3.3半导体随机存储器～3.3.1 SRAM 和DRAM

 

 

 

 

 

棒棒哒加油哦ε٩(๑⌓̈๑)۶з

 各位同学大家好，在上个学期中我们认识了存储芯片的基本原理，如何存储二进制的0和1，如何根据一个地址来访问某一个存储字，那这是上一小节学习的内容，在这个小节当中我们会介绍两种特定类型的存储芯片，一种叫S RAM，一种叫D，RAM那之前我们提到过RAM RAM这个缩写，它指的是随机访问存储器，意思就是说当我们指定某一个存储单元的地址的时候，这个存储单元的读取速度并不会因为存储单元的物理位置而改变好，那这一小节当中我们要介绍的D RAM，这个D指的是dynamic，就是动态的意思，然后S RAM的S指的是static就是静态的意思这种存储芯片通常会被用于制造存儿会被用于制造也就是高速缓冲存储器考试当中通常会把这两种存储芯片。这个存储单元的读取速度并不会因为存储单元的物理位置而改变好，那这个小节当中我们要介绍的leave on，这个地址的是dynamic就是动态的意思，而S RAM的S指的是static，就是静态的意思，那第2辆这种存储芯片通常会被用于制造储存，而sm会被用于制造trash，也就是高速缓冲存储器考试当中通常会把这两种存储芯片进行对比着考察考察他们的一些特性的一个区别，所以这些选择当中，我们首先会从这两种存储芯片，他们的存储元件的不同的物理特性来介绍，为什么这两种芯片会呈现出各种各样的特性差异，那还有两个比较高频的考点，就是低run这种存储芯片的刷新操作，如何实现，还有dear这种存储芯片的地址复用技术好，那首先我们进入第1个话题，那上个学期当中我们介绍的这种存储芯片其实就是demo芯片也就可以被用于制作储存我们要学习的学习的核心区别就是存储元件。做如何实现还有direct这种存储芯片的地址复用技术好，那首先我们进入第1个话题，那上个学期当中我们介绍的这种存储芯片其实就是direct芯片，也就可以被用于制作储存，那这一小节我们要学习的srm芯片和上小节学习的这种drm芯片的一个核心区别就是存储元件不一样，我们的第2个芯片是用三级电容用这种电容的充放电来存储和读取信息的，而srm芯片是用双稳态触发器来存储信息好那来看一下这两种存储源存储元件的一个区别，那上一小节中我们说过，如果我们给这个自选择线加一个5伏的高电平电压，那么就会使这个moss管导通，那此时如果数据线上面同样也加了一个5伏的高电平给了一个二进制的一那么这个五福的糕电瓶电压会加到。中，我们说过，如果我们给这个自选择线加一个5伏的高电平电压，那么就会使这个mosque导通，那此时如果数据线上面同样也加了一个5伏的高电平，也就是给了一个二进制的一那么这个5伏的高电平电压会加到这个电容的上面，这一块金属板上，上面是5幅，而下面这块金属板由于他是林扶他是他是接地的，那当这个电容的两块金属板产生这种压差的时候，就会导致正电荷在上面这块板子这聚集，然后负电荷，然后负电荷在下面这块板子这聚集，这是我们高中学过的知识，那这样的话就完成了二进制一的一个存储，那还有一种情况就是我们会从数据线这儿输入一个二进制的0，也就是一个低电平信号，那么此时由于电容的两块金属板之间没有电压差，所以电容不会存储电荷因此如何存储的是二进制。不会存储电荷，因此如果存储的是2斤之1，那么电容里边就会存储电荷，如果存储的是二进制零，那么电容里面就不会存储电荷，那这也就意味着当我们读出这个电容里边存储的二进制信息的时候，如果此时这电容里边存的是一，也就是说这个电容里面存储了一些电荷，那么当这个字选择线接了高电平，moss管被接通之后，这些电荷就会顺着这条线从这个数据限制而输出，也就是说如果是二进制的一那么数据线，这可以检测到一个电流信号，而如果说这个电容本来存储的是二进制的0，也就是它没有存储电荷，那么当这个moss管被接通的时候，数据线这边也不会检测到电流的流出所以用这样的方式我们就可以去别处我们读出的到底是一还是零这是我们上小学学习的这种芯片的一个存储元他是用三级电站。它是用三级电容来存储二进制0和1的好，再来看S RAM芯片，S RAM芯片的存储源就是这个图里面画的这种所谓的双稳态触发器，那触发器相关的知识，我们是在数字电路那门课里学习的，这地方我们只做一个简要的了解，这个双稳态，触发器当中总共包含了6个MOS管，我们分别用M1M2，然后一直到M6来标注总共是6个，那为什么它叫双稳态的触发器呢？因为这种触发器这个存储元他可以呈现出两种稳定的状态，第1种稳态就是a这个点是高电平，B这个点是低电平，那么当呈现出这种状态的时候，我们规定这种状态对应二进制的一，而如果说a是低电平那么我们就规定这种状态对二进制的灵器的两种。状态对应二进制的一，而如果说a是低电平，而B是高电平，那么我们就规定这种状态对二进制的零好，所以用这个触发器的两种稳定的状态，我们就可以记录此时存储的是二进制的一还是零好，另一个方面大家会注意到，对于左边这种存储源来说，我们读出数据的数据线只有一根只有一根，而右边这种双稳态触发器，我们需要有两根数据线来读出0或者1的状态，对于双稳态触发器来说，如果原本它里边存储的是一个二进制的一，那么当我们给这个自选择线接通之后，也就是给了一个5伏的高电平电压之后，右边这一条线bls这条线它会输出一个低电平信号，而如果说里边原本存储的是二进制的零，那么会有B2，左边这条线输出一个低电平信号，而右边这条线不会输出任何的电信号好，所以我们根据左边还是右边这两条线，哪条线输出了低电平信号，我们就可以判断这个触发器里面原本存储的是二进制的原本存储的是二进制的还是伊朗。唉，我们根据左边还是右边这两条线，哪条线输出了低电平信号，我们就可以判断这个楚发器里边原本存储的是二进制的零还是1了，好，这是读出0或者读初一的一个原理，好，那如果我们要写入一个二进制的0或者一也很简单，呃，以二进制的零为例我们要写入二进制的零的时候，只需要给左边这条线加一个低电平，然后给右边这条线加一个高电平，这样的话就可以使得这个触发器变为AD地高这样的一个状态，而这个状态对应的就是二进制的零，那要写入二进制的E也是类似的原理，好那这是用双稳态触发器来读和写二进制0和1的一个基本原理，那想要了解触发器具体原理的同学可以去学习数字电路数电那门课好，现在我们了解了这两种存储源的基本原理之后，来看一下他们有什么区别，首先来看读出数据的时候对于这种三级片的二进制的意味着这个店主上面。一些电荷，而我们接通没把这个二进制的一读出的过程，其实就意味着我们需要把这个电容里面存储的这些电荷给释放掉，就是要给电容放电，那么这个电容放电之后，是不是就会导致它所表示的信息由一变为了0对吧，因此当我们读出这种栅极电容里边存储的信息之后，其实这个栅极电容里面存储的信息是被我们破坏掉了，也就是我们在本章第1节当中提到过的破坏性读出里边的信息会不会损坏由一变为0，好那如何解决这个问题呢？我们需要进行重写的操作又可以称为再生，也就是需要给这个电容重新进行一次充电好，这是电容的物理特性导致的破坏性毒株好再来看右边这种，如果我们采用双稳态触发器的话，那么既然它叫稳态两种稳定的状态，那么就意味着当我们读出数据之后，这个触发器的状态依然是保持稳定的，也就是说对于右边这种存储源的读操作是非破坏性的读出我们不需要进行操作。左边需要重写，右边不需要重写，那显然应该是左边的读写速度会更慢，对吧，右边肯定要更快，因为省了一个步骤嘛，好，所以这是这两种存储元件导致的一些特性上的区别好再看，另一个方面，我们左边这种存储源由于它里边只需要一个电容和一个mosque，而右边这种存储源总共需要6个末次换，那显然我们制造左边这种存储源，它的制造成本肯定要更低一些，右边这种肯定要更贵一些，除了成本之外，如果说一块芯片它的面积固定不变，那么在固定大小的一块芯片上，左边这种存储源，它的集成度肯定要更高，对吧，因为这种存储源体积可能要更小，可以更密集的集市在芯片上，而右边这种存储元他的逻辑元件更多，所以体积也会更大，因此它的集成度也会更低好在一个方面，右边这种电路很复杂，左边这个电路很简单，所以左边这种电路它的功耗会更低，右边这个功耗会比较大那两种存储元的特型区别也造成了地平线和一个区别这两个芯片的特性the进行了对比。我们把这两个芯片的特性再进行一个对比，as rem也就是进台湾片，它是由触发器来存储这个信息的，说的更详细一点，应该是双稳态的触发器，触发器可以有两种稳定的状态，而定量是由电容栅极电容来存储二进制的0或者1的，由于采用了三级电容，因此对D1的信息读出是破坏性的读书，而sm的读出是非破坏性的读出，那既然读操作会破坏原有的数据，因此在读操作完成之后第1晚评片需要进行一个重写的操作，给电容重新充电，也正是因为这个原因，所以低污染的读写速度要比sm要更慢一些的，读写速度要更快，因此sm这种存储芯片通常会被用来制作cash，也就是高速缓存，因为高速缓存对于速度的要求要更高尽可能的匹配速度由于他的存储成本低通常会变得复杂度不一样因此属于。制造储存，那由于两种芯片的存储元件，它们的复杂度不一样，因此存储元件复杂度更高的，srm芯片它的集成度一般会更低，而存储源体积更小，复杂度更低的这个demo芯片，它的集成度通常会更高，然后另外一点之前我们没有提到的是，不管是sm还是低软，这两种芯片都属于易失性的存储器，也就是断电之后信息会消失，那刚开始学习的同学容易把存储器的意识性和破坏性读出这两个概念会比较容易混淆，那大家可以暂停消化一下，对比一下这两个概念的区，别好最后srm芯片是不需要刷新的，低端芯片需要刷新好，那什么是刷新呢？我们之前没有提过刷新这个概念来看一下采用了这种栅极电贺二高中的时候其实我们学到电贺这个有可能会慢慢的流失也就说我们不管他的话这个电容储的这些电贺过一段时间之后就这样的话就会导致。说如果我们不管他的话，那么这个电容里面存储的这些电荷过一段时间之后就会消失，那这样的话就会导致电容里面存储的信息，二进制信息同样会出现误差，有一又变为了0好那通常存储器里采用的这种电容，它的电荷只能维持两毫秒的时间，那即便我们不断电，在两毫秒之后这个电容里边存储的电荷信息也会消失，而soon它的触发器就比较好，只要我们给这个触发器不断的空电，就比如说一直供一个5伏的电就从这根线进行供电，那么无论过多久那么只要不断电，这个触发器的状态就不会发生改变，也就是保存在0和1是不会消失的，好，那左边这种情况如何解决呢？这就是我们刚才说到的所谓的刷新的一个概念，由于电容里的电荷只能存储两毫秒，因此在两毫秒之内我们必须给这个电容刷新一次，也就是给电容充电好，那这就引出了我们的下一个话题，我们应该如何给滴软件进行刷新工作首先第一个最核心的问题这个网站。引出了我们的下一个话题，我们应该如何给钉钉进行刷新工作，首先第1个最核心的问题多久刷新一次，这个我们刚才探讨过，由于电容最多只能保持两毫秒的电荷，所以我们必须在两毫秒之内给电容重新充电，重新刷新第2个问题我们每次需要刷新多少个存储单元呢，注意这我们说的是存储单元，每个存储单元会有多个存储源构成，那我们每一次刷新存储单元的个数应该是以行为单位来计算的，每次刷新一行，那接下来我们来解释一下什么叫一行存储单元，在上一小节我们给出的存储器模型当中，当我们给出了N位的地址之后，这个译码器会把这N位地址把它转换成其中某一条选通线的一个高电平信号之前的蒸发如果我们的地址为数总共有一码器这个应该会有二的n次方这么多根线下有二十位的地址的数量均应该是二十次方也就是。那我们可以算一下，如果说有20位的地址，那么选通县的数量就应该是2的20次方也就是一兆，这么多个选择性一个页码机的输出端，我们需要给它接一兆根选中线一兆跟选铜线大概有100万这样的一个数量级，所以给易码器的这边接100万根线，那这个在工程上的难度也是比较高的，好那如何解决这个问题呢？我们其实可以把这些存储单元从一维的排列变成二维的排列，也就是把它们变成一个存储单元构成的矩阵，那原本的N位地址会被我们拆分成行地址和列地址来分别送给函，地址解码器和列地址解码器，那么这种策略的话，每一个页码器只需要处理2/N位的地址信息，也就只需要处理一半的地址信息，那么如果用之前那个例子来看的话，原本这个译码器它需要处理20位的这个地址信息，20位的地址信息会对应一道个选中线，那现在我们把这20位的地址信息分别拆分一般。纸信息分别拆分，把它拆成两半，一半是含地址，一半是列地址，那这样的话每个一码记的选通线就只需要2的10次方，这么多根也就是1K根一K根就是1024根，那1024根选同线在工程上是很容易实现的好，所以这就是为什么要把一维排列的这个存储单元把它们变成二维排列，但是现在随着存储器的发展存储容量越来越大，现在存储器甚至还会有三维的排列，但是原理都是类似，好，那现在我们给右边这个图示进行一个简单的连线，我们来看一下如何根据一个地址来选中某一个存储单元，如果说此时要访问的地址是全灵地震总共有8倍，那么按照左边这种策略译码器的输入端输入全龄，那么他的地灵根地灵根选通线会被选通，也就是会选钟灵花存数单元好，现在采用右边这种策略，这个地址会被分为前半部分和后半部分，前半部分作为行帝制而后半部分作为第四个全民的地址会导致译码器的。列地址译码纪那4个全林的地址会导致含地址译码器的啊，地灵根全丰县被选中行的4个全龄送给烈烈炙译码器，会导致他的第1灵根选铜线被选锋那一个存储单元只有行和列这两个选通信号都是选控的时候，才可以对它进行读和写。所以这样的话就完成了通过函地址和列地址来选中一个存储单元，这样的一个操作好那再次签到，他用右边这种策略，我们可以让每一个译码器它的选通线的数量变得更少，对于8位地址的情况才用左边这种策略，这个译码器的选通线应该是要有2的8次方也就是256根，而如果采用救援这种策略每一个易码器只需要有16根全铜线就可以总共只需要有32吨选空间好，所以这就解释解决了之前提出的疑问，为什么我们要用行列地址呢？因为我们可以减少选通线的数量，可以使电路变得更简单和清晰现在我们已经知道了什么叫只要我们给出的而我每一次刷新操作就会刷新。4单元，而我们每一次的刷新操作就会刷新一整行，那怎么刷新呢？会有一个专门的刷新电路来支持刷新电路，会直接读出一整行的存储单元的信息，然后重新写入也就重新给电容充电，那由于我们刷新一整行，其实本质上就是做了一次读操作，所以它的耗时和我们的一个读写周期的耗时差不多好，所以这是进行一次刷新所需要的时间，每次可以刷新一整行的存储单元，那接下来问题又来了，我们应该什么时候进行刷新呢？那假设我们direct芯片里边有128行128列的存储单元，并且每一个读写周期是0.5微淼，那么可以算一下电容可以坚持的最长的时间是两毫秒增多，那么两毫秒应该是对应4000个读写周期啊，当然有的地方读写周期也称为存取周期或者存储周期，不是一个意思我有一百二十八号需要刷新刷新一行都需要零点五秒时间可以采取的策略就是每一次进行读写完了之后都会选择银行进行。再进行读写之后读写完了之后都会选择一行进行刷新，也就是说我们一次读或者写本来只需要0.5微秒的时间，但是在每次的读写之后我们都会刷新银行，那这样的话就会导致存取周期的时间翻倍，每个一分秒才可以进行下一次的读写，那这种创新方式，我们把称为分散创新，每次花0.5微淼完成正常读写之后都会刷新银行也就说我们两毫秒的时间内总共不会有2000次刷新操作，那这2000次的刷新操作足够在两微秒内给128行的存储单元，每一行都刷新很多很多字啊，那另一种思路我们可以给两微淼，这个刷新周期快到的时候，我们集中地安排一段时间把128行存储单元全部进行刷新，那两微淼可以分为4000的读写周期，如果采用这种策略的话，我们会用前边的3872个周期进行正常的独显，然后最后会流出128个读写周期来分别刷新，这128行对镜。就是什么吧，分为集中刷新，此时系统的存取周期或者说读写周期同样是0.5，微淼因为连续两次的读或者写中间只需要间隔0.5分秒就可以，但是会有最后的这段时间，这整段时间是专门用于刷新的，在这段时间内CPU无法对存储器进行读或者写所以集中刷新的这段时间我们把它称为死时间或者叫死区好，所以这种集中刷新的方式也不太科学好，接下来看第3种思路，每一个刷新周期内，我们只需要保证每行都刷新一次就可以，但不能想到我们可以把每一行的刷新分散到不同的时间段，那两毫秒之内总共需要128次刷新，也就是说每隔15.6微淼，我们必须保证刷新其中的某一行，所以也就是说每15.6微淼当中会有0.500秒的时间是死时间再刷新的，这段时间呢CP同样不能对存储器进行读或写一时间进行了一个风扇我们可以用cpu那CPU同样不能对存储器进行读或写那这种创新策略，我们把它称为异步刷新，我们把死时间进行了一个分散，那在实际应用当中，我们可以利用CPU不需要访问存储器的这段时间进行刷新，比如说如果CPU取得了一条指令，对这个指令进行译码的那个阶段，我们就可以进行刷新操作，好，那这是异步刷新那关于direct的这三种发行策略也经常在选择题当中进行考察，有的题目会明确的告诉你刷新周期应该是多长，如果题目没有明确的告知，那么我们通常会默认刷新周期是两毫秒这样的程度好，那现在我们就解决了之前留下的这个问题，什么叫做存储器的刷新，为什么srm不需要刷新？为什么D RAM需要刷新，本质原因还是在于它们的存储元件的特性是不一样的好，接下来看最后这一项的对比送行地址和列地址，S1是同时送的，而第二呢是分两次送的，唉，这又出现了一个新的坑，之前我们已经知道了什么叫行地址，什么叫列地址同行。弟弟的意思是说行地址和列地址，这两段的地址信息同时会丢给韩地址，译码器和列地址译码器，这是同时送行，如果采用这种策略，那么我们的地址有多少位，我们就需要设计多少根的地址线那低着种存储芯片，通常它的存储容量会比较大，有可能需要32位地市，也就意味着我们需要有32根地址线，当然地址线的数量还有可能更多，好，那为了让我们的地址线所对应的这个电路变得更简单，那么第2篇通常会采用所谓的地址现付，用技术很简单本来我们需要有N位地址线来同时传送行和列地址，但是采用地址线复用技术之后，我们可以把函地址和列地址通过前后两次分别进行传输，也就是说我们只需要采用2/N条地址线就可以送到行地里边第二次我们把控制电路的通知下这两个一码进行译码。是送到裂地式缓冲器里面，然后现在在控制电路的控制之下行地址和列地址再送给这两个译码器进行译码的处理好，所以这就是所谓的地址，现付用技术我们会把含地址和列地址分两次进行传送，那这样的话我们就可以让地址线的数量写的办，那地址限减半是不是就意味着存储芯片的这个引脚的数目也可以跟少原本需要跟个引脚来接受，因为地址现在只需要2/N个迎角，就可以先接收，行地址在接受列地址好，那这样我们就解释清楚了，最后一个问题，什么叫做分两次送行地址和列地址，那S1我们可以同时送的原因就是sm的集成度低，存储容量更小，那么srm芯片它所对应的行业地址的这个地址位数也会比较少，所以对于S1这种容量比较小的芯片，通常我们同时把行列地址给送过去就可以了黄道他自己的事让你说出他的。想到新片她的地址线是采用了复用技术，也就是和地址所对应的，引脚数目应该是要减半的，这一点比较容易出错，好另外再补充两个点之前我们提到的这个刷新刷新操作是由存储器独立完成的，并不需要CPU的介入，不需要CPU控制好，再一点，需要补充的是第1万个芯片，现在其实已经过时了，目前的这些储存通常是采用SD软，那现在大家买电脑都应该听过DDR3ddrs这些东西，那DDR3和ddrs，其实它们都属于sdy好，所以对于这个名字大家也需要有点印象，好的那以上就是一些解决的全部内容，大家可以再结合这张表来吸收消化一下。