NVME SSD 存储性能影响因素-1

1. 存储介质的变革， SSD 内部通过FTL(Flash Translation Layer)解决NANAD Flash 存在的问题， 为上层应用软件呈现和普通瓷盘相同的应用接口和使用方式

2.NAND Flash 介质的发展: 目前主流采用的存储介质是NAND Flash

3.软件层面SSD多队列技术

何为多队列技术， 主机（x86 Server）与SSD进行数据交互的模型采用“生产者-消费者”模型， 采用生产者-消费者 队列进行数据交互。

在原有的AHCI规范中， 只定义了一个交互队列， 那么主机与HDD之间的数据交互只能通过一个队列通信， 多核处理器也只能通过一个队列与HDD进行数据交互，。 在瓷盘存储时代， 由于瓷盘是慢速设备， 所以一个队列也就够用了

多个处理器核通过一个共享队列与磁盘进行数据交互， 虽然处理器之间会存在资源竞争，但是相比磁盘的性能， 处理器之间竞争所以引起的开销实在是微乎其微， 可以忽略。在磁盘存储时代， 单队列由其他好处， 一个队列存在一个IO调度