类。
5、离子注入环节半导体设备![a5732fd6a9eea75aed8e53c341cb431a.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/a5732fd6a9eea75aed8e53c341cb431a.png)
▎离子注入机
离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等
6、抛光环节设备▎CMP设备
CMP 设备,也叫化学机械抛光设备,是集成电路制造领域的关键设备之一。
它的原理是利用抛光液化学刻蚀和抛光垫机械摩擦的综合平衡作用,对晶圆表面材料进行精细去除。
补充说明一下,芯片的制造工艺是极其复杂的,所以涉及到的设备也非常的多,文章这里只是根据进口情况,提及部分半导体设备,沧海一粟,并非全貌。
进口
硬
料
在上述的几款设备中,扩散炉、沉积设备及等离子设备在进口清关的时候,因为这些设备市场相对成熟,所以操作比较常规,只是进口旧设备时也一定要记得做装前检验检疫及新机发票事宜。
另外,特别要提示的是刻蚀机和光刻机,这两款设备都属于高度精密的核心,在运输的过程中有非常高的要求,需要气垫车,需要恒温恒湿的环境,甚至如果海关需要检验设备,可以申请海关人员下厂查验,等等。
我们公司曾经成功的操作过广州东莞某大型企业的工厂搬迁项目,包含设备的搬运、吊装、包装及运输等一系列服务。因此,对于精密仪器设备的运输我们公司有全套的设备,和丰富的经验,如果在进口的过程中您也有运输的需求,也可以提前咨询沟通。
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在芯片制造过程中,下游的环节又将涉及到哪些半导体设备呢?它们在进口的时候又该注意些什么细节呢?咱们明天继续聊。
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