模电学习笔记（上交郑老师）8.H参数等效模型

lzzxuxu

于 2020-12-25 14:32:22 发布

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分类专栏：模拟电子技术笔记（上交郑益惠老师）文章标签：电学硬件

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本文介绍了H参数等效模型在模电学习中的应用，特别是在低频小信号分析时的重要性。通过全微分求得输入输出端口的关系，h11对应于Rb，h21近似于β，而h22与1/Rce相关。当Uce>1V时，h12可忽略。h22的值影响曲线形状，其大小与发射结电阻Rce有关。Rce可以通过基区体电阻Rbb和发射区体电阻Re'（通常忽略）来计算，实际是Ut/Ib的表达形式。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

在这里插入图片描述

输入端口Ube和Ib及Uce有关，输出端口Ic和Ib和Uce有关。
现在想知道这几个量△之间的关系，即求全微分

如果都看成△

就可以对放大电路重构，在低频小信号时可以等效为

这就是H参数等效模型
h11是偏Ube比偏Ibe，就是之前的电阻Rb
而Uce>1V时，h12特别小，可以忽略不计，曲线几乎重合，此时的图形就和上一讲的图一样了
h21就是β，h22在图上反映在右上侧的图，线不是平的，而是微微上翘的，

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