半导体器件基础05：肖特基二极管（2）

说在开头：关于原子模型（2）

马上有物理学家就出来说了，这个“行星系统”模型不靠谱啊。根据麦克斯韦理论，带负电的电子围绕着带正电的原子核运转，这个系统是不稳定的；因为负电荷围绕正电荷高速旋转，必然会放射出强烈的电磁辐射，从而导致电子一点点地失去自己的能量。作为代价，电子不得不逐渐缩小运行半径，直到最终“坠毁”在原子核上为止，经计算整个过程只需一眨眼的功夫。如果原子真如卢瑟福的模型，那么整个宇宙必定早就大乱了。另外，这个模型还面临另外两个难题：

1. 无法解释元素光谱是从哪里来的；

2. 也解释不了元素的周期律（同族元素的性质相似）。

对于这些问题，卢瑟福统统无法解释，但是他以超越六感的第七感相信自己的方向并没有错。玻尔并没有因为卢瑟福模型的困难而放弃这一理论，毕竟行星模型是有α粒子散射实验支持的；相反玻尔对电磁理论是否能作用于原子，抱有很大的怀疑（年轻人就是敢与反权威）。玻尔在曼彻斯特的生活要比剑桥大学舒心很多，虽然他和卢瑟福的性格完全不同：卢瑟福是个急性子，永远精力旺盛，而玻尔像个害羞的大男孩，说话口齿不清，不过他们显然是一个战斗力超强的团队。玻尔的天才在卢瑟福这个老板的领导下被充分地激发出来。

1912年7月，玻尔完成了他在原子结构方面的第一篇论文，玻尔试图将量子的概念结合到卢瑟福模型中去，以解决经典电磁力学所无法解释的难题。不过这一切才刚刚开始，在那片还没有前人涉足的处女地上，玻尔只能一步步的摸索前进。7月24日，玻尔完成了他在英国的学习，动身返回祖国丹麦，临走前玻尔把它的论文交给卢瑟福过目，并得到了热切的鼓励，只是卢瑟福没有想到这个青年将在怎样的一个程度上改变人们对世界的终极看法。在丹麦，他的未婚妻正焦急的等待着他，而物理学的未来也即将要向他敞开心扉。（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗，吴京平-无中生有的世界）

3，欧姆接触

半导体最终是需要通过金属接到管脚上才能在电路上被使用，如果金属和半导体接触会产生肖特基势垒而产生一个导通电压，这当然不是我们所希望看到的。我们在“肖特基二极管结构”章节也解释过：与阴极接触的N+半导体就是为了减小半导体与金属的接触电阻；其实在理论上有两种方法可以减小接触电阻：1，降低势垒高度；2，减小势垒宽度，使“自由电子”以隧穿方式穿过。

1. 降低势垒高度：选择不同的材料使半导体费米能级小于金属费米能级（φm<φs），接触面的能带如下图所示；

1,如下右图所示，在加正电压时：电子很容易向低电势方向流动，即：从半导体进入金属；

2, 当加负电压时，电子很容易穿过势垒从金属进入半导体；这种结就是：欧姆接触；

2. 减小势垒宽度：通过重掺杂的方式使形成的势垒宽度很窄，这样电子可以不用跃过势垒而直接通过“隧穿”流过接触面，正向偏压、负向偏压与VI特性(黑色曲线)如下图所示。隧道效应的欧姆接触电阻是依赖半导体掺杂浓度的函数（随掺杂浓度呈指数规律变化），由于“N—N+”结也存在一个势垒，所以“N—N+”结也存在单位接触电阻，这个结将决定结总阻值的大小。

 

那如果是金属和P型半导体呢，它们是否会形成肖特基势垒，还是处于低接触电阻状态？

1. 如下左图所示当φm<φs时，由于P型半导体多子是“空穴”，接触后P型半导体“空穴”流向金属，留下带负电的电离受主杂质；此时空间电荷区能带向下弯曲，形成空穴阻挡层；

2. 当φm>φs，金属与P型半导体接触时，空穴从金属流向半导体表面（自由电子从半导体向金属实现电子发射，在半导体中留下很多“空穴”），形成正从半导体到金属方向的内建电场，能带向上弯曲，使得半导体的P型程度更深，自由电子很容易从金属流向半导体中的空穴；表面的空穴浓度远大于体内，因而形成一个高导电区，称之为反阻挡层，这种结也是欧姆接触。

选择金属与半导体结合的费米能级的大小，可确定金属与半导体之间的阻挡状态（降低势垒高度方法），如下图（φm< φs）所示；

4，肖特基二极管特点及应用

通过上面知识的学习，我相信大家已大致理解了肖特基二极管的结构和原理，接下去我们基于肖特基二极管的原理来分析它的特点。

1. 正向压降低：起始电压与正向压降都比PN结二极管低（0.4V左右，比正常二极管低0.2V左右），正向压降与环境温度成反比；

2. 正向电流大：高额定整流电流以及峰值电流；

——金属“自由电子”的浓度远大于半导体，所以在同样接触面积下的电流要大于P型半导体。

3. 反向耐压低：反向势垒较薄，并且在表面极易发生击穿，反向击穿电压较低，极限耐压较低（一般<200V）；

——上面已分析，肖特基势垒区相比PN结空间电场区的宽度减少了一半，所以更易被击穿。

4. 反向漏电流大：相比于PN结反向电流大几个数量级，反向漏电流与环境温度成正比，环境温度对漏电流影响很大；

1. 反向恢复时间快：肖特基二极管只是多数载流子导电器件，不存在少数载流子（扩散电容）恢复问题，只有势垒电容的充、放电时间（小至几ns） ；

2. 开关频率高：由于少数载流子存贮效应小，反向恢复电荷非常少，开关速度非常快，开关损耗小。

肖特基二极管的优点和缺点都非常的明确：正向导通电压小、通流能力大，反向恢复时间快、开关频率高，但是反向耐压小，漏电流大；

总体来说：优点远远大于缺点。那么，这么顶呱呱的二极管能用什么地方呢？

1. 在开关电源（DC-DC）中用作续流二极管：响应速度快，正向压降低、电流大；

2. 在低压、大电流输出应用场合中用作高频整流；

3. 在高速逻辑电路/反激电源电路中用作钳位；如下左图所示为开关电源钳位保护电路电路，下中图为管脚钳位保护电路，下右图为高速逻辑转换电路；

4. 在电源/电池供电电路中用作极性保护。

当然，二极管在实际应用过程中，远比这几个框图要复杂的多，需要考虑实际电路和器件本身参数。但是我相信，如果你从本质上真正理解了二极管，理解了它的特性及参数的意义。那一切将会变得简单，可以选择到合适参数合适应用场景的二极管器件，能够可靠的、长时间的工作下去。

写在最后

通过对肖特基二极管原理的学习，为我打开了“半导体物理”的一条门缝，真是大开眼界；有兴趣的朋友一定不要错过。

肖特基二极管非常优秀、应用也非常广泛，就跟之前说的现实世界不存在完美的东西：有多少优点，就有多少隐藏在背后的不足。我们要做的是：深入分析这部分硬件电路设计和实际应用条件，去发现、寻找最适合的那个它。

本章部分相关内容和图片参考自：唐纳德.A.尼曼-《半导体物理与器件》。下一章《发光二极管》。