最近在仿真一个12级的整流电路,想利用ADS做一些原理级的仿真,验证可行性。这个事情对理解非线性电路还是有点帮助,所以把它记录下来。
先来看看仿真的原理图。
其中C0–C11容值相同,为2pF,Cs=2uF,输出级存在10nA的漏电。
在进行完整的分析之前,需要先对仿真的流程心里大致有个数。
一、构建二极管模型
在工具栏的下拉菜单中选择:Device Diode
选择这两项放置在原理图中,并按照datasheet填写对应的参数,完成后添加port端口。如下:
关闭原理图,点击保存。
在workspace界面选择刚刚构建的原理图,右键→New→Symbol(因为我是完成了整个工程设计才写的这篇文章,所以我的工程目录下是存在symbol的)
二、构建封装寄生的二极管模型
原理图及symbol产生过程同上,不赘述,直接给出原理图的最终形式。
注意几点&