模电学习笔记（上交郑老师）4.场效应管

消耗的功率小,触发是电场而不是电流。集成度越高，散热越难（FET）
只有多子参与导电，受温度影响较小
可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管（MOSFET）：使用较多
N沟道增强型MOS管
结构：

P型相对较大的，掺杂浓度较低的P型半导体（衬底）
左右各扩散了一个N型区。SIO2是很薄的
二氧化硅一极接了一个极板叫做栅极（g），控制极，对应b
s是源极（载流子的源泉，发源地） 对应e
d是漏极（载流子的漏出处）对应c
之所以叫绝缘栅，都是因为sgd都绝缘，省电，控制极没电流
工作原理：

左图：将源极和衬底接在一起。省略了一个极。如果MOS管是四个极则衬底是单独的，源极（s）和漏极（d）就可以互换。
首先d和s之间不加电压，g和s之间加电压ugs>0，向下的电场将空穴踢走，形成耗尽层。
如果电压继续增大，空穴往下，P的少子：自由电子吸上去。形成了一个电子的沟道（反型层），使sd导通。沟道