高德地图

        早在2013年,高德就开始了对室内地图的探索,截至目前已经覆盖了全国一二线城市的超过2000余栋建筑,例如北京的西单大悦城、万达广场等标志性建筑。据介绍,用户只要在高德地图中搜索建筑物关键词,或者在高德地图主页面的“图层”选项中勾选激活“室内地图”功能,就能找到支持室内地图功能的该建筑物,点击后即能查看具体地图。

此外,与传统地图一样,室内地图同样涉及到大量精细化数据的采集。而高德作为一家专注地图领域12年的厂商,通过覆盖全国的专业数据采集团队、高效规范的室内生产工艺和快速更新机制,不仅能够展现室内建筑全貌,还能分门别类地展现商铺、洗手间、ATM等室内细节,精细化程度远超其他地图厂商。

 

同一室内位置,高德室内地图(左图)精细化程度更高

在这种精细化背后,是高德地图室内团队自主研发的室内外一体化采集生产平台indoor Reaper,极大地提升了采集效率和质量。采集员只要手持一部安卓手机,即可实现高效数据采集,平均生产一栋建筑物仅需3人/天即可完成。

数据融合,打造精准室内定位

如果说地图展现只是用户的初级需求,那么基于室内地图的定位和路线规划则是真正的刚性需求。例如,用户身在大型商场,常见的一个场景是需要快速确定自己目前的位置并找到目的地,如停车位、卫生间、ATM机和指定商家等;但另一方面,复杂的室内环境和参差不齐的Wi-Fi覆盖率、信号强度等因素,却大大增加了室内精准定位和路线规划的难度。

面对技术难题,高德推出了将Wi-Fi、蓝牙及INS(惯性导航)三种定位数据融合的解决方案,充分发挥各自优势,实现自动纠错,确保室内定位和路线规划更为精准高效。据了解,高德地图的室内地图目前已经可以达到3~5米的定位精度,楼层定位准确率达到95%以上,在业内处于领先地位。

此外,高德地图用户甚至可以从室外作为起始点,直接定位、规划路线到室内,中途可以从室外地图自动无缝切换到室内地图。

例如,用户可以在室外任意地点用高德地图搜索“西单大悦城ZARA”,并选择最佳的步行或公交导航线路。当用户进入西单大悦城时,高德地图通过智能定位判断,自动切换为室内地图,进一步给出明确指引,帮助用户最终找到这个商铺。

从室外到室内的一体化无缝导航(西单大悦城ZARA店)

LBS:“非互联网”能力很重要

“现在以互联网为驱动力的跨界探索非常多,许多创业者盲目认为互联网思维就可以颠覆一切,其实并不准确。”俞永福指出,互联网相当于“肉体”和“思维”,负责“跑得快”,(传统)业务能力则是跨界的“灵魂”,能让跨界业务“跑得久”。

这也是高德在去年9月宣布专注在出行和位置信息服务领域的根本原因:LBS是地图业务和互联网业务的跨界融合,互联网中的云计算、大数据、快速迭代等理念给LBS带来了全新的发展动力,但长远来看做好LBS的基石还是地图这个传统领域的专业能力。

而作为一家在地图专业领域专注了12年之多的公司,高德无论是在地图数据采集,还是后期数据的处理工艺方面,都拥有竞争对手不具备的技术能力。

自2002年成立以来,高德已开发出具有完全自主知识产权的导航电子地图制作工艺、标准及采集、编辑、编译和质量保障系统,拥有国内最庞大和最专业的测绘团队,数据生产、研发人员近1300人。目前,高德是已经是国内最大的底层数据提供商之一,与四维图新共同占据了90%以上的地图数据市场份额。

汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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