在低功耗设计中，使用XC6206 LDO配合MOS开关控制负载，系统在唤醒时经历1.5ms的电压调整期，可能导致1.8V的瞬时低压并触发系统复位。解决方案包括增大Vout电容至47uF以上或选用XC6219高速芯片以缩短回升时间。负载调整率是评价电源性能的关键指标，影响电源在不同负载下的电压稳定性。
使用XC6206-3.0的LDO，MCU通过MOS开关电路将部分负载关闭，并进入低功耗模式，此时待机电流为uA级（50uA），当系统被唤醒后，MCU输出高电平，使得XC6206输出电压通过MOS管开关电路导通，负载部分得电，整机电流达到40mA，此时用示波器实测，会有1.5ms的调整时间，其中200us中额定3v电压会被拉低至1.8V，导致整个系统复位。解决方案如下：
方法一、将XC6206 Vout电容从10uF提高到47uF以上，可以降低负载调整率，抬高电压在2.2V以上；
方法二、选用XC6219高速芯片，实测回升时间从200uS提高到100uS，但无法完整解决瞬间低压问题；
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