ROM发展简述

ROM的发展

        存储器分为两大类：RAM 和 ROM。

        ROM最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。

        后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。

        人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。

        历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。

        EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。

        但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。

狭义的EEPROM（按字节擦除）

        这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。

        这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。

        目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

        例如：24C02

广义的EEPROM：Flash（按块擦除）

        Flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。

        但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它Flash。

        Flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的ROM一般都是Flash。

        例如：W25Q128JVSQ

flash分为NOR Flash和NAND Flash

        NOR Flash (按块擦除，按字节读)

        NOR Flash数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块擦除。

        例如：W25Q128JVSQ (NOR Flash)

        NAND flash (按块擦除，按页读)

        NAND flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND Flash按块来擦除，按页来读，NOR Flash没有页）

        例如：W29N01HVSINA (NAND flash)

         由于NAND Flash引脚上复用，因此读取速度比NOR Flash慢一点，但是擦除和写入速度比NOR Flash快很多。

        NAND Flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。

        因此大容量的Flash都是NAND型的。

        2～12M小容量的Flash多是NOR型的。

        使用寿命上，NOR Flash的擦除次数是NAND Flash的数倍。

        NAND Flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。

        NOR Flash 一旦损坏便无法再用。

        

        因为NOR Flash可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR Flash中运行。

        嵌入式系统多用一个小容量的NOR Flash存储引导代码（程序）

        用一个大容量的NAND Flash存放文件系统和内核。